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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
MSASC100H80HS/TR	-	RFQ	9566	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	到达不受影响	150-MSASC100H80HS/TR			100
CDS979B-1/TR	-	RFQ	8272	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	到达不受影响	150-CDS979B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
JANS1N827UR-1/TR	196.1400	RFQ	5251	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-JANS1N827UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50					2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
1N943BUR-1/TR	24.5400	RFQ	5469	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-1N943BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	100					15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆
JANTXV1N6628U/TR	25.4550	RFQ	5318	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准，反极性		B，平方米	-	到达不受影响	150-JANTXV1N6628U/TR	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	660 v	1.35 V @ 2 A	45 ns	2 µA @ 660 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
CDLL5253D/TR	8.5950	RFQ	3004	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5253D/tr	Ear99	8541.10.0050	110			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 19 V				25 v	35欧姆
1N935B-1/TR	11.0700	RFQ	2344	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N935B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	194									9 V	20欧姆
1N935AE3/tr	5.9250	RFQ	8844	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	-	到达不受影响	150-1N935AE3/tr	Ear99	8541.10.0050	160									9 V	20欧姆
1N5546A/TR	3.2550	RFQ	1238	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5546A/tr	Ear99	8541.10.0050	290			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 28 V				33 V
1N5545D/tr	5.8650	RFQ	2115	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5545D/tr	Ear99	8541.10.0050	161			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 27 V				30 V	100欧姆
1N5532A/TR	1.9950	RFQ	9816	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5532A/TR	Ear99	8541.10.0050	477			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.5 V				12 v
1N5534/tr	1.9950	RFQ	7263	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5534/tr	Ear99	8541.10.0050	477			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 11.5 V				14 V
1N3024B-1E3/tr	8.5651	RFQ	4382	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N3024		1 w	do-41	下载	到达不受影响	150-1N3024B-1E3/tr	Ear99	8541.10.0050	111			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 11.4 V				15 v	14欧姆
1N4746AG/TR	3.8400	RFQ	5296	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do041，轴向			1 w	do-41	-	到达不受影响	150-1N4746AG/TR	Ear99	8541.10.0050	246			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 13.7 V				18 V	20欧姆
JANS1N4471/TR	84.0150	RFQ	9934	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	-	到达不受影响	150-JANS1N4471/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 14.4 V				18 V	11欧姆
1N5929B/tr	3.2100	RFQ	2979	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.25 w	do-41	-	到达不受影响	150-1N5929B/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 11.4 V				15 v	9欧姆
JAN1N6873UTK2AS/TR	364.6950	RFQ	6241	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	到达不受影响	150-JAN1N6873UTK2AS/TR			100
CD5524D-1/TR	-	RFQ	3923	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	到达不受影响	150-CDS5524D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
MSASC100H60HX/TR	-	RFQ	6947	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	到达不受影响	150-MSASC100H60HX/TR			100
1N6873UTK2AS/TR	259.3500	RFQ	8793	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	到达不受影响	150-1N6873UTK2AS/TR			100
1N938B-1/tr	8.9700	RFQ	6378	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N938B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	100									9 V	20欧姆
UZ8714	22.4400	RFQ	6394	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向			1 w	a，轴向	-	到达不受影响	150-UZ8714	Ear99	8541.10.0050	1					500 NA @ 10.6 V				14 V	12欧姆
1N6931UTK1	259.3500	RFQ	6162	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-1N6931UTK1			1
1N5251A-1	2.0700	RFQ	7800	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5251A-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 16.2 V				22 v	29欧姆
CD747D	-	RFQ	9911	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-CD747D	Ear99	8541.10.0050	223			1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
S034120F	49.0050	RFQ	8846	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-S034120F			1
jankca1n4112d	-	RFQ	2847	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-Jankca1n4112d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 13.67 V				18 V	100欧姆
JANTXV1N6333CUS	57.1050	RFQ	3293	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JANTXV1N6333CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 18 V				24 V	24欧姆
JANS1N4496C	361.6050	RFQ	9802	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	-	到达不受影响	150-JANS1N4496C	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 NA @ 160 V				200 v	1500欧姆
1N5525C	11.3550	RFQ	8056	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5525C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5 V				6.2 v	30欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²