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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTX1N4988US	-	RFQ	1808年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 136.8 V				180 v	450欧姆
SMAJ5942AE3/TR13	0.6450	RFQ	9705	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5942		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 38.8 V				51 v	70欧姆
1N3900R	48.5400	RFQ	6963	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3900	标准，反极性		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.4 V @ 63 A	200 ns	50 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	20a	150pf @ 10V，1MHz
JANTXV1N5712-1	26.0700	RFQ	5126	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		肖特基		DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	16 V	1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C	33ma	2pf @ 0v，1MHz
1N6027ur	3.5850	RFQ	6379	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6027				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
CDLL4732AE3	3.2850	RFQ	9608	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-			到达不受影响	150-CDLL4732AE3	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V				4.7 v	8欧姆
JANTXV1N3029D-1	36.2100	RFQ	6465	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3029		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 18.2 V				24 V	25欧姆
Jan1n4370aur-1	7.2600	RFQ	3402	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4370			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
UZ7740R	468.9900	RFQ	6532	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	螺柱			10 W	轴向	-			到达不受影响	150-UZ7740R	Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 30.4 V				40 V	15欧姆
1N5546	3.0750	RFQ	4722	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5546	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 28 V				33 V
1N3274R	158.8200	RFQ	7760	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3274	标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3274RMS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1200 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 1200 V	-65°C 〜190°C	275a	-
1N3909A	48.5400	RFQ	7774	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3909	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.4 V @ 50 A	150 ns	15 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	50a	-
JAN1N6485CUS	-	RFQ	7050	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆
SMBJ5385A/TR13	1.6350	RFQ	7455	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5385		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 122 V				170 v	380欧姆
1N4908	25.7700	RFQ	4122	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-25°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4908		400兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									12.8 v	50欧姆
1N649-1/tr	2.5100	RFQ	65	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	355	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1 V @ 400 MA		50 NA @ 600 V	-65°C〜175°C	400mA	-
JAN1N6344C	39.6300	RFQ	1268	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JAN1N6344C	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 52 V				68 v	155欧姆
CDLL5222D/TR	8.5950	RFQ	7708	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5222D/TR	Ear99	8541.10.0050	110			1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.5 v	30欧姆
JANTX1N4621D-1	15.5700	RFQ	8721	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4621		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					3.5 µA @ 2 V				3.6 v	1700欧姆
CD486B	5.4530	RFQ	2079	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	死		标准		死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD486B	Ear99	8541.10.0040	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	250 v	1 V @ 100 ma		25 NA @ 225 V	-65°C〜175°C	200mA	-
JAN1N747CUR-1	11.3850	RFQ	8814	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N747		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
SMBJ4744AE3/TR13	0.4350	RFQ	3289	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4744		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 11.4 V				15 v	14欧姆
1N5253BUR-1	2.8650	RFQ	1335	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5253		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 19 V				25 v	35欧姆
LSM315JE3/TR13	1.5450	RFQ	7028	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	LSM315	肖特基		do-214ab	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	15 v	320 mv @ 3 a		2 ma @ 15 V	-55°C〜125°C	3a	-
JAN1N4474CUS/TR	27.8250	RFQ	9898	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JAN1N4474CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		50 na @ 19.2 V				24 V	16欧姆
JANTXV1N2982RB	-	RFQ	6706	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 13.7 V				18 V	4欧姆
1N6873UTK2AS/TR	259.3500	RFQ	8793	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-1N6873UTK2AS/TR			100
JANS1N5420U	70.4400	RFQ	7227	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.5 V @ 9 A	400 ns		-65°C〜175°C	3a	-
CDLL3019B/TR	13.0606	RFQ	7761	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			1 w	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL3019B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 6.9 V				9.1 v	5欧姆
CDLL4906/TR	60.5400	RFQ	1605	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4906/tr	Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				12.8 v	100欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²