电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CDLL965BE3/tr | 3.2100 | ![]() | 8057 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | 到达不受影响 | 150-CDLL965BE3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 295 | 1.1 V @ 200 ma | 500 na @ 11 V | 15 v | 16欧姆 | ||||||||
![]() | MSASC75H15FX/TR | - | ![]() | 7173 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-MSASC75H15FX/TR | 100 | ||||||||||||||||||||
![]() | CDS969B-1/TR | - | ![]() | 2454 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-CDS969B-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||
1N935A-1/TR | 5.7300 | ![]() | 6613 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | 到达不受影响 | 150-1N935A-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 165 | 9 V | 20欧姆 | |||||||||||
1N4465DUS/TR | 29.0700 | ![]() | 5517 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1.5 w | D-5A | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N4465DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 300 na @ 8 V | 10 v | 5欧姆 | |||||||||
![]() | CDLL5227C/TR | 6.9150 | ![]() | 3435 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 10兆 | do-213aa | - | 到达不受影响 | 150-CDLL5227C/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 137 | 1.1 V @ 200 ma | 15 µA @ 1 V | 3.6 v | 24欧姆 | ||||||||
![]() | JANTXV1N4574AUR-1/TR | 41.6550 | ![]() | 1806年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/452 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N4574AUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 2 µA @ 3 V | 100欧姆 | ||||||||||
![]() | CDLL5927D/TR | 11.9400 | ![]() | 9178 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1.25 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | 到达不受影响 | 150-CDLL5927D/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 9.1 V | 12 v | 6.5欧姆 | ||||||||
1N938-1/tr | 9.9150 | ![]() | 9789 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | 到达不受影响 | 150-1N938-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 9 V | 20欧姆 | |||||||||||
![]() | CDLL5525C/TR | 12.3900 | ![]() | 6554 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | 到达不受影响 | 150-CDLL5525C/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 5 V | 6.2 v | 30欧姆 | ||||||||
![]() | 1N4584/tr | 21.7200 | ![]() | 3110 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500兆 | do-7 | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N4584/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 25欧姆 | |||||||||
![]() | JAN1N4614CUR-1/TR | - | ![]() | 1911 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | 到达不受影响 | 150-JAN1N4614CUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 ma | 3.5 µA @ 1 V | 1.8 v | 1200欧姆 | ||||||||
DSB0.2A30/tr | - | ![]() | 7805 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 肖特基 | DO-35(do-204AH) | - | 到达不受影响 | 150-DSB0.2A30/tr | Ear99 | 8541.10.0070 | 228 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 650 MV @ 500 mA | 10 µA @ 30 V | -65°C〜125°C | 500mA | 60pf @ 0v,1MHz | ||||||||
1N5994/tr | 3.5850 | ![]() | 5333 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±20% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | 到达不受影响 | 150-1N5994/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 ma | 3 µA @ 1.5 V | 5.6 v | 70欧姆 | |||||||||
1N5526C/TR | 11.5500 | ![]() | 1535年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | 到达不受影响 | 150-1N5526C/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 6.2 V | 6.8 v | 30欧姆 | |||||||||
![]() | 1N4582/tr | 7.5300 | ![]() | 9768 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500兆 | do-7 | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N4582/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 126 | 2 µA @ 3 V | 6.4 v | 25欧姆 | |||||||||
1n3611us/tr | 8.4150 | ![]() | 2892 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 标准 | a,平方米 | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N3611US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 113 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.1 V @ 1 A | 1 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 1a | - | ||||||||
![]() | CDS5524CUR-1/TR | 471.1800 | ![]() | 1071 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5524CUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||
![]() | 1N4746AGE3/tr | 4.0350 | ![]() | 7282 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al,do041,轴向 | 1 w | do-41 | - | 到达不受影响 | 150-1N4746AGE3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 234 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 13.7 V | 18 V | 20欧姆 | ||||||||
![]() | CD5240D-1/TR | - | ![]() | 8482 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-CDS5240D-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | ||||||||||||||||||
1N5240/tr | 4.1100 | ![]() | 7699 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | 到达不受影响 | 150-1N5240/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 231 | 1.5 V @ 200 ma | 3 µA @ 7.6 V | 10 v | 17欧姆 | |||||||||
![]() | JANTX1N823AUR-1/TR | 6.6600 | ![]() | 6395 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/159 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | 到达不受影响 | 150-JANTX1N823AUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 118 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 10欧姆 | |||||||||
1N5248B-1/TR | 2.2650 | ![]() | 4787 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | 到达不受影响 | 150-1N5248B-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 417 | 1.5 V @ 200 ma | 100 na @ 14 V | 18 V | 21欧姆 | |||||||||
1N5533/tr | 1.9950 | ![]() | 8066 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±20% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | 到达不受影响 | 150-1N5533/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 477 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 10.5 V | 13 V | ||||||||||
![]() | Jan1n5809us/tr | 8.4600 | ![]() | 7373 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/477 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 标准 | B,平方米 | - | 到达不受影响 | 150-JAN1N5809US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 875 mv @ 4 A | 30 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 3a | 60pf @ 10V,1MHz | ||||||
![]() | 1N4692/tr | 5.7000 | ![]() | 5878 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500兆 | do-7 | - | 到达不受影响 | 150-1N4692/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 166 | 1.1 V @ 200 ma | 10 µA @ 5.1 V | 6.8 v | |||||||||
![]() | 1N4960DUS/TR | 32.5800 | ![]() | 1392 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 5 w | E-Melf | - | 到达不受影响 | 150-1N4960DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 10 µA @ 9.1 V | 12 v | 2.5欧姆 | ||||||||
![]() | MSASC25W15K/TR | - | ![]() | 8454 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-MSASC25W15K/TR | 100 | ||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5237C/TR | 6.9150 | ![]() | 3974 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 10兆 | do-213aa | - | 到达不受影响 | 150-CDLL5237C/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 137 | 1.1 V @ 200 ma | 3 µA @ 6.5 V | 8.2 v | 8欧姆 | ||||||||
![]() | 1N938BUR-1/TR | 21.0300 | ![]() | 5019 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | 到达不受影响 | 150-1N938BUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 9 V | 20欧姆 |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库