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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N2134	74.5200	RFQ	4968	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载	到达不受影响	150-1N2134	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	350 v	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 350 V	-65°C 〜200°C	70a	-
1N4589	102.2400	RFQ	1518年	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	下载	到达不受影响	150-1N4589	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	300 v	1.1 V @ 200 A		50 µA @ 300 V	-65°C 〜200°C	150a	-
DSB5A40	-	RFQ	4820	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	轴向		肖特基		轴向	-	到达不受影响	150-DSB5A40	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	40 V	470 mv @ 5 a		200 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	5a	-
S31140	49.0050	RFQ	5750	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-S31140			1
1N958A	2.3400	RFQ	7044	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	-	到达不受影响	150-1N958A	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		75 µA @ 5.7 V						7.5 v	5.5欧姆
1N2440	102.2400	RFQ	9108	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	下载	到达不受影响	150-1N2440	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	250 v	1.1 V @ 200 A		50 µA @ 250 V	-65°C 〜200°C	150a	-
1N4476C	17.7000	RFQ	7538	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	下载	到达不受影响	150-1N4476C	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 24 V						30 V	20欧姆
CD3050B	4.0650	RFQ	3827	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-CD3050B	Ear99	8541.10.0050	1
1N2798	74.5200	RFQ	2972	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载	到达不受影响	150-1N2798	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	300 v	1.19 V @ 90 A	5 µs	10 µA @ 300 V	-65°C 〜200°C	5a	-
R43100D	102.2400	RFQ	9773	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-	到达不受影响	150-R43100D	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.1 V @ 200 A		50 µA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	150a	-
1N4569	67.3350	RFQ	2035	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	下载	到达不受影响	150-1N4569	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V						6.4 v	200欧姆
1N5233	1.8600	RFQ	2969	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5233	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 3.3 V						6 V	7欧姆
Jan1n6323c	39.6300	RFQ	3111	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JAN1N6323C	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 7 V						9.1 v	6欧姆
CD4771	12.4650	RFQ	3232	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死				死	-	到达不受影响	150-CD4771	Ear99	8541.10.0050	1											9.1 v	200欧姆
1N6012BUR-1	3.5850	RFQ	8718	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-1N6012BUR-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 25 V						33 V	88欧姆
1N6628U	18.7200	RFQ	1082	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	下载	到达不受影响	150-1N6628U	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	660 v	1.35 V @ 2 A	45 ns	2 µA @ 660 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
CD759C	-	RFQ	7175	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-CD759C	Ear99	8541.10.0050	278			1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 9 V						12 v	30欧姆
CDLL5232D	8.4150	RFQ	1549年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5232D	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V						5.6 v	11欧姆
CD3070	1.1550	RFQ	8351	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-CD3070	Ear99	8541.10.0050	1
S3720	61.1550	RFQ	4850	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	-	到达不受影响	150-S3720	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.15 V @ 85 A		25 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	85a	-
R3110	49.0050	RFQ	8321	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-R3110			1
684-4	312.7800	RFQ	7618	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	na		标准		na	-	到达不受影响	150-684-4	Ear99	8541.10.0080	1			1.2 V @ 2 A		5 µA @ 400 V		10 a		单相	400 v
UZ5745	32.2650	RFQ	1468	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-	到达不受影响	150-UZ5745	Ear99	8541.10.0050	1					5 µA @ 34.2 V						45 v	20欧姆
R4320	102.2400	RFQ	1953年	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-	到达不受影响	150-R4320	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.1 V @ 200 A		50 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	150a	-
CDLL5274	3.5850	RFQ	4366	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa				do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5274	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 94 V						130 v	1100欧姆
1N3765	68.2500	RFQ	4353	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载	到达不受影响	150-1N3765	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	700 v	1.2 V @ 90 A		10 µA @ 700 V	-65°C 〜200°C	35a	-
R3120	49.0050	RFQ	6564	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-R3120			1
S2220	33.4500	RFQ	1234	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-S2220			1
CDS5188	-	RFQ	7543	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-CDS5188			50
ST3010	63.3000	RFQ	4739	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	ST3010	标准		TO-204AA（TO-3）	-	到达不受影响	150-ST3010	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	100 v	1.2 V @ 15 A		10 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	15a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²