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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CDLL5228A | 2.8650 | ![]() | 3567 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5228 | 10兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 23欧姆 | |||||||||
CDLL5229 | 2.8650 | ![]() | 8049 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±20% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5229 | 10兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 22欧姆 | |||||||||
CDLL5231A | 2.8650 | ![]() | 3877 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5231 | 10兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 17欧姆 | |||||||||
CDLL5231B | 2.7300 | ![]() | 2932 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5231 | 10兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 17欧姆 | |||||||||
CDLL5233A | 2.8650 | ![]() | 2510 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5233 | 10兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 3.5 V | 6 V | 7欧姆 | |||||||||
CDLL5233B | 3.5400 | ![]() | 7787 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5233 | 10兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 3.5 V | 6 V | 7欧姆 | |||||||||
CDLL5234 | 2.8650 | ![]() | 2957 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±20% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5234 | 10兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 v | 7欧姆 | |||||||||
CDLL5235B | 2.8650 | ![]() | 7455 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5235 | 10兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 3 µA @ 5 V | 6.8 v | 5欧姆 | |||||||||
CDLL4763A | 3.4650 | ![]() | 6524 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL4763 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 100 na @ 69.2 V | 91 v | 250欧姆 | ||||||||||
CDLL5222B | 2.8650 | ![]() | 4965 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5222 | 10兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 2.5 v | 30欧姆 | |||||||||
CDLL5223 | 2.8650 | ![]() | 6943 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±20% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5223 | 10兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 75 µA @ 1 V | 2.7 v | 30欧姆 | |||||||||
CDLL5223B | 2.8650 | ![]() | 8458 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5223 | 10兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 75 µA @ 1 V | 2.7 v | 30欧姆 | |||||||||
CDLL5224B | 2.8650 | ![]() | 6135 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5224 | 10兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 75 µA @ 1 V | 2.8 v | 30欧姆 | |||||||||
CDLL5226A | 2.8650 | ![]() | 4763 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5226 | 10兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 25 µA @ 1 V | 3.3 v | 28欧姆 | |||||||||
CDLL5226B | 2.8650 | ![]() | 2186 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5226 | 10兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 25 µA @ 1 V | 3.3 v | 28欧姆 | |||||||||
CDLL5236 | 2.8650 | ![]() | 4343 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±20% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5236 | 10兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 3 µA @ 6 V | 7.5 v | 6欧姆 | |||||||||
CDLL5238 | 2.8650 | ![]() | 3278 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±20% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5238 | 10兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 3 µA @ 6.5 V | 8.7 v | 8欧姆 | |||||||||
CDLL5238B | 2.8650 | ![]() | 4805 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5238 | 10兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 3 µA @ 6.5 V | 8.7 v | 8欧姆 | |||||||||
CDLL5239B | 2.8650 | ![]() | 7875 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5239 | 10兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 3 µA @ 7 V | 9.1 v | 10欧姆 | |||||||||
CDLL5242B | 3.2100 | ![]() | 112 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5242 | 10兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 9.1 V | 12 v | 30欧姆 | |||||||||
1月1N6621 | 11.2950 | ![]() | 1005 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/585 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 1N6621 | 标准 | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 440 v | 1.6 V @ 2 A | 30 ns | 500 NA @ 440 V | -65°C〜150°C | 2a | 10pf @ 10V,1MHz | |||||||
1月1N6622 | - | ![]() | 3179 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/585 | 大部分 | 在sic中停产 | 通过洞 | a,轴向 | 标准 | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 660 v | 1.6 V @ 2 A | 30 ns | 500 NA @ 660 V | -65°C〜150°C | 2a | 10pf @ 10V,1MHz | ||||||||
![]() | 1月1N6627 | 11.2950 | ![]() | 9400 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/590 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | E,轴向 | 1N6627 | 标准 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 440 v | 1.35 V @ 1.2 A | 30 ns | 2 µA @ 440 V | -65°C〜150°C | 1.75a | 40pf @ 10V,1MHz | |||||||
![]() | 1月1N6628 | 13.2600 | ![]() | 3026 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/590 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | E,轴向 | 1N6628 | 标准 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 660 v | 1.35 V @ 1.2 A | 30 ns | 2 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 1.75a | - | |||||||
![]() | 1月1N6631 | 13.2600 | ![]() | 7803 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/590 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | E,轴向 | 1N6631 | 标准 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1100 v | 1.6 V @ 1 A | 60 ns | 2 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 1.4a | - | |||||||
![]() | JAN1N6642U | 7.7800 | ![]() | 5654 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/578 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,d | 1N6642 | 标准 | D-5D | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 75 v | 1.2 V @ 100 ma | 5 ns | 500 NA @ 75 V | -65°C〜175°C | 300mA | - | ||||||
1月1N823-1 | - | ![]() | 4491 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/159 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 15欧姆 | |||||||||||
![]() | 1月1N823UR-1 | 4.8300 | ![]() | 7955 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/159 | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 表面安装 | do-213aa | 1N823 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 15欧姆 | |||||||||
1月1N825-1 | 3.9750 | ![]() | 4322 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/159 | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N825 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 15欧姆 | ||||||||||
![]() | 1月1N825UR-1 | 5.6400 | ![]() | 5432 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/159 | 大部分 | 积极的 | ±5% | - | 表面安装 | do-213aa | 1N825 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 v | 15欧姆 |
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