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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
CDLL5543C	12.1950	RFQ	9617	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5543C	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.4 V				25 v	100欧姆
JANTXV1N4982DUS	51.1200	RFQ	8825	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4982DUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 76 V				100 v	110欧姆
JANTX1N4148UBCD	30.9358	RFQ	3799	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/116	大部分	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅	1N4148	标准		UBC	-	到达不受影响	150-JANTX1N4148UBCD	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对系列连接	75 v	1a	800 mv @ 100 ma	5 ns	25 na @ 20 V	-65°C 〜200°C
1N2494	44.1600	RFQ	5887	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-4（do-203AA）	下载	到达不受影响	150-1N2494	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		300 v		1.3 V @ 30 A		10 µA @ 300 V	-65°C 〜200°C	6a	-
CD4774	12.4650	RFQ	8137	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-CD4774	Ear99	8541.10.0050	1
30FQ040	64.5600	RFQ	6622	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		肖特基		DO-4（do-203AA）	-	到达不受影响	150-30FQ040	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		40 V		630 MV @ 30 A		1.5 ma @ 40 V	-55°C 〜175°C	30a	-
S5240	158.8200	RFQ	9418	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-S5240			1
JANTXV1N4979DUS	51.1200	RFQ	8737	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4979DUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 56 V				75 v	55欧姆
1N4745ur	3.4650	RFQ	2250	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	到达不受影响	150-1N4745UR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 12.2 V				16 V	16欧姆
Janhca1n978c	-	RFQ	2191	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-Janhca1n978c	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 38.8 V				51 v	125欧姆
CDS965B-1	-	RFQ	9738	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-CDS965B-1	Ear99	8541.10.0050	50
Janhca1n4117c	-	RFQ	1859年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-Janhca1n4117c	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19 V				25 v	150欧姆
S43140T	112.3200	RFQ	1061	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-	到达不受影响	150-S43140T	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1400 v		1.1 V @ 200 A		50 µA @ 1400 V	-65°C 〜200°C	150a	-
Janhca1n986c	-	RFQ	3739	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-Janhca1n986c	Ear99	8541.10.0050	100					1.3 V @ 200 ma		5 µA @ 83.6 V				110 v	750欧姆
CDLL5524C	12.1950	RFQ	1317	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5524C	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 3.5 V				5.6 v	30欧姆
UTR2360	11.8800	RFQ	9844	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	-	到达不受影响	150-UTR2360	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		1.1 V @ 2 A	400 ns	5 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	2a	160pf @ 0v，1MHz
R21100F	33.4500	RFQ	2755	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-R21100F			1
jankca1n5539c	-	RFQ	4777	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-Jankca1n5539c	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 17.1 V				19 v	100欧姆
Janhca1n980c	-	RFQ	2788	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-Janhca1n980c	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 47.1 V				62 v	185欧姆
1N4576A	8.4300	RFQ	9994	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	到达不受影响	150-1N4576A	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	50欧姆
Janhca1n4126d	-	RFQ	4473	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-Janhca1n4126d	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 38.76 V				51 v	300欧姆
JANS1N6322D	350.3400	RFQ	3184	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANS1N6322D	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		1 µA @ 6 V				8.2 v	5欧姆
1N1124R	38.3850	RFQ	8700	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准，反极性		DO-4（do-203AA）	下载	到达不受影响	150-1N1124R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.2 V @ 30 A		10 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	12a	-
Janhca1n4107c	-	RFQ	5636	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-Janhca1n4107c	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.857 V				13 V	200欧姆
1N5248D	9.7800	RFQ	2967	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5248D	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 14 V				18 V	21欧姆
JANS1N6338DUS	532.6350	RFQ	9010	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JANS1N6338DUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 30 V				39 v	55欧姆
JANTXV1N4493C	33.0000	RFQ	8748	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4493C	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		250 NA @ 120 V				150 v	700欧姆
1N756	2.1600	RFQ	1973	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	到达不受影响	150-1N756	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 1 V				8.2 v	8欧姆
JANTXV1N4990CUS	40.8900	RFQ	7395	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4990CUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 167 V				220 v	550欧姆
CD5245	4.0650	RFQ	8289	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-CD5245	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 11 V				15 v	16欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²