SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
JANTXV1N4967US Microchip Technology JANTXV1N4967US 15.9750
RFQ
ECAD 8427 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 1N4967 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 18.2 V 24 V 5欧姆
JANTXV1N4968US Microchip Technology JANTXV1N4968US 15.9750
RFQ
ECAD 7753 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 1N4968 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 20.6 V 27 V 7欧姆
JANTXV1N4969 Microchip Technology JANTXV1N4969 -
RFQ
ECAD 2742 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 22.8 V 30 V 8欧姆
JANTXV1N4973US Microchip Technology JANTXV1N4973US 15.9750
RFQ
ECAD 5739 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 1N4973 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 32.7 V 43 V 21欧姆
JANTXV1N4977 Microchip Technology JANTXV1N4977 7.6500
RFQ
ECAD 2480 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4977 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 47.1 V 62 v 42欧姆
JANTXV1N4980 Microchip Technology JANTXV1N4980 -
RFQ
ECAD 8399 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 62.2 V 82 v 80欧姆
JANTXV1N4980US Microchip Technology JANTXV1N4980US -
RFQ
ECAD 2351 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 62.2 V 82 v 80欧姆
JANTXV1N4982 Microchip Technology JANTXV1N4982 -
RFQ
ECAD 3762 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 76 V 100 v 110欧姆
JANTXV1N4984 Microchip Technology JANTXV1N4984 -
RFQ
ECAD 5821 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 91.2 V 120 v 170欧姆
JANTXV1N4984US Microchip Technology JANTXV1N4984US 19.9200
RFQ
ECAD 2658 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 1N4984 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 91.2 V 120 v 170欧姆
JANTXV1N4986 Microchip Technology JANTXV1N4986 19.9650
RFQ
ECAD 4351 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 E,轴向 1N4986 5 w 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 114 V 150 v 330欧姆
JANTXV1N4989US Microchip Technology JANTXV1N4989US 21.2100
RFQ
ECAD 6240 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 1N4989 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 152 V 200 v 500欧姆
JANTXV1N5416US Microchip Technology JANTXV1N5416US 12.9600
RFQ
ECAD 3344 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/411 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF,E 1N5416 标准 D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.5 V @ 9 A 150 ns 1 µA @ 100 V -65°C〜175°C 3a -
JANTXV1N5420 Microchip Technology JANTXV1N5420 18.7500
RFQ
ECAD 4434 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/411 大部分 积极的 通过洞 B,轴向 1N5420 标准 B,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.5 V @ 9 A 250 ns 1 µA @ 600 V -65°C〜175°C 3a -
JANTXV1N5420US Microchip Technology JANTXV1N5420U 22.4850
RFQ
ECAD 4955 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/411 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF,E 1N5420 标准 D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.5 V @ 9 A 400 ns 1 µA @ 600 V -65°C〜175°C 3a -
JANTXV1N5553 Microchip Technology JANTXV1N5553 14.2200
RFQ
ECAD 6947 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/420 大部分 积极的 通过洞 B,轴向 1N5553 标准 B,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.3 V @ 9 A 2 µs 1 µA @ 800 V -65°C〜175°C 5a -
JANTXV1N5554 Microchip Technology JANTXV1N5554 11.4300
RFQ
ECAD 1097 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/420 大部分 积极的 通过洞 B,轴向 1N5554 标准 B,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.3 V @ 9 A 2 µs 1 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 5a -
JANTXV1N5619 Microchip Technology JANTXV1N5619 9.4200
RFQ
ECAD 9158 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/429 大部分 积极的 通过洞 a,轴向 1N5619 标准 a,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.6 V @ 3 A 250 ns 500 NA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 25pf @ 12V,1MHz
JANTXV1N5620 Microchip Technology JANTXV1N5620 8.0400
RFQ
ECAD 4848 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/427 大部分 积极的 通过洞 a,轴向 1N5620 标准 a,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.3 V @ 3 A 2 µs 500 NA @ 800 V -65°C 〜200°C 1a -
JANTXV1N5621US Microchip Technology JANTXV1N5621US -
RFQ
ECAD 7900 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/429 大部分 在sic中停产 表面安装 SQ-MELF,a 标准 D-5A 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.6 V @ 3 A 300 ns 500 NA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 20pf @ 12v,1MHz
JANTXV1N5802 Microchip Technology JANTXV1N5802 -
RFQ
ECAD 6284 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/477 大部分 在sic中停产 通过洞 a,轴向 标准 a,轴向 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 875 mv @ 1 a 25 ns 1 µA @ 50 V -65°C〜175°C 1a 25pf @ 10V,1MHz
JANTX1N6621US Microchip Technology JANTX1N6621US 14.4600
RFQ
ECAD 9978 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/585 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF,a 1N6621 标准 D-5A 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 440 v 1.4 V @ 1.2 A 30 ns 500 NA @ 440 V -65°C〜150°C 2a 10pf @ 10V,1MHz
JANTX1N6622 Microchip Technology JANTX1N6622 19.8150
RFQ
ECAD 7681 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/585 大部分 积极的 通过洞 a,轴向 1N6622 标准 a,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 660 v 1.4 V @ 1.2 A 30 ns 500 NA @ 660 V -65°C〜150°C 2a 10pf @ 10V,1MHz
JANTX1N6622US Microchip Technology JANTX1N6622U 15.0300
RFQ
ECAD 8689 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/585 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF,a 1N6622 标准 D-5A 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 660 v 1.4 V @ 1.2 A 30 ns 500 NA @ 660 V -65°C〜150°C 2a 10pf @ 10V,1MHz
JANTX1N6624 Microchip Technology JANTX1N6624 17.0400
RFQ
ECAD 3086 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/585 大部分 积极的 通过洞 a,轴向 1N6624 标准 a,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 990 v 1.55 V @ 1 A 50 ns 500 NA @ 990 V -65°C〜150°C 1a 10pf @ 10V,1MHz
JANTX1N6626 Microchip Technology JANTX1N6626 15.3600
RFQ
ECAD 9297 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/590 大部分 积极的 通过洞 E,轴向 1N6626 标准 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 220 v 1.35 V @ 2 A 30 ns 2 µA @ 220 V -65°C〜150°C 1.75a 40pf @ 10V,1MHz
JANTX1N6642U Microchip Technology JANTX1N6642U 7.2750
RFQ
ECAD 6568 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/578 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF,E 1N6642 标准 D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 75 v 1.2 V @ 100 ma 20 ns 500 NA @ 75 V -65°C〜175°C 300mA 5pf @ 0v,1MHz
JANTX1N4246 Microchip Technology JANTX1N4246 4.6050
RFQ
ECAD 8496 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/286 大部分 积极的 通过洞 a,轴向 1N4246 标准 a,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.3 V @ 3 A 5 µs 1 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a -
JANTX1N4942 Microchip Technology JANTX1N4942 5.3550
RFQ
ECAD 7166 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/359 大部分 积极的 通过洞 a,轴向 1N4942 标准 a,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 1 µA @ 200 V -65°C〜175°C 1a -
JANTX1N4955US Microchip Technology JANTX1N4955US 10.2150
RFQ
ECAD 4749 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,E 1N4955 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 100 µA @ 5.7 V 7.5 v 1.5欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库