SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
1N3312A Microchip Technology 1N3312A 49.3800
RFQ
ECAD 5469 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C〜175°C 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3312 50 W do-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 9.9 V 13 V 1.1欧姆
1N3313RA Microchip Technology 1N3313RA 49.3800
RFQ
ECAD 4630 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C〜175°C 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3313 50 W do-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 11.4 V 14 V 1.2欧姆
1N3314RA Microchip Technology 1N3314RA 49.3800
RFQ
ECAD 3071 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C〜175°C 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3314 50 W do-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 11.4 V 15 v 1.4欧姆
1N3314RB Microchip Technology 1N3314RB 49.3800
RFQ
ECAD 2919 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3314 50 W do-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 11.4 V 15 v 1.4欧姆
1N3315A Microchip Technology 1N3315A 49.3800
RFQ
ECAD 1390 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C〜175°C 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3315 50 W do-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 12.2 V 16 V 1.6欧姆
1N3316A Microchip Technology 1N3316A 49.3800
RFQ
ECAD 5825 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C〜175°C 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3316 50 W do-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 13 V 17 V 1.8欧姆
1N3316RA Microchip Technology 1N3316RA 49.3800
RFQ
ECAD 2400 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C〜175°C 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3316 50 W do-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 13 V 17 V 1.8欧姆
1N3321B Microchip Technology 1N3321B 49.3800
RFQ
ECAD 5821 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3321 50 W do-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 18.2 V 24 V 2.6欧姆
1N3322A Microchip Technology 1N3322A 49.3800
RFQ
ECAD 8236 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C〜175°C 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3322 50 W do-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 18.2 V 25 v 2.7欧姆
1N3322B Microchip Technology 1N3322B -
RFQ
ECAD 1401 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3322 50 W do-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 18.2 V 25 v 2.7欧姆
1N3322RB Microchip Technology 1N332222RB -
RFQ
ECAD 1242 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3322 50 W do-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 18.2 V 25 v 2.7欧姆
1N3323RA Microchip Technology 1N3323RA 49.3800
RFQ
ECAD 5221 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C〜175°C 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3323 50 W do-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 20.6 V 27 V 2.8欧姆
1N3323RB Microchip Technology 1N3323RB 49.3800
RFQ
ECAD 8079 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3323 50 W do-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 20.6 V 27 V 2.8欧姆
1N3324A Microchip Technology 1N3324A 49.3800
RFQ
ECAD 4916 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C〜175°C 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3324 50 W do-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 22.8 V 30 V 3欧姆
1N3326B Microchip Technology 1N3326B -
RFQ
ECAD 7365 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3326 50 W do-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 27.4 V 36 V 3.5欧姆
1N3328B Microchip Technology 1N3328B 49.3800
RFQ
ECAD 6893 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N3328 50 W do-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 32.7 V 43 V 4.5欧姆
1N2806B Microchip Technology 1N2806B 94.8900
RFQ
ECAD 2790 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 to-204ad 1N2806 50 W TO-204AD(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 50 µA @ 5.4 V 8.2 v 0.4欧姆
1N2807A Microchip Technology 1N2807A 94.8900
RFQ
ECAD 8900 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C〜175°C 通过洞 to-204ad 1N2807 50 W TO-204AD(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 25 µA @ 6.1 V 9.1 v 0.5欧姆
1N2807RB Microchip Technology 1N2807RB 96.0150
RFQ
ECAD 6745 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 to-204ad 1N2807 50 W TO-204AD(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 25 µA @ 6.1 V 9.1 v 0.5欧姆
1N2808RB Microchip Technology 1N2808RB 96.0150
RFQ
ECAD 3932 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 to-204ad 1N2808 50 W TO-204AD(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 25 µA @ 6.7 V 10 v 0.6欧姆
1N2809B Microchip Technology 1N2809B 94.8900
RFQ
ECAD 4281 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 to-204ad 1N2809 50 W TO-204AD(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 8.4 V 11 V 0.8欧姆
1N2810B Microchip Technology 1N2810B 94.8900
RFQ
ECAD 2902 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 to-204ad 1N2810 50 W TO-204AD(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 9.1 V 12 v 1欧姆
1N2811RB Microchip Technology 1N2811RB -
RFQ
ECAD 4692 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 to-204ad 1N2811 50 W TO-204AD(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 9.9 V 13 V 1.1欧姆
1N2812A Microchip Technology 1N2812A 94.8900
RFQ
ECAD 8563 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C〜175°C 通过洞 to-204ad 1N2812 50 W TO-204AD(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 10.6 V 14 V 1.2欧姆
1N2813RB Microchip Technology 1N2813RB -
RFQ
ECAD 8511 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 to-204ad 1N2813 50 W TO-204AD(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 11.4 V 15 v 1.4欧姆
1N2817RB Microchip Technology 1N2817RB 96.0150
RFQ
ECAD 4687 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 to-204ad 1N2817 50 W TO-204AD(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 14.4 V 19 v 2.2欧姆
1N2818A Microchip Technology 1N2818A 94.8900
RFQ
ECAD 8963 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C〜175°C 通过洞 to-204ad 1N2818 50 W TO-204AD(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 15.2 V 20 v 2.4欧姆
1N2818RB Microchip Technology 1N2818RB 96.0150
RFQ
ECAD 9361 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 to-204ad 1N2818 50 W TO-204AD(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 15.2 V 20 v 2.4欧姆
1N2819B Microchip Technology 1N2819B 94.8900
RFQ
ECAD 5093 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 to-204ad 1N2819 50 W TO-204AD(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 16.7 V 22 v 2.5欧姆
1N2819RB Microchip Technology 1N2819RB 96.0150
RFQ
ECAD 8297 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 to-204ad 1N2819 50 W TO-204AD(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 16.7 V 22 v 2.5欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库