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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
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![]() | 1N704 | 1.0500 | ![]() | 2837 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N704 | 250兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 4.1 V | 4.1 v | 45欧姆 | ||
![]() | 1N706 | 1.9200 | ![]() | 2041 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N706 | 250兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 5.8 V | 5.8 v | 20欧姆 | ||
![]() | 1N709A | 1.9200 | ![]() | 2583 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N709 | 250兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 6.2 v | 4.1欧姆 | |||
![]() | 1N710 | 1.9200 | ![]() | 2899 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N710 | 250兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 6.8 v | 4.7欧姆 | |||
![]() | 1N712 | 1.9200 | ![]() | 1703 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N712 | 250兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 8.2 v | 6欧姆 | |||
![]() | 1N713 | 1.9200 | ![]() | 5090 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N713 | 250兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 9.1 v | 7欧姆 | |||
![]() | 1N713A | 1.9200 | ![]() | 4271 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N713 | 250兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 9.1 v | 7欧姆 | |||
![]() | 1N715 | 1.9200 | ![]() | 7639 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N715 | 250兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 11 V | 9欧姆 | |||
![]() | 1N718A | 2.7150 | ![]() | 2017 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N718 | 250兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 v | 13欧姆 | |||
![]() | 1N720A | 1.9200 | ![]() | 9831 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N720 | 250兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 18 V | 17欧姆 | |||
![]() | 1N723 | 1.9200 | ![]() | 9809 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N723 | 250兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 24 V | 28欧姆 | |||
![]() | 1N724A | 1.9200 | ![]() | 2396 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N724 | 250兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 27 V | 35欧姆 | |||
![]() | 1N726 | 1.9200 | ![]() | 4364 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N726 | 250兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 33 V | 50欧姆 | |||
![]() | 1N728A | 1.9200 | ![]() | 7885 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N728 | 250兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 39 v | 70欧姆 | |||
![]() | 1N729 | 1.9200 | ![]() | 6749 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N729 | 250兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 43 V | 84欧姆 | |||
![]() | 1N730 | 1.9200 | ![]() | 7525 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N730 | 250兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 47 V | 98欧姆 | |||
![]() | 1N730A | 1.9200 | ![]() | 2480 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N730 | 250兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 47 V | 98欧姆 | |||
![]() | 1n733a | 1.9200 | ![]() | 7907 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N733 | 250兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 62 v | 170欧姆 | |||
![]() | 1N736 | 1.9200 | ![]() | 9866 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N736 | 250兆 | do-35 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 82 v | 280欧姆 | |||
![]() | 1N5733D | 4.6800 | ![]() | 5529 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5733 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 2 µA @ 5 V | 7.5 v | 10欧姆 | |
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![]() | 1N5739D | 4.6800 | ![]() | 4610 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5739 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 9 V | 13 V | 30欧姆 | |
![]() | 1N5741C | 3.7200 | ![]() | 3229 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5741 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 11 V | 16 V | 40欧姆 | |
![]() | 1N5743B | 1.8600 | ![]() | 5459 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5743 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 14 V | 20 v | 55欧姆 | |
![]() | 1N5744C | 3.7200 | ![]() | 8509 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5744 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 15 V | 22 v | 55欧姆 | |
![]() | 1N5745D | 4.6800 | ![]() | 3628 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5745 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 17 V | 24 V | 70欧姆 | |
![]() | 1N5746D | 4.6800 | ![]() | 8350 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5746 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 19 V | 27 V | 80欧姆 | |
![]() | 1N5747B | 1.8600 | ![]() | 8033 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5747 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 21 V | 30 V | 80欧姆 | |
![]() | 1N5749B | 1.8600 | ![]() | 7497 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5749 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 25 V | 36 V | 90欧姆 |
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