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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTX1N5816R	149.4450	RFQ	1796年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/478	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		950 mv @ 20 a	35 ns	10 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	20a	300pf @ 10V，1MHz
JANS1N4973CUS	368.1600	RFQ	3381	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 32.7 V				43 V	20欧姆
CDLL4684/tr	3.0989	RFQ	4259	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4684/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		7.5 µA @ 1.5 V				3.3 v
CDLL3045B	15.3000	RFQ	8159	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3045		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 83.6 V				110 v	450欧姆
JANTX1N4479CUS/TR	28.3050	RFQ	9074	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTX1N4479CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		50 NA @ 31.2 V				39 v	30欧姆
1N4565AR-1	5.2050	RFQ	5807	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4565		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V					200欧姆
1N4746APE3/TR12	0.9450	RFQ	9641	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4746		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 13.7 V				18 V	20欧姆
Jan1n3021bur-1/tr	11.4247	RFQ	8242	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3021BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 8.4 V				11 V	8欧姆
Jan1n6353us	-	RFQ	8900	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 122 V				151 v	1200欧姆
CDLL5274A/TR	3.7800	RFQ	9586	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa				do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5274A/TR	Ear99	8541.10.0050	250					1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 94 V				130 v	1100欧姆
1N3821A-1/TR	5.9584	RFQ	2933	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N3821A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆
1N829AE3	13.6200	RFQ	7127	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N829AE3	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 v	10欧姆
1N3823A-1	-	RFQ	5648	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3823		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V				3.9 v	9欧姆
1月1N7048-1/tr	7.8000	RFQ	6021	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N7048-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1
JANTX1N3157-1/TR	-	RFQ	5304	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/158	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3157-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 5.5 V				8.8 v	15欧姆
JANS1N4979DUS	429.5200	RFQ	5121	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4979DUS	Ear99	8541.10.0050	1
CDLL3029	15.3000	RFQ	7089	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3029		1 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		500 na @ 18.2 V				24 V	25欧姆
JANTXV1N3595AUS	14.3551	RFQ	6468	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/241	大部分	积极的			表面安装	DO-213AA（）	1N3595	标准		do-213aa	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		125 v		920 MV @ 100 mA	3 µs	2 NA @ 125 V	-65°C〜175°C	150mA	-
JANTX1N982B-1	4.4850	RFQ	2268	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N982		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 56 V				75 v	270欧姆
CD755A	1.5029	RFQ	2485	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD755A	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		2 µA @ 5 V				7.5 v	6欧姆
JANTXV1N5542B-1	9.1200	RFQ	6580	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19.8 V				22 v	100欧姆
1N6003A	1.9950	RFQ	9633	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6003		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 8.4 V				13 V	36欧姆
1n6321us/tr	13.1404	RFQ	1567年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6321US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		2 µA @ 5 V				7.5 v	4欧姆
JANTX1N6657	-	RFQ	1342	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））		标准		TO-254	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		1.2 V @ 20 A	35 ns	10 µA @ 100 V	-	15a	150pf @ 10V，1MHz
Jan1n983c-1/tr	5.2402	RFQ	5188	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N983C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 62 V				82 v	330欧姆
JANTX1N4127D-1/TR	15.1886	RFQ	9030	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4127D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 42.6 V				56 v	300欧姆
JANTXV1N6674R	-	RFQ	4214	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/617	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））	1N6674	标准		TO-254AA	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	500 v	15a	1.55 V @ 20 A	35 ns	5 ma @ 400 V	-
CD5359B	5.0274	RFQ	9088	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	死			5 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5359B	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		500 na @ 18.2 V				24 V	3.5欧姆
JANTX1N444454UR-1	2.6400	RFQ	2652	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/144	大部分	积极的			表面安装	do-213aa		标准		do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		50 V		1 V @ 10 mA	4 ns	100 na @ 50 V	-55°C 〜175°C	200mA	-
1N6012D	5.1900	RFQ	3546	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6012		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 25 V				33 V	88欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²