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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANS1N5619US/TR	78.0150	RFQ	6097	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		a，平方米	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5619US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.6 V @ 3 A	250 ns		-65°C〜175°C	1a	-
JANTX1N6873UTK2CS/TR	413.4000	RFQ	1677年	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-JANTX1N6873UTK2CS/TR			100
1N2128R	74.5200	RFQ	8389	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准，反极性		DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N2128R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	50 V	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 50 V	-65°C 〜200°C	70a	-
JANTX1N759DUR-1	17.8950	RFQ	8669	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N759		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9 V				12 v	30欧姆
CDLL985B/TR	2.7664	RFQ	8945	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL985B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 76 V				100 v	500欧姆
1 PMT4116CE3/TR13	0.4950	RFQ	5482	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18.25 V				24 V	150欧姆
1N6012D	5.1900	RFQ	3546	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6012		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 25 V				33 V	88欧姆
UPR40E3/TR7	1.0650	RFQ	9061	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPR40	标准		Powermite	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.25 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	2a	-
1N5373BE3/TR8	2.6850	RFQ	1221	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5373		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 49 V				68 v	44欧姆
1N4150UBCA	25.3950	RFQ	7132	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅		标准		UBC	下载			到达不受影响	150-1N4150UBCA	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	50 V	1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	200mA	2.5pf @ 0v，1MHz
JANTX1N5620	5.9200	RFQ	25	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/427	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5620	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	1.3 V @ 3 A	2 µs	500 NA @ 800 V	-65°C 〜200°C	1a	-
1n6320us/tr	13.9916	RFQ	7057	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6320US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		2 µA @ 4 V				6.8 v	3欧姆
SMBJ5926BE3/TR13	0.8850	RFQ	4404	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5926		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	5.5欧姆
SMBJ4762AE3/TR13	0.4350	RFQ	9031	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4762		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 62.2 V				82 v	200欧姆
Jan1n3021bur-1/tr	11.4247	RFQ	8242	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3021BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 8.4 V				11 V	8欧姆
Jan1n6353us	-	RFQ	8900	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 122 V				151 v	1200欧姆
CDLL5274A/TR	3.7800	RFQ	9586	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa				do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5274A/TR	Ear99	8541.10.0050	250			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 94 V				130 v	1100欧姆
1N3274	151.2750	RFQ	7893	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3274	标准		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3274MS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1200 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 1200 V	-65°C 〜190°C	275a	-
1N3038B-1/TR	8.3700	RFQ	3626	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N3038		1 w	do-41	下载			到达不受影响	150-1N3038B-1/tr	Ear99	8541.10.0050	113			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 42.6 V				56 v	110欧姆
1N4697-1	4.8300	RFQ	9109	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	150-1N4697-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 7.6 V				10 v
JANS1N4966DUS	460.2000	RFQ	3241	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 16.7 V				22 v	5欧姆
1N3271	151.2750	RFQ	7103	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3271	标准		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3271MS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 800 V	-65°C 〜190°C	275a	-
JANTXV1N3340RB	-	RFQ	9747	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 76 V				100 v	20欧姆
1N4699E3	4.1250	RFQ	4037	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N4699E3	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.1 V				12 v
CD5359B	5.0274	RFQ	9088	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	死			5 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5359B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		500 na @ 18.2 V				24 V	3.5欧姆
1N2972RB	-	RFQ	6032	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2972		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		50 µA @ 6.2 V				8.2 v	1.5欧姆
1N825AE3/tr	4.4550	RFQ	9836	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N825AE3/tr	Ear99	8541.10.0050	212					2 µA @ 3 V				6.2 v	10欧姆
JANTX1N972DUR-1	19.4700	RFQ	1865年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N972		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 23 V				30 V	49欧姆
CDLL4684/tr	3.0989	RFQ	4259	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4684/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		7.5 µA @ 1.5 V				3.3 v
1N4746APE3/TR12	0.9450	RFQ	9641	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4746		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 13.7 V				18 V	20欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²