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![]() | JAN1N3045CUR-1/TR | 29.0339 | ![]() | 2991 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N3045CUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 83.6 V | 110 v | 450欧姆 | |||||||||
JANTXV1N4113C-1/TR | 20.6815 | ![]() | 8129 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N4113C-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 14.5 V | 19 v | 150欧姆 | ||||||||||
JANTXV1N4623-1/TR | 5.2535 | ![]() | 5958 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N4623-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 2 V | 4.3 v | 1600欧姆 | ||||||||||
1N4960DUS | 28.7147 | ![]() | 1986 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | D-5B | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N4960DUS | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 10 µA @ 9.1 V | 12 v | 2.5欧姆 | ||||||||||
JANS1N6634DUS/TR | - | ![]() | 7165 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | D-5B | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6634DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 175 µA @ 1 V | 3.9 v | 2欧姆 | ||||||||||
Jan1n5616us/tr | 7.4100 | ![]() | 8690 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/427 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 标准 | D-5A | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5616US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 NA @ 400 V | -65°C 〜200°C | 1a | - | ||||||||
![]() | 1N4370AE3/tr | 2.3807 | ![]() | 9689 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N4370AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 2.4 v | 30欧姆 | |||||||||
![]() | 1N4370A/TR | 3.4363 | ![]() | 6557 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N4370A/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | ||||||||||||||
![]() | 1N4626-1/tr | 2.4871 | ![]() | 6009 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500兆 | do-7 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N4626-1/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 5.2 V | 5.6 v | 1400欧姆 | |||||||||
![]() | CDLL942B/TR | 13.2150 | ![]() | 2367 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/157 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL942B/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 v | 30欧姆 | ||||||||||
![]() | JANTX1N4099UR-1/TR | 9.5627 | ![]() | 4062 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N4099UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 5.17 V | 6.8 v | 200欧姆 | |||||||||
![]() | JANS1N5969US/TR | - | ![]() | 1371 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | E,轴向 | E,轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N5969US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 1 mA @ 4.74 V | ||||||||||||||
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JANTX1N981BUR-1/TR | 5.5328 | ![]() | 6253 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N981 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N981BUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 52 V | 68 v | 230欧姆 | |||||||||
1N6625US/TR | 15.2250 | ![]() | 4502 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 标准 | A夫人 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6625US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1100 v | 1.75 V @ 1 A | 60 ns | 1 µA @ 1100 V | -65°C〜150°C | 1a | 10pf @ 10V,1MHz | ||||||||
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JANS1N4970US/TR | 86.8802 | ![]() | 8596 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | D-5B | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N4970US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 25.1 V | 33 V | 10欧姆 | ||||||||||
![]() | 1N4686/tr | 3.6575 | ![]() | 4237 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204aa,do-7,轴向 | 500兆 | DO-7(do-204AA) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N4686/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 2 V | 3.9 v | ||||||||||
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![]() | CD4692 | 2.3408 | ![]() | 3760 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | 死 | 500兆 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD4692 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 10 µA @ 5.1 V | 6.8 v | ||||||||||
1N829A-1E3/tr | 8.8800 | ![]() | 2391 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N829A-1E3/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 10欧姆 | |||||||||||
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![]() | JANTX1N4615UR-1/TR | 8.1662 | ![]() | 8637 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N4615UR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2.5 µA @ 1 V | 2 v | 1250欧姆 | ||||||||||
JAN1N4370C-1/TR | 6.7697 | ![]() | 2806 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N4370C-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 2.4 v | 30欧姆 | |||||||||||
![]() | CDLL4775A/TR | 19.5150 | ![]() | 2000 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜100°C | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL4775A/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 8.5 v | 200欧姆 | ||||||||||
![]() | CDLL966A/TR | 2.7132 | ![]() | 2297 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | 500兆 | do-213ab | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL966A/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 na @ 12 V | 16 V | 17欧姆 | |||||||||
JANTX1N5536C-1/TR | 17.4496 | ![]() | 3210 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5536C-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 14.4 V | 16 V | 100欧姆 |
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