SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
JANTX1N4957US Microchip Technology JANTX1N4957US 9.6150
RFQ
ECAD 6392 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 1N4957 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 25 µA @ 6.9 V 9.1 v 2欧姆
JANTX1N4962US Microchip Technology JANTX1N4962US 9.2100
RFQ
ECAD 1518年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 1N4962 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5 µA @ 11.4 V 15 v 3.5欧姆
JANTX1N4963 Microchip Technology JANTX1N4963 6.1650
RFQ
ECAD 6615 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4963 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5 µA @ 12.2 V 16 V 3.5欧姆
JANTX1N4965 Microchip Technology JANTX1N4965 6.8700
RFQ
ECAD 4002 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4965 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 15.2 V 20 v 4.5欧姆
JANTX1N4966US Microchip Technology JANTX1N4966US 9.6150
RFQ
ECAD 5474 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 1N4966 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 16.7 V 22 v 5欧姆
JANTX1N4967 Microchip Technology JANTX1N4967 7.2000
RFQ
ECAD 3885 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4967 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 18.2 V 24 V 5欧姆
JANTX1N4971 Microchip Technology JANTX1N4971 6.3000
RFQ
ECAD 1402 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4971 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 27.4 V 36 V 11欧姆
JANTX1N4978 Microchip Technology JANTX1N4978 7.2150
RFQ
ECAD 8294 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4978 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 51.7 V 68 v 50欧姆
JANTX1N4978US Microchip Technology JANTX1N4978US 9.6150
RFQ
ECAD 2259 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 1N4978 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 51.7 V 68 v 50欧姆
JANTX1N4980US Microchip Technology JANTX1N4980US 9.6150
RFQ
ECAD 5883 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 1N4980 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 62.2 V 82 v 80欧姆
JANTX1N4982US Microchip Technology JANTX1N4982US 12.7500
RFQ
ECAD 5590 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 1N4982 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 76 V 100 v 110欧姆
JANTX1N4983 Microchip Technology JANTX1N4983 8.9400
RFQ
ECAD 9396 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4983 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 83.6 V 110 v 125欧姆
JANTX1N4983US Microchip Technology JANTX1N4983US -
RFQ
ECAD 2145 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 83.6 V 110 v 125欧姆
JANTX1N4984 Microchip Technology JANTX1N4984 15.0000
RFQ
ECAD 3478 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4984 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 91.2 V 120 v 170欧姆
JANTX1N4986 Microchip Technology JANTX1N4986 13.9650
RFQ
ECAD 7120 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4986 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 114 V 150 v 330欧姆
JANTX1N4986US Microchip Technology JANTX1N4986US -
RFQ
ECAD 8058 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 114 V 150 v 330欧姆
JANTX1N4987 Microchip Technology JANTX1N4987 13.6800
RFQ
ECAD 4714 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4987 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 121.6 V 160 v 350欧姆
JANTX1N4987US Microchip Technology JANTX1N4987US 13.7250
RFQ
ECAD 9417 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 1N4987 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 121.6 V 160 v 350欧姆
JANTX1N4988 Microchip Technology JANTX1N4988 12.2850
RFQ
ECAD 5440 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4988 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 136.8 V 180 v 450欧姆
JANTX1N4988US Microchip Technology JANTX1N4988US -
RFQ
ECAD 1808年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 136.8 V 180 v 450欧姆
JANTX1N4989 Microchip Technology JANTX1N4989 12.1650
RFQ
ECAD 2733 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4989 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 152 V 200 v 500欧姆
JANTX1N5418 Microchip Technology JANTX1N5418 6.3200
RFQ
ECAD 34 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/411 大部分 积极的 通过洞 B,轴向 1N5418 标准 B,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.5 V @ 9 A 150 ns 1 µA @ 400 V -65°C〜175°C 3a -
JANTX1N5418US Microchip Technology JANTX1N5418US 10.9950
RFQ
ECAD 9935 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/411 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF,E 1N5418 标准 D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.5 V @ 9 A 150 ns 2 µA @ 400 V -65°C〜175°C 3a -
JANTX1N5420 Microchip Technology JANTX1N5420 9.7650
RFQ
ECAD 5541 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/411 大部分 积极的 通过洞 B,轴向 1N5420 标准 B,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.5 V @ 9 A 400 ns 1 µA @ 600 V -65°C〜175°C 3a -
JANTX1N5552 Microchip Technology JANTX1N5552 5.9200
RFQ
ECAD 1971年 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/420 大部分 积极的 通过洞 B,轴向 1N5552 标准 B,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.2 V @ 9 A 2 µs 1 µA @ 600 V -65°C〜175°C 5a -
JANTX1N5618 Microchip Technology JANTX1N5618 5.0000
RFQ
ECAD 8211 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/427 大部分 积极的 通过洞 a,轴向 1N5618 标准 a,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.3 V @ 3 A 2 µs 500 NA @ 600 V -65°C 〜200°C 1a -
JANTX1N5620 Microchip Technology JANTX1N5620 5.9200
RFQ
ECAD 25 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/427 大部分 积极的 通过洞 a,轴向 1N5620 标准 a,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.3 V @ 3 A 2 µs 500 NA @ 800 V -65°C 〜200°C 1a -
JANTX1N5623 Microchip Technology JANTX1N5623 10.2450
RFQ
ECAD 6198 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/429 大部分 积极的 通过洞 a,轴向 1N5623 标准 a,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.6 V @ 3 A 500 ns 500 NA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 12V,1MHz
JANTX1N5802US Microchip Technology JANTX1N5802U 17.3100
RFQ
ECAD 6232 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/477 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF,a 1N5802 标准 D-5A 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 875 mv @ 1 a 25 ns 1 µA @ 50 V -65°C〜175°C 1a 25pf @ 10V,1MHz
JANTX1N5804US Microchip Technology JANTX1N5804US 8.4900
RFQ
ECAD 3739 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/477 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF,a 1N5804 标准 D-5A 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 875 mv @ 1 a 25 ns 1 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 25pf @ 10V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库