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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N6030D	6.9600	RFQ	1176	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6030		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 137 V				180 v	1700欧姆
1N6031A	2.5950	RFQ	1574年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6031		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 122 V				200 v	2700欧姆
1N6031B	2.7750	RFQ	7588	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6031		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 152 V				200 v	2000年
1N6031C	5.6250	RFQ	8722	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6031		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 152 V				200 v	2000年
1N6075	15.1650	RFQ	7886	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N6075	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	2.04 V @ 9.4 A	30 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜155°C	850mA	-
1N6075US	17.7300	RFQ	3115	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N6075	标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	2.04 V @ 9.4 A	30 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜155°C	3a	-
1N6076US	23.4000	RFQ	4229	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	1N6076	标准		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.76 V @ 18.8 A	30 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜155°C	6a	-
1N6077	21.2400	RFQ	4354	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N6077	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.76 V @ 18.8 A	30 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜155°C	1.3a	-
1N6079US	36.6150	RFQ	3302	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，G	1N6079	标准		G-MELF（D-5C）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.5 V @ 37.7 A	30 ns	10 µA @ 50 V	-65°C〜155°C	2a	-
1N6309	8.4150	RFQ	7897	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6309		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
1n6309us	14.7750	RFQ	6417	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6309		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
1N6310	8.4150	RFQ	1984	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6310		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		60 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
1N647UR-1	3.9600	RFQ	1906年	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	DO-213AA（）	1N647	标准		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1 V @ 400 MA		50 NA @ 400 V	-65°C〜175°C	400mA	-
1N648-1	-	RFQ	8721	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	500 v	1 V @ 400 MA		50 NA @ 500 V	-65°C〜175°C	400mA	-
1N6540	16.5300	RFQ	1723年	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6540				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1
1N6542	20.7600	RFQ	5379	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6542				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1
1N6545	12.1200	RFQ	1081	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6545				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1
1N6548	15.0450	RFQ	7704	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6548				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1
1n6622us	8.7600	RFQ	9398	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N6622	标准		A夫人	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	660 v	1.4 V @ 1.2 A	30 ns	500 NA @ 660 V	-65°C〜150°C	1.2a	10pf @ 10V，1MHz
1N6625US	15.1800	RFQ	4674	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N6625	标准		A夫人	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1100 v	1.75 V @ 1 A	60 ns	1 µA @ 1100 V	-65°C〜150°C	1a	10pf @ 10V，1MHz
1n6626us	11.9700	RFQ	5110	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N6626	标准		A夫人	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	220 v	1.35 V @ 2 A	30 ns	2 µA @ 220 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
1N6631	-	RFQ	1770年	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1100 v	1.4 V @ 1.4 A	60 ns	4 µA @ 1100 V	-65°C〜150°C	1.4a	40pf @ 10V，1MHz
1N6634	15.5550	RFQ	6929	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N6634		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		175 µA @ 1 V				3.9 v	500欧姆
1N6636	15.5550	RFQ	5081	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N6636		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		20 µA @ 1 V				4.7 v	450欧姆
1n6636us	13.7000	RFQ	38	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N6636		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		20 µA @ 1 V				4.7 v	450欧姆
1n6642us	6.8600	RFQ	8	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，d	1N6642	标准		D-5D	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	75 v	1.2 V @ 100 ma	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	5pf @ 0v，1MHz
1N6675	-	RFQ	2108	微芯片技术	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		肖特基		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	20 v	500 mV @ 200 ma		10 µA @ 20 V	-65°C〜125°C	200mA	50pf @ 0v，1MHz
1N6700US	30.9300	RFQ	9915	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，c	1N6700	肖特基		D-5C	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	20 v	470 mv @ 5 a		200 µA @ 20 V	-65°C〜125°C	5a	-
1N6701	23.6550	RFQ	9666	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6701				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1
1N6701US	29.9700	RFQ	3546	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，c	1N6701	肖特基		D-5C	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	30 V	470 mv @ 5 a		200 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	5a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²