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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N706	1.9200	RFQ	2041	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N706		250兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							5 µA @ 5.8 V				5.8 v	20欧姆
CDLL5930D	11.7300	RFQ	5093	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5930		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 12.2 V				16 V	10欧姆
1 PMT5938CE3/TR13	0.7350	RFQ	1564年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 27.4 V				36 V	38欧姆
1N4744AG	3.1920	RFQ	2465	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4744AG	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 11.4 V				15 v	14欧姆
Jan1n3595a-1	2.2950	RFQ	1140	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/241	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N3595	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		125 v		920 MV @ 100 mA	3 µs	2 NA @ 125 V	-65°C〜175°C	150mA	-
JANTX1N4996US	-	RFQ	1125	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4996		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 297 V				390 v	1800欧姆
Jan1n6313us	15.2850	RFQ	5762	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6313		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		3 µA @ 1 V				3.6 v	25欧姆
1N4580A-1	3.8850	RFQ	1242	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4580		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
1N4760AP/TR8	1.8900	RFQ	4807	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4760		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 51.7 V				68 v	150欧姆
1N4557B	74.3550	RFQ	3092	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N4557		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		150 µA @ 500 mV				3.9 v	0.16欧姆
JANTX1N4956US	9.6150	RFQ	9859	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4956		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 µA @ 6.2 V				8.2 v	1.5欧姆
JANTX1N3020D-1	27.4500	RFQ	3504	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3020		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 7.6 V				10 v	7欧姆
JANS1N6313D	350.3400	RFQ	8877	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	托盘	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6313		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		3 µA @ 1 V				3.6 v	25欧姆
JANS1N4958DUS/TR	528.1050	RFQ	8881	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANS1N4958DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50					1.5 V @ 1 A		25 µA @ 7.6 V				10 v	2欧姆
JANS1N4495US	213.2550	RFQ	7490	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		250 NA @ 144 V				180 v	1300欧姆
JANTX1N6322CUS/TR	39.9450	RFQ	6471	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTX1N6322CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.4 V @ 1 A		1 µA @ 6 V				8.2 v	5欧姆
JANTX1N5615US	8.7450	RFQ	1295	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.6 V @ 3 A	150 ns		-65°C〜175°C	1a	-
JAN1N4617D-1/TR	10.7730	RFQ	9672	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4617D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V				2.4 v	1400欧姆
Janhca1n4573a	59.5950	RFQ	5394	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n4573a	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
JANTX1N981BUR-1	-	RFQ	1407	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	在sic中停产	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N981		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 52 V				68 v	230欧姆
Jan1n3600	-	RFQ	2704	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/231	大部分	在sic中停产			通过洞	do-204aa，do-7，轴向		标准		do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		50 V		1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	200mA	-
SMBG5344CE3/TR13	1.4400	RFQ	4326	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5344		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		10 µA @ 5.9 V				8.2 v	1.5欧姆
1N4111-1	2.4450	RFQ	8429	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4111		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 na @ 13 V				17 V	100欧姆
1N5415	6.5250	RFQ	6253	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	1N5415	标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		1.5 V @ 9 A	150 ns	1 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	3a	-
1N4568/tr	6.3000	RFQ	2010	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	下载			到达不受影响	150-1N4568/tr	Ear99	8541.10.0050	150							2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
JAN1N3049CUR-1	-	RFQ	1641年	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JAN1N6873UTK2CS	364.5450	RFQ	8686	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/469	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2		标准		Thinkey™2	-			到达不受影响	150-JAN1N6873UTK2CS	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				1 V @ 400 MA			-65°C〜175°C	400mA	-
APTDF400AK20G	129.7611	RFQ	4814	微芯片技术	-	大部分	积极的			底盘安装	LP4	APTDF400	标准		SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对系列连接	200 v	500a	1.1 V @ 400 A	60 ns	750 µA @ 200 V
Jan1n4467c	16.7700	RFQ	8771	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4467		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		200 na @ 9.6 V				12 v	7欧姆
JANTX1N4561B	-	RFQ	8228	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N4561		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		20 µA @ 1 V				5.6 v	0.12欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²