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JANTXV1N6625US | 20.9100 | ![]() | 2381 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/585 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N6625 | 标准 | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1100 v | 1.75 V @ 1 A | 60 ns | 1 µA @ 1100 V | -65°C〜150°C | 1a | - | ||||||||
![]() | 1n6321us/tr | 13.1404 | ![]() | 1567年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6321US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 2 µA @ 5 V | 7.5 v | 4欧姆 | ||||||||||
![]() | Jan1n3155ur-1 | - | ![]() | 7713 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/158 | 大部分 | 积极的 | - | -65°C 〜175°C(TA) | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 5.5 V | 8.4 v | 15欧姆 | ||||||||||||
JANTX1N4107C-1/TR | 14.8295 | ![]() | 7973 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N4107C-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 9.9 V | 13 V | 200欧姆 | |||||||||||
![]() | JANTXV1N3043C-1 | 38.0400 | ![]() | 4273 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N3043 | 1 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 69.2 V | 91 v | 250欧姆 | |||||||||
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![]() | Jan1n5195us | 27.0900 | ![]() | 4237 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/118 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 标准 | do-213aa | - | 到达不受影响 | 150-JAN1N5195US | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 180 v | 1 V @ 100 ma | 5 µA @ 180 V | -65°C〜175°C | 200mA | - | ||||||||||
![]() | JANTX1N444454UR-1 | 2.6400 | ![]() | 2652 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/144 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 标准 | do-213aa | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 50 V | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 100 na @ 50 V | -55°C 〜175°C | 200mA | - | |||||||||
![]() | JANS1N6343US | 164.8650 | ![]() | 9101 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,b | 500兆 | B,平方米 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 47 V | 62 v | 125欧姆 | |||||||||||
![]() | CDLL4910A | 104.3100 | ![]() | 5271 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | CDLL4910 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 12.8 v | 50欧姆 | |||||||||||
CDLL4464 | 11.3550 | ![]() | 7465 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL4464 | 1.5 w | do-213ab | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 MA | 300 NA @ 5.46 V | 9.1 v | 4欧姆 | ||||||||||
![]() | Jan1n5526bur-1/tr | 12.9542 | ![]() | 6361 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5526BUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 6.2 V | 6.8 v | 30欧姆 | ||||||||||
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JANTX1N4102C-1/TR | 12.1695 | ![]() | 9410 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N4102C-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 6.7 V | 8.7 v | 200欧姆 | |||||||||||
CDLL957A | 2.8500 | ![]() | 8366 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL957 | 500兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 5.2 V | 6.8 v | 4.5欧姆 | ||||||||||
![]() | SMBJ5388B/TR13 | 1.6650 | ![]() | 7426 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMBJ5388 | 5 w | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 144 V | 200 v | 480欧姆 | |||||||||
![]() | CD4754A | 1.8354 | ![]() | 7533 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | 死 | 1 w | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CD4754A | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 100 na @ 29.7 V | 39 v | 60欧姆 | ||||||||||
UES1002SM/TR | 24.3450 | ![]() | 6060 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 标准 | a,轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-ues1002sm/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 975 MV @ 1 A | 25 ns | - | - | - | |||||||||||
![]() | 1 PMT4103/TR13 | 0.9600 | ![]() | 9780 | 0.00000000 | 微芯片技术 | PowerMite® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 1 w | do-216 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 6.92 V | 9.1 v | 200欧姆 | |||||||||
![]() | SMBJ5360A/TR13 | 1.6350 | ![]() | 8592 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMBJ5360 | 5 w | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 na @ 18 V | 25 v | 4欧姆 | |||||||||
![]() | SMBJ5368BE3/TR13 | 0.8250 | ![]() | 2862 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMBJ5368 | 5 w | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 33.8 V | 47 V | 25欧姆 | |||||||||
![]() | CDLL5253B/TR | 2.7132 | ![]() | 6286 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | 10兆 | do-213ab | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-CDLL5253B/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 19 V | 25 v | 35欧姆 | ||||||||||
![]() | JANS1N4492 | 137.4000 | ![]() | 7593 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 250 na @ 104 V | 130 v | 500欧姆 | |||||||||||
JANTX1N6639 | 8.6100 | ![]() | 7707 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/609 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | D,轴向 | 1N6639 | 标准 | D-5D | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 75 v | 1.2 V @ 300 mA | 4 ns | 100 µA @ 75 V | -65°C〜175°C | 300mA | - | ||||||||
JANTX1N4481 | 11.5500 | ![]() | 6784 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N4481 | 1.5 w | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 50 NA @ 37.6 V | 47 V | 50欧姆 | ||||||||||
![]() | 1N5747B | 1.8600 | ![]() | 8033 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5747 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 21 V | 30 V | 80欧姆 | |||||||||
![]() | 1N2983A | 36.9900 | ![]() | 9509 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 1N2983 | 10 W | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 2 A | 10 µA @ 14 V | 19 v | 4欧姆 |
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