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二极管（（34409）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT））
1N2983A Microchip Technology 1N2983A 36.9900
RFQ
 ECAD 9509 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N2983 10 W do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 14 V 19 v 4欧姆
1N2983RB Microchip Technology 1N2983RB -
RFQ
 ECAD 3810 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 ±5％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N2983 10 W do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 14 V 19 v 4欧姆
1N2985A Microchip Technology 1N2985A 36.9900
RFQ
 ECAD 9311 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N2985 10 W do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 16.7 V 22 v 5欧姆
1N2985RB Microchip Technology 1N2985RB 40.3200
RFQ
 ECAD 6864 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N2985 10 W do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 16.7 V 22 v 5欧姆
1N2986A Microchip Technology 1N2986A 36.9900
RFQ
 ECAD 1996 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N2986 10 W do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 18.2 V 24 V 5欧姆
1N2988A Microchip Technology 1N2988A 36.9900
RFQ
 ECAD 9743 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N2988 10 W do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 20.6 V 27 V 7欧姆
1N2989RB Microchip Technology 1N2989RB 40.3200
RFQ
 ECAD 3823 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N2989 10 W do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 22.8 V 30 V 8欧姆
1N2992B Microchip Technology 1N2992B -
RFQ
 ECAD 7563 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 ±5％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N2992 10 W do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 29.7 V 39 v 11欧姆
1N2992RB Microchip Technology 1N2992RB 40.3200
RFQ
 ECAD 3199 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N2992 10 W do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 29.7 V 39 v 11欧姆
1N2993RB Microchip Technology 1N2993RB 40.3200
RFQ
 ECAD 4024 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N2993 10 W do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 32.7 V 43 V 12欧姆
1N2994A Microchip Technology 1N2994A 36.9900
RFQ
 ECAD 8046 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N2994 10 W do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 33 V 45 v 13欧姆
1N2996B Microchip Technology 1N2996B -
RFQ
 ECAD 1776年 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 ±5％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N2996 10 W do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 2266-1N2996B Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 36 V 50 V 15欧姆
1N2997A Microchip Technology 1N2997A 36.9900
RFQ
 ECAD 6640 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N2997 10 W do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 38.8 V 51 v 15欧姆
1N2998B Microchip Technology 1N2998B 36.9900
RFQ
 ECAD 6182 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N2998 10 W do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 39 V 52 v 15欧姆
1N2999A Microchip Technology 1N2999A 36.9900
RFQ
 ECAD 3825 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N2999 10 W do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 42.6 V 56 v 16欧姆
JANTXV1N6620 Microchip Technology JANTXV1N6620 13.1100
RFQ
 ECAD 5007 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/585 大部分 积极的 通过洞 a，轴向 1N6620 标准 a，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 220 v 1.4 V @ 1.2 A 30 ns 500 NA @ 220 V -65°C〜150°C 1.2a -
JANTXV1N6621US Microchip Technology JANTXV1N6621US 18.1050
RFQ
 ECAD 1180 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/585 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF，a 1N6621 标准 D-5A 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 440 v 1.4 V @ 1.2 A 30 ns 500 NA @ 440 V -65°C〜150°C 1.2a -
JANTXV1N6623US Microchip Technology JANTXV1N6623US 18.1050
RFQ
 ECAD 4862 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/585 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF，a 1N6623 标准 D-5A 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 880 v 1.55 V @ 1 A 50 ns 500 NA @ 880 V -65°C〜150°C 1a -
JANTXV1N6626 Microchip Technology JANTXV1N6626 21.3000
RFQ
 ECAD 8573 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/590 大部分 积极的 通过洞 E，轴向 1N6626 标准 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 220 v 1.35 V @ 2 A 30 ns 2 µA @ 220 V -65°C〜150°C 1.75a 40pf @ 10V，1MHz
JANTXV1N823-1 Microchip Technology JANTXV1N823-1 -
RFQ
 ECAD 7188 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/159 大部分 在sic中停产 ±5％ - 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 6.2 v 15欧姆
JANTXV1N4247 Microchip Technology JANTXV1N4247 8.9100
RFQ
 ECAD 6508 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/286 大部分 积极的 通过洞 a，轴向 1N4247 标准 a，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 600 v 1.3 V @ 3 A 5 µs 1 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a -
JANTXV1N4946 Microchip Technology JANTXV1N4946 13.7700
RFQ
 ECAD 6070 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/359 大部分 积极的 通过洞 a，轴向 1N4946 标准 a，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.3 V @ 1 A 250 ns 1 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 25pf @ 12V，1MHz
JANTXV1N4955US Microchip Technology JANTXV1N4955US 13.2150
RFQ
 ECAD 6158 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4955 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 100 µA @ 5.7 V 7.5 v 1.5欧姆
JANTXV1N4957US Microchip Technology JANTXV1N4957US 16.1250
RFQ
 ECAD 9414 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4957 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 25 µA @ 6.9 V 9.1 v 2欧姆
JANTXV1N4958 Microchip Technology JANTXV1N4958 -
RFQ
 ECAD 6715 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 在sic中停产 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 5 w 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 25 µA @ 7.6 V 10 v 2欧姆
JANTXV1N4958US Microchip Technology JANTXV1N4958US 15.9750
RFQ
 ECAD 7549 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4958 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 25 µA @ 7.6 V 10 v 2欧姆
JANTXV1N4961US Microchip Technology JANTXV1N4961US 15.9750
RFQ
 ECAD 3410 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4961 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 10 µA @ 9.9 V 13 V 3欧姆
JANTXV1N4965US Microchip Technology JANTXV1N4965US 15.9750
RFQ
 ECAD 7720 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4965 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 15.2 V 20 v 4.5欧姆
JANTXV1N4966US Microchip Technology JANTXV1N4966US 15.9750
RFQ
 ECAD 7203 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，E 1N4966 5 w D-5B 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 16.7 V 22 v 5欧姆
JANTXV1N4967 Microchip Technology JANTXV1N4967 8.3700
RFQ
 ECAD 4242 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4967 5 w 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 18.2 V 24 V 5欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

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