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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTXV1N4967CUS	40.8900	RFQ	9819	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4967CUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 18.2 V				24 V	5欧姆
CDS5190	-	RFQ	8735	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-CDS5190			50
CD5234	1.6350	RFQ	7606	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-CD5234	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V				6.2 v	7欧姆
S50460T	158.8200	RFQ	6981	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	-	到达不受影响	150-S50460TS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.25 V @ 1000 A		75 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	300A	-
JANS1N6635	-	RFQ	7528	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	到达不受影响	150-JANS1N6635	Ear99	8541.10.0050	50					1.5 V @ 1 A		25 µA @ 1 V				4.3 v	2欧姆
S3615	61.1550	RFQ	3969	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-S3615			1
CD041B-1	-	RFQ	7228	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-CDS3041B-1	Ear99	8541.10.0050	50
CDS4454-1	-	RFQ	1496年	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-CDS4454-1			50
Janhca1n5536d	-	RFQ	1976年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-Janhca1n5536d	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 14.4 V				16 V	100欧姆
Janhca1n5545c	-	RFQ	6822	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-Janhca1n5545c	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 27 V				30 V	100欧姆
1N5078	23.4000	RFQ	7080	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	轴向			3 W	轴向	-	到达不受影响	150-1N5078	Ear99	8541.10.0050	1							1 µA @ 25.1 V				33 V	21欧姆
R3280	49.0050	RFQ	2713	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-R3280			1
JANTXV1N4470CUS	45.1350	RFQ	2448	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4470CUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 na @ 12.8 V				16 V	10欧姆
1N5523	1.8150	RFQ	4433	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5523	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V				5.1 v
1N2466	74.5200	RFQ	7525	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载	到达不受影响	150-1N2466	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		500 v		1.25 V @ 200 A		25 µA @ 500 V	-65°C 〜200°C	70a	-
JANTX1N6348D	39.7950	RFQ	4900	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANTX1N6348D	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 76 V				100 v	340欧姆
UFT3010D	62.1000	RFQ	7233	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3		标准		TO-204AA（TO-3）	-	到达不受影响	150-UFT3010D	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对系列连接	100 v	30a	930 MV @ 15 A	35 ns	15 µA @ 100 V	-65°C〜175°C
Jan1n6633us	-	RFQ	3357	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-	到达不受影响	150-JAN1N6633US	Ear99	8541.10.0050	50					1.5 V @ 1 A		250 µA @ 1 V				3.6 v	2.5欧姆
UZ5226	32.2650	RFQ	8655	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-	到达不受影响	150-UZ5226	Ear99	8541.10.0050	1							5 µA @ 187 V				260 v	750欧姆
CD4733	2.0700	RFQ	6584	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死			1 w	死	-	到达不受影响	150-CD4733	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				5.1 v	7欧姆
JANS1N6346C	358.7400	RFQ	8368	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANS1N6346C	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 62 V				82 v	220欧姆
1N4567AE3	4.0800	RFQ	4162	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	到达不受影响	150-1N4567AE3	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
JAN1N6321DUS	38.2200	RFQ	2257	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JAN1N6321DUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		2 µA @ 5 V				7.5 v	4欧姆
S3605	61.1550	RFQ	2146	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-S3605			1
CDLL5542C	12.1950	RFQ	9478	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5542C	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 21.6 V				24 V	100欧姆
1N2793	74.5200	RFQ	3776	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载	到达不受影响	150-1N2793	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		50 V		1.19 V @ 90 A	5 µs	10 µA @ 50 V	-65°C 〜200°C	5a	-
1N6320C	18.6900	RFQ	3419	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N6320C	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		2 µA @ 4 V				6.8 v	3欧姆
SBR2520	46.5900	RFQ	1111	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	SBR25	肖特基		DO-4（do-203AA）	-	到达不受影响	150-SBR2520	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		20 v		1 V @ 25 A		350 µA @ 20 V	-	25a	-
JAN1N6327CUS	63.7050	RFQ	8623	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JAN1N6327CUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 9.9 V				13 V	8欧姆
JANTX1N6340DUS	57.9000	RFQ	5365	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JANTX1N6340DUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 36 V				47 V	75欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²