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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
Jan1n4129d-1/tr	11.7838	RFQ	8461	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4129D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 47.1 V				62 v	500欧姆
CDLL3027	15.3000	RFQ	5912	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3027		1 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 15.2 V				20 v	22欧姆
Jan1n4371aur-1/tr	5.1900	RFQ	4543	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-JAN1N4371AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	151					1.1 V @ 200 ma		60 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
JANTXV1N970DUR-1/TR	21.6258	RFQ	4028	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N970DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 18 V				24 V	33欧姆
1N1401	38.3850	RFQ	4678	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	下载			到达不受影响	150-1N1401	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v		1.2 V @ 200 A		50 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	100a	-
1月1N6659	213.6600	RFQ	9422	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））		标准		TO-254	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.2 V @ 20 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-	15a	150pf @ 10V，1MHz
JANTXV1N757C-1/TR	9.3100	RFQ	2106	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N757C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 7 V				9.1 v	10欧姆
JANTXV1N4113C-1	23.1600	RFQ	8618	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4113		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 14.5 V				19 v	150欧姆
CDLL5532A	6.4800	RFQ	7195	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5532		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.5 V				12 v	90欧姆
JANTX1N4977	7.1400	RFQ	8043	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4977		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 47.1 V				62 v	42欧姆
JANTXV1N4115DUR-1	-	RFQ	1764年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	在sic中停产	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.8 V				22 v	150欧姆
1 PMT4626E3/TR13	0.4950	RFQ	6079	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 4 V				5.6 v	1400欧姆
1N5922BPE3/TR8	0.9450	RFQ	2618	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5922		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 6 V				7.5 v	3欧姆
1N5828	46.1100	RFQ	6532	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		肖特基		DO-203AA（DO-4）	-			到达不受影响	1N5828MS	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		40 V		870 mv @ 40 a		10 ma @ 20 V	-55°C〜150°C	15a	-
1月1N6333	9.9000	RFQ	8532	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6333		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 18 V				24 V	24欧姆
APT2X61DC120J	-	RFQ	5888	微芯片技术	-	大部分	过时的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT2X61	SIC （碳化硅）		SOT-227	-	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	2独立	1200 v	60a	1.8 V @ 60 A	0 ns	1.2 ma @ 1200 V
JANTX1N6485DUS	-	RFQ	1348	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆
jankca1n4627	-	RFQ	2828	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCA1N4627	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 5 V				6.2 v	1200欧姆
MSASC25W60K/TR	-	RFQ	5386	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-MSASC25W60K/TR			100
CDLL4153	1.1571	RFQ	1091	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	do-213aa	CDLL4153	标准		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		75 v		880 mv @ 20 ma	4 ns	50 na @ 50 V	-65°C〜175°C	150mA	2pf @ 0v，1MHz
JANTXV1N3025B-1	11.8800	RFQ	4309	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3025		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 12.2 V				16 V	16欧姆
1N1201A	34.7100	RFQ	2112	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	下载			到达不受影响	1n1201ams	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		150 v		1.2 V @ 30 A			-65°C 〜200°C	12a	-
1N4115-1	2.4450	RFQ	5083	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4115		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.8 V				22 v	150欧姆
JANTXV1N4248	-	RFQ	2319	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/286	大部分	在sic中停产			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		800 v		1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	-
Jan1n974b-1/tr	2.1280	RFQ	2740	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N974B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 27 V				36 V	70欧姆
1N3011RB	40.3200	RFQ	1862年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3011		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 114 V				150 v	175欧姆
UFR3150	94.5300	RFQ	6793	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		500 v		1.25 V @ 30 A	50 ns		175°c （最大）	30a	115pf @ 10V，1MHz
1N645-1E3	1.5150	RFQ	3651	微芯片技术	-	包	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N645	标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1N645-1E3MS	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		225 v		1 V @ 400 MA		50 NA @ 225 V	-65°C〜175°C	400mA	-
JANTXV1N4956	10.1250	RFQ	7341	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4956		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 µA @ 6.2 V				8.2 v	1.5欧姆
JANTXV1N3005RB	-	RFQ	4430	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 76 V				100 v	40欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²