RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTXV1N4121C-1	23.1600	RFQ	9525	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4121		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 25.1 V				33 V	200欧姆
1N5188	-	RFQ	9914	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v		1.5 V @ 9 A	250 ns	2 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	3a	-
1N6031B-1	2.7750	RFQ	2078	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N6031B-1	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 152 V				200 v	2000年
1N3827A-1	6.2250	RFQ	3065	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3827		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 2 V				5.6 v	5欧姆
UFR3280	199.2450	RFQ	7806	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		800 v		1.35 V @ 30 A	60 ns		175°c （最大）	30a
CDLL5274D	8.4150	RFQ	6359	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa				do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5274D	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 94 V				130 v	1100欧姆
R4260T	59.8350	RFQ	5943	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	R4260	标准，反极性		DO-205AA（DO-8）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.2 V @ 200 A		50 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	125a	-
CD4575A	5.4150	RFQ	7752	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	死				死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4575A	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	50欧姆
1N6658	242.5050	RFQ	4915	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/616	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA	1N6658	标准		TO-254	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	150 v	15a	1 V @ 10 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-
1N4509	42.4950	RFQ	6112	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N4509	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		800 v		1.2 V @ 30 A		10 µA @ 800 V	-65°C 〜200°C	22a	-
1月1N2985B	-	RFQ	5373	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 16.7 V				22 v	5欧姆
1N3314RB	49.3800	RFQ	2919	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3314		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 11.4 V				15 v	1.4欧姆
1n1373a	44.3850	RFQ	4452	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N137		10 W	DO-203AA（DO-4）	-			到达不受影响	150-1N1373A	Ear99	8541.10.0050	1											82 v	22欧姆
JANTX1N6765R	-	RFQ	8584	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））		标准		TO-254	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.05 V @ 12 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-	12a	300pf @ 5V，1MHz
JANTXV1N758A-1	5.1150	RFQ	4853	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N758		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 8 V				10 v	7欧姆
JANTXV1N5524DUR-1	66.0450	RFQ	6347	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	2266-JANTXV1N5524DUR-1	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 3.5 V				5.6 v	30欧姆
1N5361B/TR8	2.6850	RFQ	8169	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5361		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 19.4 V				27 V	5欧姆
JANTXV1N6761-1	-	RFQ	3335	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/586	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		肖特基		do-41	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		690 mv @ 1 a		100 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	70pf @ 5V，1MHz
JANS1N6643US	33.3900	RFQ	1852年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		1.2 V @ 100 ma	6 ns		-65°C〜175°C	300mA	5pf @ 0v，1MHz
1 PMT4124C/TR13	1.2450	RFQ	2076	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4124		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 32.65 V				43 V	250欧姆
JANTX1N5543B-1	8.5050	RFQ	7435	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5543		500兆	DO-204AH（DO-35）（DO-35）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.4 V				25 v	100欧姆
1N6642UBD	17.5200	RFQ	6036	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	4-SMD，没有铅		标准		UB	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				1.2 V @ 100 ma	5 ns		-	-	5pf @ 0v，1MHz
JANS1N4566AR-1	163.6800	RFQ	2396	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
JANTX1N4110DUR-1	30.8550	RFQ	2656	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4110		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 12.2 V				16 V	100欧姆
Janhca1n974b	8.5785	RFQ	8771	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n974b	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 27.4 V				36 V	70欧姆
1N5344/TR12	2.6250	RFQ	9321	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5344		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		10 µA @ 5.9 V				8.2 v	1.5欧姆
1N6026B	2.7750	RFQ	5109	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6026		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 91 V				120 v	800欧姆
CDLL5222D/TR	8.5950	RFQ	7708	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5222D/TR	Ear99	8541.10.0050	110					1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.5 v	30欧姆
1N1200BR	34.7100	RFQ	9806	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1200	标准，反极性		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		100 v		1.2 V @ 30 A		10 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	12a	-
JANS1N5622	59.9100	RFQ	5966	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/427	大部分	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				1.3 V @ 3 A	2 µs	500 NA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	1a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²