SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
1N703 Microchip Technology 1N703 2.0700
RFQ
ECAD 6406 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N703 250兆 do-35 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 50 µA @ 3.4 V 3.4 v 55欧姆
1N704 Microchip Technology 1N704 1.0500
RFQ
ECAD 2837 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N704 250兆 do-35 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 5 µA @ 4.1 V 4.1 v 45欧姆
1N706 Microchip Technology 1N706 1.9200
RFQ
ECAD 2041 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N706 250兆 do-35 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 5 µA @ 5.8 V 5.8 v 20欧姆
1N709A Microchip Technology 1N709A 1.9200
RFQ
ECAD 2583 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N709 250兆 do-35 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 6.2 v 4.1欧姆
1N710 Microchip Technology 1N710 1.9200
RFQ
ECAD 2899 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N710 250兆 do-35 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 6.8 v 4.7欧姆
1N712 Microchip Technology 1N712 1.9200
RFQ
ECAD 1703 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N712 250兆 do-35 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 8.2 v 6欧姆
1N713 Microchip Technology 1N713 1.9200
RFQ
ECAD 5090 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N713 250兆 do-35 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 9.1 v 7欧姆
1N713A Microchip Technology 1N713A 1.9200
RFQ
ECAD 4271 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N713 250兆 do-35 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 9.1 v 7欧姆
1N715 Microchip Technology 1N715 1.9200
RFQ
ECAD 7639 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N715 250兆 do-35 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 11 V 9欧姆
1N718A Microchip Technology 1N718A 2.7150
RFQ
ECAD 2017 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N718 250兆 do-35 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 15 v 13欧姆
1N720A Microchip Technology 1N720A 1.9200
RFQ
ECAD 9831 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N720 250兆 do-35 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 18 V 17欧姆
1N723 Microchip Technology 1N723 1.9200
RFQ
ECAD 9809 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N723 250兆 do-35 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 24 V 28欧姆
1N724A Microchip Technology 1N724A 1.9200
RFQ
ECAD 2396 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N724 250兆 do-35 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 27 V 35欧姆
1N726 Microchip Technology 1N726 1.9200
RFQ
ECAD 4364 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N726 250兆 do-35 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 33 V 50欧姆
1N728A Microchip Technology 1N728A 1.9200
RFQ
ECAD 7885 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N728 250兆 do-35 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 39 v 70欧姆
1N729 Microchip Technology 1N729 1.9200
RFQ
ECAD 6749 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N729 250兆 do-35 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 43 V 84欧姆
1N730 Microchip Technology 1N730 1.9200
RFQ
ECAD 7525 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N730 250兆 do-35 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 47 V 98欧姆
1N730A Microchip Technology 1N730A 1.9200
RFQ
ECAD 2480 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N730 250兆 do-35 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 47 V 98欧姆
1N733A Microchip Technology 1n733a 1.9200
RFQ
ECAD 7907 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N733 250兆 do-35 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 62 v 170欧姆
1N736 Microchip Technology 1N736 1.9200
RFQ
ECAD 9866 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N736 250兆 do-35 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 82 v 280欧姆
1N5733D Microchip Technology 1N5733D 4.6800
RFQ
ECAD 5529 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5733 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 2 µA @ 5 V 7.5 v 10欧姆
1N5736C Microchip Technology 1N5736C 3.7200
RFQ
ECAD 6630 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5736 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 200 na @ 7 V 10 v 20欧姆
1N5739D Microchip Technology 1N5739D 4.6800
RFQ
ECAD 4610 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5739 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 100 na @ 9 V 13 V 30欧姆
1N5741C Microchip Technology 1N5741C 3.7200
RFQ
ECAD 3229 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5741 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 100 na @ 11 V 16 V 40欧姆
1N5743B Microchip Technology 1N5743B 1.8600
RFQ
ECAD 5459 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5743 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 100 na @ 14 V 20 v 55欧姆
1N5744C Microchip Technology 1N5744C 3.7200
RFQ
ECAD 8509 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5744 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 100 na @ 15 V 22 v 55欧姆
1N5745D Microchip Technology 1N5745D 4.6800
RFQ
ECAD 3628 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5745 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 100 na @ 17 V 24 V 70欧姆
1N5746D Microchip Technology 1N5746D 4.6800
RFQ
ECAD 8350 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5746 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 100 na @ 19 V 27 V 80欧姆
1N5747B Microchip Technology 1N5747B 1.8600
RFQ
ECAD 8033 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5747 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 100 na @ 21 V 30 V 80欧姆
1N5749B Microchip Technology 1N5749B 1.8600
RFQ
ECAD 7497 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5749 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 100 na @ 25 V 36 V 90欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库