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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N938B-1/tr	8.9700	RFQ	6378	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N938B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	100									9 V	20欧姆
UZ8714	22.4400	RFQ	6394	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向		1 w	a，轴向	-	到达不受影响	150-UZ8714	Ear99	8541.10.0050	1					500 NA @ 10.6 V				14 V	12欧姆
1N6931UTK1	259.3500	RFQ	6162	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	到达不受影响	150-1N6931UTK1			1
1N5251A-1	2.0700	RFQ	7800	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5251A-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 16.2 V				22 v	29欧姆
CD747D	-	RFQ	9911	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-	到达不受影响	150-CD747D	Ear99	8541.10.0050	223			1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
S034120F	49.0050	RFQ	8846	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	到达不受影响	150-S034120F			1
jankca1n4112d	-	RFQ	2847	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-	到达不受影响	150-Jankca1n4112d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 13.67 V				18 V	100欧姆
JANTXV1N6333CUS	57.1050	RFQ	3293	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JANTXV1N6333CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 18 V				24 V	24欧姆
JANS1N4496C	361.6050	RFQ	9802	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向		1.5 w	do-41	-	到达不受影响	150-JANS1N4496C	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 NA @ 160 V				200 v	1500欧姆
1N5525C	11.3550	RFQ	8056	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5525C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5 V				6.2 v	30欧姆
CDLL5226D	8.4150	RFQ	2950	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa		10兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5226D	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V				3.3 v	28欧姆
CD4757	2.0700	RFQ	3149	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死		1 w	死	-	到达不受影响	150-CD4757	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 38.8 V				51 v	95欧姆
1N4689-1E3	4.5900	RFQ	5348	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N4689-1E3	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V				5.1 v
JANTXV1N6325C	37.5300	RFQ	2537	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANTXV1N6325C	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 8.5 V				11 V	7欧姆
CDLL5271C	6.7200	RFQ	7355	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa		10兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5271C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 76 V				100 v	500欧姆
JANTXV1N4981DUS	51.1200	RFQ	4196	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		5 w	E-Melf	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4981DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 69.2 V				91 v	90欧姆
JANS1N4496D	452.0100	RFQ	5470	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向		1.5 w	do-41	-	到达不受影响	150-JANS1N4496D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 NA @ 160 V				200 v	1500欧姆
CDLL5275A	3.5850	RFQ	8886	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa			do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5275A	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 101 V				140 v	1300欧姆
UES1304H2	25.6800	RFQ	1253	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	标准		B，轴向	-	到达不受影响	150-ues1304hr2	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1 V @ 3 A	50 ns	20 µA @ 200 V	-	5a	-
jankca1n4128c	-	RFQ	1620年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-	到达不受影响	150-JANKCA1N4128C	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 45.6 V				60 V	400欧姆
UZ7824	468.9900	RFQ	6697	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	螺柱		10 W	轴向	-	到达不受影响	150-UZ7824	Ear99	8541.10.0050	1					20 µA @ 17.3 V				24 V	5欧姆
jankca1n748c	-	RFQ	4300	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANKCA1N748C	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V				3.9 v	23欧姆
JANTXV1N4973D	23.4600	RFQ	3536	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向		5 w	E，轴向	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4973D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 32.7 V				43 V	20欧姆
1N5263A	2.1000	RFQ	7589	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5263A	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 41 V				56 v	150欧姆
1N5540C	11.3550	RFQ	8386	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5540C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18 V				20 v	100欧姆
1N5537D	5.6850	RFQ	3269	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5537D	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.3 V				17 V	100欧姆
1N2063R	158.8200	RFQ	7661	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	下载	到达不受影响	150-1N2063R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	500 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 500 V	-65°C 〜190°C	275a	-
JAN1N6325CUS	63.7050	RFQ	7753	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JAN1N6325CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 8.5 V				11 V	7欧姆
jankca1n4114c	-	RFQ	4835	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-	到达不受影响	150-JANKCA1N4114C	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.2 V				20 v	150欧姆
LR7482	-	RFQ	9444	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	到达不受影响	150-LR7482			100

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²