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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
CDLL4716C/TR	6.7950	RFQ	8094	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL4716C/TR	Ear99	8541.10.0050	139					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 29.8 V				39 v
CDLL5272D/TR	8.5950	RFQ	8122	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5272D/tr	Ear99	8541.10.0050	110					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 84 V				110 v	750欧姆
CDLL5223D/TR	8.5950	RFQ	7106	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5223D/tr	Ear99	8541.10.0050	110					1.1 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
CDS964BUR-1/TR	-	RFQ	3680	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	到达不受影响	150-CDS964BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
1N5254B/tr	4.4100	RFQ	6096	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5254B/tr	Ear99	8541.10.0050	214					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 21 V				27 V	41欧姆
1N3511D-1/tr	6.4050	RFQ	5956	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					1N3511				下载	到达不受影响	150-1N3511D-1/tr	Ear99	8541.10.0050	148
1N937B-1/TR	10.1550	RFQ	6377	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N937B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	100											9 V	20欧姆
MSASC100W45HX/TR	-	RFQ	9164	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	Thinkey™2		肖特基，反极性		Thinkey™2	-	到达不受影响	150-MSASC100W45HX/TR	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		45 v		800 mv @ 100 a		1 mA @ 45 V	-65°C〜175°C	100a	-
MSASC100W60HS/TR	-	RFQ	7502	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	到达不受影响	150-MSASC100W60HS/TR			100
1N6626UE3/tr	12.2250	RFQ	10000	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准，反极性		B，平方米	-	到达不受影响	150-1N6626UE3/tr	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		220 v		1.35 V @ 2 A	45 ns	2 µA @ 220 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
JANS1N4470/TR	84.0150	RFQ	8736	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	-	到达不受影响	150-JANS1N4470/TR	Ear99	8541.10.0050	50					1.5 V @ 1 A		50 na @ 12.8 V				16 V	10欧姆
CDLL5258C/TR	6.9150	RFQ	2725	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5258C/TR	Ear99	8541.10.0050	137					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 27 V				36 V	70欧姆
1N4580A/TR	4.0650	RFQ	9912	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	到达不受影响	150-1N4580A/TR	Ear99	8541.10.0050	233							2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
1N4607/tr	2.6250	RFQ	3361	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准，反极性		DO-35（do-204AH）	下载	到达不受影响	150-1N4607/tr	Ear99	8541.10.0070	360	小信号= <200ma（io（io），任何速度		85 v		1.1 V @ 400 mA	10 ns	100 µA @ 50 V	-65°C 〜200°C	200mA	-
1N827A-1/TR	7.6200	RFQ	6469	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N827A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	124							2 µA @ 3 V				5.89 v	10欧姆
JANTX1N4148UBCD/TR	30.6432	RFQ	7223	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/116	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅	1N4148	标准		UBC	-	到达不受影响	150-JANTX1N4148UBCD/tr	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对系列连接	75 v	1a	800 mv @ 100 ma	5 ns	25 na @ 20 V	-65°C 〜200°C
JANTX1N3647/TR	20.9100	RFQ	8874	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/279	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	S，轴向		标准，反极性		S，轴向	-	到达不受影响	150-JANTX1N3647/TR	Ear99	8541.10.0070	100	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		2100 v		5 V @ 250 MA		5 µA @ 21000 V	-65°C〜175°C	250mA	-
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JANS1N5711-1/TR	-	RFQ	2324	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		肖特基，反极性		DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANS1N5711-1/TR	Ear99	8541.10.0070	50	小信号= <200ma（io（io），任何速度		70 v		1 V @ 15 mA		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C	33ma	2pf @ 0v，1MHz
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CDLL5520C/TR	12.3900	RFQ	7947	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5520C/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V				3.9 v	22欧姆
MSASC25H60KV/TR	-	RFQ	2111	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	到达不受影响	150-MSASC25H60KV/TR			100
MSASC75W15F/TR	-	RFQ	8563	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	到达不受影响	150-MSASC75W15F/TR			100
JANTX1N6844U3/TR	147.5850	RFQ	2339	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/679	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅		肖特基，反极性		U3 （SMD-0.5）	-	到达不受影响	150-JANTX1N6844U3/tr	Ear99	8541.10.0080	110	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		900 mv @ 15 A		100 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	15a	600pf @ 5V，1MHz
1N938-1E3/tr	10.1100	RFQ	3638	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N938-1E3/tr	Ear99	8541.10.0050	100											9 V	20欧姆
1N756A/tr	2.3400	RFQ	5480	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	到达不受影响	150-1N756A/TR	Ear99	8541.10.0050	404					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6 V				8.2 v	8欧姆
1N4568/tr	6.3000	RFQ	2010	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	下载	到达不受影响	150-1N4568/tr	Ear99	8541.10.0050	150							2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
CDLL4109C/TR	7.7700	RFQ	6327	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL4109C/TR	Ear99	8541.10.0050	122					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 11.4 V				15 v	100欧姆
JANTX1N4990/TR	13.2600	RFQ	8789	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	到达不受影响	150-JANTX1N4990/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 167 V				220 v	550欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²