RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1n976a	2.0700	RFQ	9090	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N976		500兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 32.7 V				43 V	93欧姆
1N979A	2.0700	RFQ	6653	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N979		500兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 42.6 V				56 v	150欧姆
1N980B	2.0700	RFQ	1055	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N980		500兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 47.1 V				62 v	185欧姆
1N982A	2.0700	RFQ	2667	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N982		500兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 56 V				75 v	270欧姆
1N982B	-	RFQ	9699	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 56 V				75 v	270欧姆
1n983a	2.0700	RFQ	3585	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N983		500兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 62.2 V				82 v	330欧姆
1n985a	2.0700	RFQ	9025	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N985		500兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 76 V				100 v	500欧姆
BZV55C11	2.9400	RFQ	8008	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	BZV55C11			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	100 na @ 8 V				11 V
BZV55C2V7	2.9400	RFQ	4260	微芯片技术	-	大部分	积极的	±7％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	BZV55C2V7			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	20 µA @ 1 V				2.7 v
BZV55C3V0	2.9400	RFQ	5943	微芯片技术	-	大部分	积极的	±7％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	BZV55C3V0			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 µA @ 1 V				3 V
BZV55C3V6	2.9400	RFQ	8118	微芯片技术	-	大部分	积极的	±6％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	BZV55C3V6			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 1 V				3.6 v
BZV55C3V9	2.9550	RFQ	4008	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	BZV55C3V9			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	3 µA @ 1 V				3.9 v
BZV55C5V1	3.2850	RFQ	1250	微芯片技术	-	大部分	积极的	±6％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	BZV55C5V1			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	2 µA @ 2 V				5.1 v
BZV55C5V6	3.1400	RFQ	272	微芯片技术	-	大部分	积极的	±7％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	BZV55C5V6			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	1 µA @ 2 V				5.6 v
BZV55C6V8	2.9400	RFQ	8064	微芯片技术	-	大部分	积极的	±6％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	BZV55C6V8			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	2 µA @ 4 V				6.8 v
BZV55C8V2	2.9400	RFQ	7170	微芯片技术	-	大部分	积极的	±6％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	BZV55C8V2			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	700 na @ 5 V				8.2 v
BZV55C9V1	4.4100	RFQ	9810	微芯片技术	-	大部分	积极的	±6％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	BZV55C9V1			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	500 na @ 6 V				9.1 v
DSB0.5A20	-	RFQ	6280	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	DSB0.5	肖特基		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	20 v	650 MV @ 500 mA	10 µA @ 20 V	-65°C〜125°C	500mA	60pf @ 0v，1MHz
DSB0.5A40	-	RFQ	6635	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	DSB0.5	肖特基		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	40 V	650 MV @ 500 mA	10 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	500mA	60pf @ 0v，1MHz
DSB1A20	-	RFQ	5469	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	DSB1A20	肖特基		DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	20 v	600 mV @ 1 A	100 µA @ 20 V	-	1a	-
DSB1A80	-	RFQ	2364	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	DSB1A80	肖特基		DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	80 V	690 mv @ 1 a	100 µA @ 80 V	-	1a	-
DSB2810	-	RFQ	2322	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	DSB2810	肖特基		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	20 v	410 MV @ 1 mA	100 na @ 15 V	-65°C〜150°C	75mA	2pf @ 0v，1MHz
DSB5817	-	RFQ	7528	微芯片技术	*	大部分	积极的					DSB5817				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1
DSB5821	-	RFQ	3808	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	DSB5821	肖特基			下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	30 V	500 mv @ 3 a	100 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	3a	-
1N6019C	4.1550	RFQ	4010	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6019		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	100 na @ 47 V				62 v	225欧姆
1N6021C	4.1550	RFQ	9398	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6021		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	100 na @ 56 V				75 v	265欧姆
1N6022B	2.0700	RFQ	3921	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6022		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	100 na @ 62 V				82 v	280欧姆
1N6023A	1.9950	RFQ	8191	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6023		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	100 na @ 56 V				91 v	400欧姆
1N6024C	4.1550	RFQ	2217	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6024		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	100 NA @ 76 V				100 v	500欧姆
1N6026B	2.7750	RFQ	5109	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6026		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	100 NA @ 91 V				120 v	800欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²