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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
JANTX1N982B-1 Microchip Technology JANTX1N982B-1 4.4850
RFQ
ECAD 2268 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N982 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 56 V 75 v 270欧姆
JANTX1N4472US/TR Microchip Technology JANTX1N4472US/TR 12.8611
RFQ
ECAD 4718 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF,a 1.5 w D-5A - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N4472US/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 50 na @ 16 V 20 v 650欧姆
JANTXV1N6625US Microchip Technology JANTXV1N6625US 20.9100
RFQ
ECAD 2381 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/585 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF,a 1N6625 标准 D-5A 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1100 v 1.75 V @ 1 A 60 ns 1 µA @ 1100 V -65°C〜150°C 1a -
1N6321US/TR Microchip Technology 1n6321us/tr 13.1404
RFQ
ECAD 1567年 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 500兆 B,平方米 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N6321US/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 2 µA @ 5 V 7.5 v 4欧姆
JAN1N3155UR-1 Microchip Technology Jan1n3155ur-1 -
RFQ
ECAD 7713 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/158 大部分 积极的 - -65°C 〜175°C(TA) 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 10 µA @ 5.5 V 8.4 v 15欧姆
JANTX1N4107C-1/TR Microchip Technology JANTX1N4107C-1/TR 14.8295
RFQ
ECAD 7973 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N4107C-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 9.9 V 13 V 200欧姆
JANTXV1N3043C-1 Microchip Technology JANTXV1N3043C-1 38.0400
RFQ
ECAD 4273 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3043 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 69.2 V 91 v 250欧姆
1N982A Microchip Technology 1N982A 2.0700
RFQ
ECAD 2667 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C〜175°C 通过洞 do-204aa,do-7,轴向 1N982 500兆 do-7 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 56 V 75 v 270欧姆
JAN1N5195US Microchip Technology Jan1n5195us 27.0900
RFQ
ECAD 4237 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/118 大部分 积极的 表面安装 do-213aa 标准 do-213aa - 到达不受影响 150-JAN1N5195US Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 180 v 1 V @ 100 ma 5 µA @ 180 V -65°C〜175°C 200mA -
JANTX1N4454UR-1 Microchip Technology JANTX1N444454UR-1 2.6400
RFQ
ECAD 2652 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/144 大部分 积极的 表面安装 do-213aa 标准 do-213aa - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma(io(io),任何速度 50 V 1 V @ 10 mA 4 ns 100 na @ 50 V -55°C 〜175°C 200mA -
JANS1N6343US Microchip Technology JANS1N6343US 164.8650
RFQ
ECAD 9101 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,b 500兆 B,平方米 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 50 NA @ 47 V 62 v 125欧姆
CDLL4910A Microchip Technology CDLL4910A 104.3100
RFQ
ECAD 5271 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa CDLL4910 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 15 µA @ 8 V 12.8 v 50欧姆
CDLL4464 Microchip Technology CDLL4464 11.3550
RFQ
ECAD 7465 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf CDLL4464 1.5 w do-213ab - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 MA 300 NA @ 5.46 V 9.1 v 4欧姆
JAN1N5526BUR-1/TR Microchip Technology Jan1n5526bur-1/tr 12.9542
RFQ
ECAD 6361 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5526BUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 6.2 V 6.8 v 30欧姆
JANTXV1N3032C-1 Microchip Technology JANTXV1N3032C-1 38.0400
RFQ
ECAD 4442 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3032 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 25.1 V 33 V 45欧姆
JAN1N4123D-1 Microchip Technology Jan1n4123d-1 13.1400
RFQ
ECAD 1115 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±1% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4123 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 NA @ 29.7 V 39 v 200欧姆
JANTX1N4102C-1/TR Microchip Technology JANTX1N4102C-1/TR 12.1695
RFQ
ECAD 9410 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N4102C-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 6.7 V 8.7 v 200欧姆
CDLL957A Microchip Technology CDLL957A 2.8500
RFQ
ECAD 8366 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf CDLL957 500兆 do-213ab 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 5.2 V 6.8 v 4.5欧姆
SMBJ5388B/TR13 Microchip Technology SMBJ5388B/TR13 1.6650
RFQ
ECAD 7426 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ5388 5 w SMBJ(DO-214AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 144 V 200 v 480欧姆
CD4754A Microchip Technology CD4754A 1.8354
RFQ
ECAD 7533 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 1 w 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CD4754A Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 29.7 V 39 v 60欧姆
UES1002SM/TR Microchip Technology UES1002SM/TR 24.3450
RFQ
ECAD 6060 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 a,轴向 标准 a,轴向 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-ues1002sm/tr Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 975 MV @ 1 A 25 ns - - -
1PMT4103/TR13 Microchip Technology 1 PMT4103/TR13 0.9600
RFQ
ECAD 9780 0.00000000 微芯片技术 PowerMite® 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 1 w do-216 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,000 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 6.92 V 9.1 v 200欧姆
SMBJ5360A/TR13 Microchip Technology SMBJ5360A/TR13 1.6350
RFQ
ECAD 8592 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ5360 5 w SMBJ(DO-214AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 na @ 18 V 25 v 4欧姆
SMBJ5368BE3/TR13 Microchip Technology SMBJ5368BE3/TR13 0.8250
RFQ
ECAD 2862 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ5368 5 w SMBJ(DO-214AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 33.8 V 47 V 25欧姆
CDLL5253B/TR Microchip Technology CDLL5253B/TR 2.7132
RFQ
ECAD 6286 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf 10兆 do-213ab 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CDLL5253B/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 19 V 25 v 35欧姆
JANS1N4492 Microchip Technology JANS1N4492 137.4000
RFQ
ECAD 7593 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1.5 w do-41 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 250 na @ 104 V 130 v 500欧姆
JANTX1N6639 Microchip Technology JANTX1N6639 8.6100
RFQ
ECAD 7707 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/609 大部分 积极的 通过洞 D,轴向 1N6639 标准 D-5D 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 75 v 1.2 V @ 300 mA 4 ns 100 µA @ 75 V -65°C〜175°C 300mA -
JANTX1N4481 Microchip Technology JANTX1N4481 11.5500
RFQ
ECAD 6784 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4481 1.5 w DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 50 NA @ 37.6 V 47 V 50欧姆
1N5747B Microchip Technology 1N5747B 1.8600
RFQ
ECAD 8033 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5747 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 ma 100 na @ 21 V 30 V 80欧姆
1N2983A Microchip Technology 1N2983A 36.9900
RFQ
ECAD 9509 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 1N2983 10 W do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 14 V 19 v 4欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库