电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JANTX1N4957US | 9.6150 | ![]() | 6392 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4957 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 25 µA @ 6.9 V | 9.1 v | 2欧姆 | |||||||||
JANTX1N4962US | 9.2100 | ![]() | 1518年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4962 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 5 µA @ 11.4 V | 15 v | 3.5欧姆 | |||||||||
JANTX1N4963 | 6.1650 | ![]() | 6615 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4963 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 5 µA @ 12.2 V | 16 V | 3.5欧姆 | ||||||||||
JANTX1N4965 | 6.8700 | ![]() | 4002 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4965 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 15.2 V | 20 v | 4.5欧姆 | ||||||||||
JANTX1N4966US | 9.6150 | ![]() | 5474 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4966 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 16.7 V | 22 v | 5欧姆 | |||||||||
JANTX1N4967 | 7.2000 | ![]() | 3885 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4967 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 18.2 V | 24 V | 5欧姆 | ||||||||||
JANTX1N4971 | 6.3000 | ![]() | 1402 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4971 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 27.4 V | 36 V | 11欧姆 | ||||||||||
JANTX1N4978 | 7.2150 | ![]() | 8294 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4978 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 51.7 V | 68 v | 50欧姆 | ||||||||||
JANTX1N4978US | 9.6150 | ![]() | 2259 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4978 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 51.7 V | 68 v | 50欧姆 | |||||||||
JANTX1N4980US | 9.6150 | ![]() | 5883 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4980 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 62.2 V | 82 v | 80欧姆 | |||||||||
JANTX1N4982US | 12.7500 | ![]() | 5590 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4982 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 76 V | 100 v | 110欧姆 | |||||||||
JANTX1N4983 | 8.9400 | ![]() | 9396 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4983 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 83.6 V | 110 v | 125欧姆 | ||||||||||
JANTX1N4983US | - | ![]() | 2145 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 83.6 V | 110 v | 125欧姆 | ||||||||||
JANTX1N4984 | 15.0000 | ![]() | 3478 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4984 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 91.2 V | 120 v | 170欧姆 | ||||||||||
JANTX1N4986 | 13.9650 | ![]() | 7120 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4986 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 114 V | 150 v | 330欧姆 | ||||||||||
JANTX1N4986US | - | ![]() | 8058 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 114 V | 150 v | 330欧姆 | ||||||||||
JANTX1N4987 | 13.6800 | ![]() | 4714 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4987 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 121.6 V | 160 v | 350欧姆 | ||||||||||
JANTX1N4987US | 13.7250 | ![]() | 9417 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4987 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 121.6 V | 160 v | 350欧姆 | |||||||||
JANTX1N4988 | 12.2850 | ![]() | 5440 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4988 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 136.8 V | 180 v | 450欧姆 | ||||||||||
JANTX1N4988US | - | ![]() | 1808年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 136.8 V | 180 v | 450欧姆 | ||||||||||
JANTX1N4989 | 12.1650 | ![]() | 2733 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/356 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4989 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 152 V | 200 v | 500欧姆 | ||||||||||
![]() | JANTX1N5418 | 6.3200 | ![]() | 34 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/411 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | B,轴向 | 1N5418 | 标准 | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.5 V @ 9 A | 150 ns | 1 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||||
JANTX1N5418US | 10.9950 | ![]() | 9935 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/411 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N5418 | 标准 | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.5 V @ 9 A | 150 ns | 2 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||
![]() | JANTX1N5420 | 9.7650 | ![]() | 5541 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/411 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | B,轴向 | 1N5420 | 标准 | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.5 V @ 9 A | 400 ns | 1 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||||
![]() | JANTX1N5552 | 5.9200 | ![]() | 1971年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/420 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | B,轴向 | 1N5552 | 标准 | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.2 V @ 9 A | 2 µs | 1 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 5a | - | ||||||
![]() | JANTX1N5618 | 5.0000 | ![]() | 8211 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/427 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 1N5618 | 标准 | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 NA @ 600 V | -65°C 〜200°C | 1a | - | ||||||
JANTX1N5620 | 5.9200 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/427 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 1N5620 | 标准 | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 NA @ 800 V | -65°C 〜200°C | 1a | - | |||||||
![]() | JANTX1N5623 | 10.2450 | ![]() | 6198 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/429 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 1N5623 | 标准 | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.6 V @ 3 A | 500 ns | 500 NA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 12V,1MHz | ||||||
JANTX1N5802U | 17.3100 | ![]() | 6232 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/477 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N5802 | 标准 | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 875 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | 25pf @ 10V,1MHz | |||||||
JANTX1N5804US | 8.4900 | ![]() | 3739 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/477 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N5804 | 标准 | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 875 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 25pf @ 10V,1MHz |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库