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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N4125ur	3.7950	RFQ	6546	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4125		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 35.75 V				47 V	250欧姆
1N4248	-	RFQ	1741年	微芯片技术	-	大部分	过时的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	-
1N4249	-	RFQ	6969	微芯片技术	-	大部分	过时的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	1a	-
1N4370	2.1900	RFQ	4512	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4370		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
1N4372	-	RFQ	4226	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4372		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 µA @ 1 V				3 V	29欧姆
1N4454-1	0.9600	RFQ	3073	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4454	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	75 v	1 V @ 10 mA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	200mA	-
1N4551B	53.5800	RFQ	5602	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N4551		500兆	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		100 µA @ 1 V				4.7 v	0.12欧姆
1N4552B	54.1050	RFQ	7952	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N4552		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		20 µA @ 1 V				5.1 v	0.12欧姆
1N4553B	54.1050	RFQ	9421	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N4553		500兆	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		20 µA @ 1 V				5.6 v	0.12欧姆
1N4554RB	54.1050	RFQ	3734	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N4554		500兆	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		20 µA @ 2 V				6.2 v	0.14欧姆
1N2999RB	40.3200	RFQ	4525	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2999		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 42.6 V				56 v	16欧姆
1N3003B	36.9900	RFQ	9118	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3003		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 62.2 V				82 v	25欧姆
1N3005B	37.3500	RFQ	1043	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3005		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 76 V				100 v	40欧姆
1N3006A	36.9900	RFQ	6412	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3006		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 76 V				105 v	45欧姆
1N3007B	36.9900	RFQ	6320	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3007		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 83.6 V				110 v	55欧姆
1N3009A	36.9900	RFQ	9730	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3009		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 98.8 V				130 v	100欧姆
1N3009RB	40.3200	RFQ	7109	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3009		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 98.8 V				130 v	100欧姆
1N3010A	36.9900	RFQ	5060	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3010		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 100 V				140 v	125欧姆
1N3010B	36.9900	RFQ	2623	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3010		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 100 V				140 v	125欧姆
1N3011RB	40.3200	RFQ	1862年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3011		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 114 V				150 v	175欧姆
1N3012RB	40.3200	RFQ	3238	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3012		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 121.6 V				160 v	200欧姆
1N3013A	36.9900	RFQ	8262	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3013		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 135 V				220 v	250欧姆
1N3014RB	40.3200	RFQ	8646	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3014		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 136.8 V				180 v	260欧姆
1N3015B	36.9900	RFQ	9997	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3015		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 152 V				200 v	300欧姆
1N3015RB	40.3200	RFQ	7794	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3015		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 152 V				200 v	300欧姆
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1N3019BUR-1	14.7300	RFQ	7561	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N3019		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 6.9 V				9.1 v	6欧姆
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1N3021B-1	8.1900	RFQ	4043	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3021		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 8.4 V				11 V	8欧姆
1N3021BUR-1	14.7300	RFQ	6397	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N3021		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 8.4 V				11 V	8欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²