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二极管（（34409）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT））
JANTX1N4980US Microchip Technology JANTX1N4980US 9.6150
RFQ
 ECAD 5883 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4980 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 62.2 V 82 v 80欧姆
JANTX1N4982US Microchip Technology JANTX1N4982US 12.7500
RFQ
 ECAD 5590 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4982 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 76 V 100 v 110欧姆
JANTX1N4983 Microchip Technology JANTX1N4983 8.9400
RFQ
 ECAD 9396 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4983 5 w 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 83.6 V 110 v 125欧姆
JANTX1N4983US Microchip Technology JANTX1N4983US -
RFQ
 ECAD 2145 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 在sic中停产 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 83.6 V 110 v 125欧姆
JANTX1N4984 Microchip Technology JANTX1N4984 15.0000
RFQ
 ECAD 3478 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4984 5 w 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 91.2 V 120 v 170欧姆
JANTX1N4986 Microchip Technology JANTX1N4986 13.9650
RFQ
 ECAD 7120 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4986 5 w 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 114 V 150 v 330欧姆
JANTX1N4986US Microchip Technology JANTX1N4986US -
RFQ
 ECAD 8058 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 在sic中停产 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 114 V 150 v 330欧姆
JANTX1N4987 Microchip Technology JANTX1N4987 13.6800
RFQ
 ECAD 4714 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4987 5 w 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 121.6 V 160 v 350欧姆
JANTX1N4987US Microchip Technology JANTX1N4987US 13.7250
RFQ
 ECAD 9417 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4987 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 121.6 V 160 v 350欧姆
JANTX1N4988 Microchip Technology JANTX1N4988 12.2850
RFQ
 ECAD 5440 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4988 5 w 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 136.8 V 180 v 450欧姆
JANTX1N4988US Microchip Technology JANTX1N4988US -
RFQ
 ECAD 1808年 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 在sic中停产 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 136.8 V 180 v 450欧姆
JANTX1N4989 Microchip Technology JANTX1N4989 12.1650
RFQ
 ECAD 2733 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4989 5 w 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 152 V 200 v 500欧姆
JANTX1N5418 Microchip Technology JANTX1N5418 6.3200
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/411 大部分 积极的 通过洞 B，轴向 1N5418 标准 B，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.5 V @ 9 A 150 ns 1 µA @ 400 V -65°C〜175°C 3a -
JANTX1N5418US Microchip Technology JANTX1N5418US 10.9950
RFQ
 ECAD 9935 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/411 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF，E 1N5418 标准 D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.5 V @ 9 A 150 ns 2 µA @ 400 V -65°C〜175°C 3a -
JANTX1N5420 Microchip Technology JANTX1N5420 9.7650
RFQ
 ECAD 5541 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/411 大部分 积极的 通过洞 B，轴向 1N5420 标准 B，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.5 V @ 9 A 400 ns 1 µA @ 600 V -65°C〜175°C 3a -
JANTX1N5552 Microchip Technology JANTX1N5552 5.9200
RFQ
 ECAD 1971年 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/420 大部分 积极的 通过洞 B，轴向 1N5552 标准 B，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.2 V @ 9 A 2 µs 1 µA @ 600 V -65°C〜175°C 5a -
JANTX1N5618 Microchip Technology JANTX1N5618 5.0000
RFQ
 ECAD 8211 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/427 大部分 积极的 通过洞 a，轴向 1N5618 标准 a，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.3 V @ 3 A 2 µs 500 NA @ 600 V -65°C 〜200°C 1a -
JANTX1N5620 Microchip Technology JANTX1N5620 5.9200
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/427 大部分 积极的 通过洞 a，轴向 1N5620 标准 a，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 800 v 1.3 V @ 3 A 2 µs 500 NA @ 800 V -65°C 〜200°C 1a -
JANTX1N5623 Microchip Technology JANTX1N5623 10.2450
RFQ
 ECAD 6198 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/429 大部分 积极的 通过洞 a，轴向 1N5623 标准 a，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1000 v 1.6 V @ 3 A 500 ns 500 NA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 12V，1MHz
JANTX1N5802US Microchip Technology JANTX1N5802U 17.3100
RFQ
 ECAD 6232 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/477 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF，a 1N5802 标准 D-5A 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 875 mv @ 1 a 25 ns 1 µA @ 50 V -65°C〜175°C 1a 25pf @ 10V，1MHz
JANTX1N5804US Microchip Technology JANTX1N5804US 8.4900
RFQ
 ECAD 3739 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/477 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF，a 1N5804 标准 D-5A 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 875 mv @ 1 a 25 ns 1 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 25pf @ 10V，1MHz
JANTX1N5809 Microchip Technology JANTX1N5809 7.4800
RFQ
 ECAD 8203 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/477 大部分 积极的 通过洞 B，轴向 1N5809 标准 B，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 875 mv @ 4 A 30 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 3a 60pf @ 10V，1MHz
CDLL5228A Microchip Technology CDLL5228A 2.8650
RFQ
 ECAD 3567 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf CDLL5228 10兆 do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 µA @ 1 V 3.9 v 23欧姆
CDLL5229 Microchip Technology CDLL5229 2.8650
RFQ
 ECAD 8049 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±20％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf CDLL5229 10兆 do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 1 V 4.3 v 22欧姆
CDLL5231A Microchip Technology CDLL5231A 2.8650
RFQ
 ECAD 3877 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf CDLL5231 10兆 do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 2 V 5.1 v 17欧姆
CDLL5231B Microchip Technology CDLL5231B 2.7300
RFQ
 ECAD 2932 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf CDLL5231 10兆 do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 2 V 5.1 v 17欧姆
CDLL5233A Microchip Technology CDLL5233A 2.8650
RFQ
 ECAD 2510 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf CDLL5233 10兆 do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3.5 V 6 V 7欧姆
CDLL5233B Microchip Technology CDLL5233B 3.5400
RFQ
 ECAD 7787 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf CDLL5233 10兆 do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3.5 V 6 V 7欧姆
CDLL5234 Microchip Technology CDLL5234 2.8650
RFQ
 ECAD 2957 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±20％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf CDLL5234 10兆 do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 4 V 6.2 v 7欧姆
CDLL5235B Microchip Technology CDLL5235B 2.8650
RFQ
 ECAD 7455 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf CDLL5235 10兆 do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 5 V 6.8 v 5欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

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