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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N4100C	4.9200	RFQ	4838	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	下载			到达不受影响	150-1N4100C	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 5.7 V				7.5 v	200欧姆
JANTXV1N4625UR-1	12.6000	RFQ	6314	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4625		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V				5.1 v	1500欧姆
1月1N978C-1	5.1900	RFQ	4121	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N978		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 39 V				51 v	125欧姆
JANTXV1N4103C-1	23.1600	RFQ	9405	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4103		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 7 V				9.1 v	200欧姆
JANTXV1N4577AR-1	13.8900	RFQ	9799	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4577		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	50欧姆
1月1N6621	11.2950	RFQ	1005	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/585	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N6621	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		440 v		1.6 V @ 2 A	30 ns	500 NA @ 440 V	-65°C〜150°C	2a	10pf @ 10V，1MHz
1N5344/TR12	2.6250	RFQ	9321	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5344		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		10 µA @ 5.9 V				8.2 v	1.5欧姆
R3560pf	62.1000	RFQ	1626年	微芯片技术	R35	大部分	积极的			按适合	DO-208AA	R3560	标准，反极性		do-21	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.25 V @ 200 A		10 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	70a	-
JANTXV1N5534CUR-1	49.5150	RFQ	9329	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5534		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 12.6 V				14 V	100欧姆
JANTX1N5536D-1	21.9150	RFQ	5384	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5536		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 14.4 V				16 V	100欧姆
CDLL5271B/TR	3.3516	RFQ	3191	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5271B/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 76 V				100 v	500欧姆
MBR40150PTE3/TU	1.1700	RFQ	9557	微芯片技术	*	管子	积极的					MBR40150				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000
CD6313	2.1014	RFQ	8473	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-	表面安装	死				死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD6313	Ear99	8541.10.0050	1
JANTX1N4148UBCD/TR	30.6432	RFQ	7223	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/116	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅	1N4148	标准		UBC	-			到达不受影响	150-JANTX1N4148UBCD/tr	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对系列连接	75 v	1a	800 mv @ 100 ma	5 ns	25 na @ 20 V	-65°C 〜200°C
JANTXV1N980CUR-1	19.3800	RFQ	7374	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N980		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 47 V				62 v	185欧姆
JANS1N6338DUS	532.6350	RFQ	9010	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANS1N6338DUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 30 V				39 v	55欧姆
Jan1n2835rb	-	RFQ	6383	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2835		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 56 V				75 v	9欧姆
Jan1n4579a-1	27.1500	RFQ	1490	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4579		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	50欧姆
MSCDC200A70D1PAG	182.5200	RFQ	13	微芯片技术	-	盒子	积极的			底盘安装	模块	MSCDC200	SIC （碳化硅）		D1P	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCDC200A70D1PAG	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	1对系列连接	700 v	200a	1.8 V @ 200 A	0 ns	800 µA @ 700 V	-40°C〜175°C
CDLL5535D	16.2000	RFQ	3147	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5535D	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 13.5 V				15 v	100欧姆
JANTXV1N6658R	328.4550	RFQ	1121	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））		标准		TO-254	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		1.2 V @ 20 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-	15a	150pf @ 10V，1MHz
JANS1N4570AR-1	85.9650	RFQ	2635	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
1N2976A	38.9550	RFQ	9734	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2976		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 9.1 V				12 v	3欧姆
1N5806US	6.2700	RFQ	80	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N5806	标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		875 mv @ 1 a	25 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 10V，1MHz
JANTXV1N6351CUS	57.1050	RFQ	5756	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANTXV1N6351CUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 99 V				130 v	850欧姆
CDLL942A	13.0200	RFQ	6414	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL942A	Ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆
JANTX1N4477DUS	45.9300	RFQ	9173	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4477		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		50 NA @ 26.4 V				33 V	25欧姆
1N5418USE3	9.8100	RFQ	2422	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5418USE3	Ear99	8541.10.0080	1
UPS5817E3/TR13	0.5100	RFQ	6398	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPS5817	肖特基		Powermite	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	12,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		20 v		450 MV @ 1 A		1 ma @ 20 V	-55°C〜150°C	1a	105pf @ 5V，1MHz
CD5253D	-	RFQ	6048	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD5253D	Ear99	8541.10.0050	233					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 19 V				25 v	35欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²