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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
CDS966BUR-1	-	RFQ	4991	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	到达不受影响	150-CDS966BUR-1	Ear99	8541.10.0050	50
jankca1n5542c	-	RFQ	9173	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANKCA1N5542C	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 21.6 V				24 V	100欧姆
Janhca1n972c	-	RFQ	7862	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-	到达不受影响	150-Janhca1n972c	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 22.8 V				30 V	49欧姆
JANNTX1N4153UR-1/TR	-	RFQ	4012	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/337	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa	标准，反极性		do-213aa	-	到达不受影响	150-JANNTX1N4153UR-1/TR	Ear99	8541.10.0070	100	小信号= <200ma（io（io），任何速度	75 v	880 mv @ 20 ma	4 ns	50 na @ 50 V	-65°C〜175°C	150mA	2pf @ 0v，1MHz
1N6630U/tr	22.0800	RFQ	8984	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	到达不受影响	150-1N6630U/tr			100
CDLL4620D/TR	8.8800	RFQ	1000	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL4620D/tr	Ear99	8541.10.0050	107			1.1 V @ 200 ma		7.5 µA @ 1.5 V				3.3 v	1650年
CDLL5233D/TR	8.5950	RFQ	1547年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa		10兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5233D/tr	Ear99	8541.10.0050	110			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3.5 V				6 V	7欧姆
1N4573/tr	12.5850	RFQ	6582	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向		500兆	do-7	下载	到达不受影响	150-1N4573/tr	Ear99	8541.10.0050	100					2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
1N5519/tr	2.8950	RFQ	4030	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5519/tr	Ear99	8541.10.0050	325			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 900 mV				3.6 v
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CDLL5276D/TR	8.5950	RFQ	4849	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa			do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5276D/tr	Ear99	8541.10.0050	110			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 108 V				150 v	1500欧姆
cdll963be3/tr	4.1100	RFQ	9567	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL963BE3/tr	Ear99	8541.10.0050	231			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	11.5欧姆
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1N757A/tr	2.5200	RFQ	7653	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	到达不受影响	150-1N757A/tr	Ear99	8541.10.0050	374			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 7 V				9.1 v	10欧姆
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1N825A-1/TR	4.6500	RFQ	9666	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N825A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	204					2 µA @ 3 V				6.2 v	10欧姆
1N5817G/TR	6.1500	RFQ	8473	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204al，do041，轴向	肖特基		do-41	-	到达不受影响	150-1N5817G/tr	Ear99	8541.10.0080	154	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	20 v	450 MV @ 1 A		1 ma @ 20 V	-65°C〜150°C	1a	-
1N5518A/TR	2.8950	RFQ	9239	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5518A/TR	Ear99	8541.10.0050	325			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 900 mV				3.3 v
CDLL5524D/TR	16.3950	RFQ	1470	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5524D/tr	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 3.5 V				5.6 v	30欧姆
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1N5530C/TR	11.5500	RFQ	9368	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N55330C/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.1 V				10 v	60欧姆
CDLL5257D/TR	8.5950	RFQ	5560	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa		10兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5257D/tr	Ear99	8541.10.0050	110			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 25 V				33 V	58欧姆
1N827A-1E3/tr	7.8150	RFQ	9315	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N827A-1E3/tr	Ear99	8541.10.0050	121					2 µA @ 3 V				5.89 v	10欧姆
JANTX1N6910UTK2AS/TR	451.7100	RFQ	6786	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/723	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	Thinkey™2	SIC （碳化硅）		Thinkey™2	-	到达不受影响	150-JANTX1N6910UTK2AS/TR	Ear99	8541.10.0080	100	没有恢复t> 500mA（IO）	15 v	520 mv @ 25 A		1.2 ma @ 15 V	-65°C〜150°C	25a	2000pf @ 5V，1MHz
MSASC25H60K/TR	-	RFQ	8529	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	到达不受影响	150-MSASC25H60K/TR			100
MSASC100H100H/TR	-	RFQ	6664	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	到达不受影响	150-MSASC100H100H/TR			100

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²