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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
CDLL965BE3/TR Microchip Technology CDLL965BE3/tr 3.2100
RFQ
ECAD 8057 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - 到达不受影响 150-CDLL965BE3/tr Ear99 8541.10.0050 295 1.1 V @ 200 ma 500 na @ 11 V 15 v 16欧姆
MSASC75H15FX/TR Microchip Technology MSASC75H15FX/TR -
RFQ
ECAD 7173 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 到达不受影响 150-MSASC75H15FX/TR 100
CDS969B-1/TR Microchip Technology CDS969B-1/TR -
RFQ
ECAD 2454 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 到达不受影响 150-CDS969B-1/TR Ear99 8541.10.0050 50
1N935A-1/TR Microchip Technology 1N935A-1/TR 5.7300
RFQ
ECAD 6613 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - 到达不受影响 150-1N935A-1/TR Ear99 8541.10.0050 165 9 V 20欧姆
1N4465DUS/TR Microchip Technology 1N4465DUS/TR 29.0700
RFQ
ECAD 5517 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,a 1.5 w D-5A 下载 到达不受影响 150-1N4465DUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 300 na @ 8 V 10 v 5欧姆
CDLL5227C/TR Microchip Technology CDLL5227C/TR 6.9150
RFQ
ECAD 3435 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 10兆 do-213aa - 到达不受影响 150-CDLL5227C/TR Ear99 8541.10.0050 137 1.1 V @ 200 ma 15 µA @ 1 V 3.6 v 24欧姆
JANTXV1N4574AUR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N4574AUR-1/TR 41.6550
RFQ
ECAD 1806年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/452 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - 到达不受影响 150-JANTXV1N4574AUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 100 2 µA @ 3 V 100欧姆
CDLL5927D/TR Microchip Technology CDLL5927D/TR 11.9400
RFQ
ECAD 9178 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1.25 w DO-213AB(梅尔,LL41) - 到达不受影响 150-CDLL5927D/tr Ear99 8541.10.0050 100 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 9.1 V 12 v 6.5欧姆
1N938-1/TR Microchip Technology 1N938-1/tr 9.9150
RFQ
ECAD 9789 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - 到达不受影响 150-1N938-1/tr Ear99 8541.10.0050 100 9 V 20欧姆
CDLL5525C/TR Microchip Technology CDLL5525C/TR 12.3900
RFQ
ECAD 6554 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - 到达不受影响 150-CDLL5525C/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 5 V 6.2 v 30欧姆
1N4584/TR Microchip Technology 1N4584/tr 21.7200
RFQ
ECAD 3110 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500兆 do-7 下载 到达不受影响 150-1N4584/tr Ear99 8541.10.0050 100 2 µA @ 3 V 6.4 v 25欧姆
JAN1N4614CUR-1/TR Microchip Technology JAN1N4614CUR-1/TR -
RFQ
ECAD 1911 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - 到达不受影响 150-JAN1N4614CUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 ma 3.5 µA @ 1 V 1.8 v 1200欧姆
DSB0.2A30/TR Microchip Technology DSB0.2A30/tr -
RFQ
ECAD 7805 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 肖特基 DO-35(do-204AH) - 到达不受影响 150-DSB0.2A30/tr Ear99 8541.10.0070 228 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 650 MV @ 500 mA 10 µA @ 30 V -65°C〜125°C 500mA 60pf @ 0v,1MHz
1N5994/TR Microchip Technology 1N5994/tr 3.5850
RFQ
ECAD 5333 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - 到达不受影响 150-1N5994/tr Ear99 8541.10.0050 264 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 1.5 V 5.6 v 70欧姆
1N5526C/TR Microchip Technology 1N5526C/TR 11.5500
RFQ
ECAD 1535年 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - 到达不受影响 150-1N5526C/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 6.2 V 6.8 v 30欧姆
1N4582/TR Microchip Technology 1N4582/tr 7.5300
RFQ
ECAD 9768 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500兆 do-7 下载 到达不受影响 150-1N4582/tr Ear99 8541.10.0050 126 2 µA @ 3 V 6.4 v 25欧姆
1N3611US/TR Microchip Technology 1n3611us/tr 8.4150
RFQ
ECAD 2892 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SQ-MELF,a 标准 a,平方米 下载 到达不受影响 150-1N3611US/TR Ear99 8541.10.0080 113 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.1 V @ 1 A 1 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1a -
CDS5524CUR-1/TR Microchip Technology CDS5524CUR-1/TR 471.1800
RFQ
ECAD 1071 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 到达不受影响 150-CDS5524CUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 50
1N4746AGE3/TR Microchip Technology 1N4746AGE3/tr 4.0350
RFQ
ECAD 7282 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do041,轴向 1 w do-41 - 到达不受影响 150-1N4746AGE3/tr Ear99 8541.10.0050 234 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 13.7 V 18 V 20欧姆
CDS5240D-1/TR Microchip Technology CD5240D-1/TR -
RFQ
ECAD 8482 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 到达不受影响 150-CDS5240D-1/TR Ear99 8541.10.0050 50
1N5240/TR Microchip Technology 1N5240/tr 4.1100
RFQ
ECAD 7699 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - 到达不受影响 150-1N5240/tr Ear99 8541.10.0050 231 1.5 V @ 200 ma 3 µA @ 7.6 V 10 v 17欧姆
JANTX1N823AUR-1/TR Microchip Technology JANTX1N823AUR-1/TR 6.6600
RFQ
ECAD 6395 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/159 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - 到达不受影响 150-JANTX1N823AUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 118 2 µA @ 3 V 6.2 v 10欧姆
1N5248B-1/TR Microchip Technology 1N5248B-1/TR 2.2650
RFQ
ECAD 4787 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - 到达不受影响 150-1N5248B-1/TR Ear99 8541.10.0050 417 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 14 V 18 V 21欧姆
1N5533/TR Microchip Technology 1N5533/tr 1.9950
RFQ
ECAD 8066 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - 到达不受影响 150-1N5533/tr Ear99 8541.10.0050 477 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 10.5 V 13 V
JAN1N5809US/TR Microchip Technology Jan1n5809us/tr 8.4600
RFQ
ECAD 7373 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/477 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SQ-MELF,b 标准 B,平方米 - 到达不受影响 150-JAN1N5809US/TR Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 875 mv @ 4 A 30 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 3a 60pf @ 10V,1MHz
1N4692/TR Microchip Technology 1N4692/tr 5.7000
RFQ
ECAD 5878 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 500兆 do-7 - 到达不受影响 150-1N4692/tr Ear99 8541.10.0050 166 1.1 V @ 200 ma 10 µA @ 5.1 V 6.8 v
1N4960DUS/TR Microchip Technology 1N4960DUS/TR 32.5800
RFQ
ECAD 1392 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 5 w E-Melf - 到达不受影响 150-1N4960DUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 10 µA @ 9.1 V 12 v 2.5欧姆
MSASC25W15K/TR Microchip Technology MSASC25W15K/TR -
RFQ
ECAD 8454 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 到达不受影响 150-MSASC25W15K/TR 100
CDLL5237C/TR Microchip Technology CDLL5237C/TR 6.9150
RFQ
ECAD 3974 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 10兆 do-213aa - 到达不受影响 150-CDLL5237C/TR Ear99 8541.10.0050 137 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 6.5 V 8.2 v 8欧姆
1N938BUR-1/TR Microchip Technology 1N938BUR-1/TR 21.0300
RFQ
ECAD 5019 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - 到达不受影响 150-1N938BUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 100 9 V 20欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库