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二极管（（34409）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT））
1N5802US Microchip Technology 1N5802US 9.7200
RFQ
 ECAD 255 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF，a 1N5802 标准 D-5A 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 875 mv @ 1 a 25 ns 1 µA @ 50 V -65°C〜175°C 1a 25pf @ 10V，1MHz
1N5804 Microchip Technology 1N5804 5.7200
RFQ
 ECAD 280 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 通过洞 a，轴向 1N5804 标准 a，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 875 mv @ 1 a 25 ns 1 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 25pf @ 10V，1MHz
1N5811US Microchip Technology 1n5811us 7.3800
RFQ
 ECAD 9968 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF，b 1N5811 标准 B，平方米 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 150 v 875 mv @ 4 A 30 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜175°C 3a 60pf @ 10V，1MHz
1N5913BUR-1 Microchip Technology 1N5913BUR-1 4.0650
RFQ
 ECAD 5842 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf 1N5913 1.25 w do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 100 µA @ 1 V 3.3 v 10欧姆
1N5922BUR-1 Microchip Technology 1N5922BUR-1 4.0650
RFQ
 ECAD 2416 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf 1N5922 1.25 w do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 6 V 7.5 v 3欧姆
1N5923BUR-1 Microchip Technology 1N5923BUR-1 4.0650
RFQ
 ECAD 6512 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf 1N5923 1.25 w do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 6.5 V 8.2 v 3.5欧姆
1N5926BUR-1 Microchip Technology 1N5926BUR-1 4.0650
RFQ
 ECAD 2295 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf 1N5926 1.25 w do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 8.4 V 11 V 5.5欧姆
1N5936BUR-1 Microchip Technology 1N5936BUR-1 4.5300
RFQ
 ECAD 7803 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf 1N5936 1.25 w do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 22.8 V 30 V 28欧姆
1N5939BUR-1 Microchip Technology 1N5939BUR-1 4.5300
RFQ
 ECAD 1588年 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf 1N5939 1.25 w do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 29.7 V 39 v 45欧姆
1N5940BUR-1 Microchip Technology 1N5940BUR-1 4.5300
RFQ
 ECAD 5929 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf 1N5940 1.25 w do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 32.7 V 43 V 53欧姆
1N5943BUR-1 Microchip Technology 1N5943BUR-1 4.5300
RFQ
 ECAD 5371 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf 1N5943 1.25 w do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 42.6 V 56 v 86欧姆
1N5944BUR-1 Microchip Technology 1N5944BUR-1 4.5300
RFQ
 ECAD 6284 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf 1N5944 1.25 w do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 47.1 V 62 v 100欧姆
1N5952BUR-1 Microchip Technology 1N5952BUR-1 7.5750
RFQ
 ECAD 9286 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf 1N5952 1.25 w do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 98.8 V 130 v 450欧姆
1N5969 Microchip Technology 1N5969 21.1000
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N5969 5 w - 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 1 mA @ 4.74 V 6.2 v
1N5986D Microchip Technology 1N5986D 5.1900
RFQ
 ECAD 7634 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N5986 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 75 µA @ 1 V 2.7 v 100欧姆
1N5988C Microchip Technology 1N5988C 4.1550
RFQ
 ECAD 2783 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N5988 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 25 µA @ 1 V 3.3 v 95欧姆
1N5990A Microchip Technology 1N5990A 1.9950
RFQ
 ECAD 6992 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N5990 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 25 µA @ 1 V 3.9 v 95欧姆
1N5990D Microchip Technology 1N5990D 5.1900
RFQ
 ECAD 5681 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N5990 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 µA @ 1 V 3.9 v 90欧姆
1N5992A Microchip Technology 1N5992A 1.9950
RFQ
 ECAD 9931 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N5992 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 µA @ 1 V 4.7 v 90欧姆
1N5992C Microchip Technology 1N5992C 4.1550
RFQ
 ECAD 9161 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N5992 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 1.5 V 4.7 v 70欧姆
1N5992D Microchip Technology 1N5992D 5.1900
RFQ
 ECAD 5764 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N5992 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 1.5 V 4.7 v 70欧姆
1N5993A Microchip Technology 1N5993A 1.9950
RFQ
 ECAD 8307 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N5993 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 1 V 5.1 v 88欧姆
1N5993C Microchip Technology 1N5993C 7.1550
RFQ
 ECAD 6945 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N5993 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 2 V 5.1 v 50欧姆
1N5993D Microchip Technology 1N5993D -
RFQ
 ECAD 3721 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 ±1％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 2 V 5.1 v 50欧姆
1N5997A Microchip Technology 1N5997A 1.9950
RFQ
 ECAD 9117 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N5997 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 4 V 7.5 v 10欧姆
1N5998D Microchip Technology 1N5998D 5.1900
RFQ
 ECAD 7979 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N5998 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 6.5 V 8.2 v 7欧姆
1N5999C Microchip Technology 1N5999C 4.1550
RFQ
 ECAD 2352 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N5999 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 7 V 9.1 v 10欧姆
1N6000A Microchip Technology 1N6000A 1.9950
RFQ
 ECAD 3781 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N6000 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 6.5 V 10 v 22欧姆
1N6000C Microchip Technology 1N6000C 4.1550
RFQ
 ECAD 8463 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N6000 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 8 V 10 v 15欧姆
1N6002C Microchip Technology 1N6002C 4.1550
RFQ
 ECAD 7667 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N6002 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 100 NA @ 9.1 V 12 v 22欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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