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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N5924CP/TR8	2.2800	RFQ	2724	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5924		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 7 V				9.1 v	4欧姆
1N4469DUS/TR	28.6050	RFQ	1463年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载			到达不受影响	150-1N4469DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		50 na @ 12 V				15 v	9欧姆
JANTX1N985CUR-1	15.5700	RFQ	3263	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N985		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 76 V				100 v	500欧姆
1N5348CE3/TR12	3.3900	RFQ	9142	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5348		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		5 µA @ 8 V				11 V	2.5欧姆
JANTXV1N6354CUS	-	RFQ	6135	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 137 V				180 v	1500欧姆
JANTX1N3045BUR-1	14.5800	RFQ	7129	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3045		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 83.6 V				110 v	450欧姆
JANS1N4987C	415.7700	RFQ	2988	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-			到达不受影响	150-JANS1N4987C	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 121.6 V				160 v	350欧姆
1N3600/tr	1.3832	RFQ	4520	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N3600/tr	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	50 V	1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	200mA	-
CDLL4958	11.1450	RFQ	5452	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDLL4958	Ear99	8541.10.0050	1
JANTXV1N6337CUS/TR	57.2550	RFQ	6584	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTXV1N6337CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		50 na @ 27 V				36 V	50欧姆
JANS1N6641US/TR	84.1500	RFQ	6170	微芯片技术	MIL-PRF-19500/609	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，d		标准		D-5D	-				150-JANS1N6641US/TR			50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.1 V @ 200 ma	5 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	300mA	-
1N6344	8.4150	RFQ	1966年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6344		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 52 V				68 v	155欧姆
CD755A	1.5029	RFQ	2485	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD755A	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		2 µA @ 5 V				7.5 v	6欧姆
CDLL4896A/TR	27.9750	RFQ	3371	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4896A/TR	Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				12.8 v	400欧姆
Jan1n3045bur-1/tr	11.4247	RFQ	9841	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3045BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 83.6 V				110 v	450欧姆
1N5254BUR-1/TR	3.0900	RFQ	3930	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	323			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 21 V				27 V	41欧姆
1N2135RA	74.5200	RFQ	8843	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准，反极性		DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N2135RA	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	70a	-
CD757C	-	RFQ	4774	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD757C	Ear99	8541.10.0050	278			1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 7 V				9.1 v	10欧姆
JANTXV1N4122DUR-1	36.0000	RFQ	9958	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4122		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 27.4 V				36 V	200欧姆
1N4994US	58.4700	RFQ	7381	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E	1N4994		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 251 V				330 v	1175欧姆
JANTX1N5712UBD	103.7700	RFQ	2199	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			表面安装	4-SMD，没有铅		肖特基		UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	16 V	1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C		2pf @ 0v，1MHz
SMBJ5369BE3/TR13	0.8700	RFQ	8636	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5369		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 36.7 V				51 v	27欧姆
CD5540B	2.0349	RFQ	6733	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5540B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		10 na @ 18 V				20 v	100欧姆
JANTX1N6345DUS/TR	58.0500	RFQ	1723年	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTX1N6345DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 56 V				75 v	180欧姆
JANS1N936B-1	443.9400	RFQ	8507	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/156	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANS1N936B-1	Ear99	8541.10.0050	1									9 V	20欧姆
JANS1N4988D	519.7200	RFQ	4927	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-			到达不受影响	150-JANS1N4988D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 136.8 V				180 v	450欧姆
1N6941UTK3AS/TR	267.4800	RFQ	7190	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	Thinkey™3		肖特基，反极性		Thinkey™3	-			到达不受影响	150-1N6941UTK3AS/TR	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	30 V	500 mv @ 50 a		5 ma @ 30 V	-65°C〜150°C	150a	7500pf @ 5V，1MHz
1N5370A/TR8	-	RFQ	3135	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5370		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 40.3 V				56 v	35欧姆
CDLL5533A/TR	5.9052	RFQ	5808	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5533A/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 10.5 V				13 V	90欧姆
JANTX1N4371DUR-1	19.3350	RFQ	8115	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4371		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		60 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²