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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
Utr40/tr	9.4350	RFQ	4042	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	到达不受影响	150-UTR40/tr	Ear99	8541.10.0070	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.1 V @ 200 ma	350 ns	3 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	500mA	60pf @ 0v，1MHz
Jan1n4371aur-1/tr	5.1900	RFQ	4543	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-JAN1N4371AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	151			1.1 V @ 200 ma		60 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
1N4762AGE3/tr	3.5250	RFQ	7911	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do041，轴向			1 w	do-41	-	到达不受影响	150-1N4762AGE3/tr	Ear99	8541.10.0050	269			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 62.2 V				82 v	200欧姆
1N5521B/TR	1.9950	RFQ	3876	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5521b/tr	Ear99	8541.10.0050	477			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1.5 V				4.3 v	18欧姆
1N5521C/TR	11.5500	RFQ	2463	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5521C/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1.5 V				4.3 v	18欧姆
CD030B-1/TR	-	RFQ	5027	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	到达不受影响	150-CDS3030B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
1N3823A-1/tr	6.7200	RFQ	7609	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do041，轴向			1 w	do-41	下载	到达不受影响	150-1N3823A-1/tr	Ear99	8541.10.0050	141			1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V				3.9 v	9欧姆
1N5530B/tr	3.6150	RFQ	9937	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N55330b/tr	Ear99	8541.10.0050	261			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.1 V				10 v	60欧姆
1N6872UTK2CS/TR	259.3500	RFQ	5521	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	到达不受影响	150-1N6872UTK2CS/tr			100
CDS5535BUR-1/TR	-	RFQ	7798	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	到达不受影响	150-CDS5535BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
Utr21/tr	9.4350	RFQ	7070	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	到达不受影响	150-UTR21/tr	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.1 V @ 500 mA	250 ns	3 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	80pf @ 0v，1MHz
CDLL4135E3/tr	3.9600	RFQ	7780	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL4135E3/tr	Ear99	8541.10.0050	238			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 76 V				100 v	1500欧姆
CD5518BUR-1/TR	-	RFQ	5961	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	到达不受影响	150-CDS5518BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
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1N6081US/TR	59.9400	RFQ	1724年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准，反极性		G，SQ-MELF	-	到达不受影响	150-1N6081US/TR	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	1.5 V @ 37.7 A	30 ns	10 µA @ 150 V	-65°C〜155°C	2a	-
CDLL4716C/TR	6.7950	RFQ	8094	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL4716C/TR	Ear99	8541.10.0050	139			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 29.8 V				39 v
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CDLL5223D/TR	8.5950	RFQ	7106	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5223D/tr	Ear99	8541.10.0050	110			1.1 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
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1N5254B/tr	4.4100	RFQ	6096	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5254B/tr	Ear99	8541.10.0050	214			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 21 V				27 V	41欧姆
1N3511D-1/tr	6.4050	RFQ	5956	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					1N3511				下载	到达不受影响	150-1N3511D-1/tr	Ear99	8541.10.0050	148
1N937B-1/TR	10.1550	RFQ	6377	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N937B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	100									9 V	20欧姆
MSASC100W45HX/TR	-	RFQ	9164	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	Thinkey™2		肖特基，反极性		Thinkey™2	-	到达不受影响	150-MSASC100W45HX/TR	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	45 v	800 mv @ 100 a		1 mA @ 45 V	-65°C〜175°C	100a	-
MSASC100W60HS/TR	-	RFQ	7502	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	到达不受影响	150-MSASC100W60HS/TR			100
1N6626UE3/tr	12.2250	RFQ	10000	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准，反极性		B，平方米	-	到达不受影响	150-1N6626UE3/tr	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	220 v	1.35 V @ 2 A	45 ns	2 µA @ 220 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
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CDLL5258C/TR	6.9150	RFQ	2725	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5258C/TR	Ear99	8541.10.0050	137			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 27 V				36 V	70欧姆
1N4580A/TR	4.0650	RFQ	9912	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	到达不受影响	150-1N4580A/TR	Ear99	8541.10.0050	233					2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
1N4607/tr	2.6250	RFQ	3361	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准，反极性		DO-35（do-204AH）	下载	到达不受影响	150-1N4607/tr	Ear99	8541.10.0070	360	小信号= <200ma（io（io），任何速度	85 v	1.1 V @ 400 mA	10 ns	100 µA @ 50 V	-65°C 〜200°C	200mA	-
1N827A-1/TR	7.6200	RFQ	6469	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N827A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	124					2 µA @ 3 V				5.89 v	10欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²