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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
R34130	49.0050	RFQ	2711	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	到达不受影响	150-R34130			1
1N6006BUR	3.5850	RFQ	5247	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-1N6006BUR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 14 V				18 V	42欧姆
1N4471DUS	28.4250	RFQ	7813	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	D-5A	下载	到达不受影响	150-1N4471DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 14.4 V				18 V	11欧姆
R4215	102.2400	RFQ	7092	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	到达不受影响	150-R4215			1
1N1675	158.8200	RFQ	6930	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	标准		DO-205AB（DO-9）	下载	到达不受影响	150-1N1675	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 400 V	-65°C 〜190°C	275a	-
UZ824	22.4400	RFQ	6847	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向		3 W	a，轴向	-	到达不受影响	150-UZ824	Ear99	8541.10.0050	1
1N5072	23.4000	RFQ	1216	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	轴向		3 W	轴向	-	到达不受影响	150-1N5072	Ear99	8541.10.0050	1					5 µA @ 12.2 V				16 V	7欧姆
JANTX1N6345C	29.2350	RFQ	5704	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANTX1N6345C	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 56 V				75 v	180欧姆
jankca1n4371d	-	RFQ	7078	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-Jankca1n4371d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
CDLL5275C	6.7200	RFQ	9375	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa			do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5275C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 101 V				140 v	1300欧姆
JANTXV1N4474DUS	56.4150	RFQ	9919	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	D-5A	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4474DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 na @ 19.2 V				24 V	16欧姆
JANS1N6346CUS	527.5650	RFQ	2535	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JANS1N6346CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 62 V				82 v	220欧姆
1N6912UTK2	259.3500	RFQ	9121	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2	肖特基		Thinkey™2	-	到达不受影响	150-1N6912UTK2	Ear99	8541.10.0080	1	没有恢复t> 500mA（IO）	45 v	640 mv @ 25 a		1.2 ma @ 45 V	-65°C〜150°C	25a	1000pf @ 5V，1MHz
UZ5240	32.2650	RFQ	5338	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向		5 w	B，轴向	-	到达不受影响	150-UZ5240	Ear99	8541.10.0050	1					5 µA @ 30.4 V				400 v	1800欧姆
UZ5117	32.2650	RFQ	3984	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向		5 w	B，轴向	-	到达不受影响	150-UZ5117	Ear99	8541.10.0050	1					5 µA @ 129 V				170 v	380欧姆
R417-1	102.2400	RFQ	9783	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	到达不受影响	150-R417-1			1
S306040F	49.0050	RFQ	9147	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	到达不受影响	150-S306040F			1
jankca1n967b	-	RFQ	5106	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-	到达不受影响	150-Jankca1n967b	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 13.7 V				18 V	21欧姆
CD747	1.6950	RFQ	8092	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-	到达不受影响	150-CD747	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
1N4742UR-1	3.4650	RFQ	2654	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	到达不受影响	150-1N4742UR-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 9.1 V				12 v	9欧姆
CDS966BUR-1	-	RFQ	4991	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	到达不受影响	150-CDS966BUR-1	Ear99	8541.10.0050	50
jankca1n5542c	-	RFQ	9173	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANKCA1N5542C	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 21.6 V				24 V	100欧姆
Janhca1n972c	-	RFQ	7862	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-	到达不受影响	150-Janhca1n972c	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 22.8 V				30 V	49欧姆
JANNTX1N4153UR-1/TR	-	RFQ	4012	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/337	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa	标准，反极性		do-213aa	-	到达不受影响	150-JANNTX1N4153UR-1/TR	Ear99	8541.10.0070	100	小信号= <200ma（io（io），任何速度	75 v	880 mv @ 20 ma	4 ns	50 na @ 50 V	-65°C〜175°C	150mA	2pf @ 0v，1MHz
1N6630U/tr	22.0800	RFQ	8984	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	到达不受影响	150-1N6630U/tr			100
CDLL4620D/TR	8.8800	RFQ	1000	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL4620D/tr	Ear99	8541.10.0050	107			1.1 V @ 200 ma		7.5 µA @ 1.5 V				3.3 v	1650年
CDLL5233D/TR	8.5950	RFQ	1547年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa		10兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5233D/tr	Ear99	8541.10.0050	110			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3.5 V				6 V	7欧姆
1N4573/tr	12.5850	RFQ	6582	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向		500兆	do-7	下载	到达不受影响	150-1N4573/tr	Ear99	8541.10.0050	100					2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
1N5519/tr	2.8950	RFQ	4030	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5519/tr	Ear99	8541.10.0050	325			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 900 mV				3.6 v
MSASC100H15H/TR	-	RFQ	4209	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	到达不受影响	150-MSASC100H15H/TR			100

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²