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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N4757AUR/TR	3.2319	RFQ	8714	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf		1 w	do-213ab	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-1N4757AUR/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 38.8 V				51 v	95欧姆
JANTX1N5545B-1/TR	6.2111	RFQ	4056	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N5545B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 27 V				30 V	100欧姆
Janhca1n4579a	24.6000	RFQ	8753	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-Janhca1n4579a	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	50欧姆
JANTX1N6322U/TR	16.1861	RFQ	8987	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N6322U/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 6 V				8.2 v	5欧姆
JANS1N4620CUR-1/TR	154.6904	RFQ	1978年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）		500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANS1N4620CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 1.5 V				3.3 v	1.65欧姆
CDLL5250B/TR	2.0216	RFQ	4043	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf		10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL5250B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 15 V				20 v	25欧姆
CDLL5246B/TR	2.8994	RFQ	1697年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf		10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL5246B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 12 V				16 V	17欧姆
JANTX1N3821DUR-1/TR	45.2466	RFQ	7459	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N3821DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆
JANTX1N3024BUR-1/TR	13.0739	RFQ	7464	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N3024BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 11.4 V				15 v	14欧姆
CD5533B	2.0349	RFQ	7365	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CD5533B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		10 na @ 11.7 V				13 V	90欧姆
JANTX1N6941UTK3/TR	506.5350	RFQ	3073	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	Thinkey™3	肖特基		Thinkey™3	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N6941UTK3/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	30 V	500 mv @ 50 a		5 ma @ 30 V	-65°C〜150°C	150a	7500pf @ 5V，1MHz
JANTXV1N6642US/TR	8.6583	RFQ	8218	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	标准		D-5B	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTXV1N6642US/TR	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	1.2 V @ 100 ma	20 ns	500 NA @ 100 V	-65°C〜175°C	300mA	-
CDLL4567AE3	10.4250	RFQ	8249	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL4567AE3	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V					200欧姆
JANTX1N6941UTK3CS/TR	438.9902	RFQ	6498	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/726	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	Thinkey™3	肖特基		Thinkey™3	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N6941UTK3CS/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	30 V	500 mv @ 50 a		5 ma @ 30 V	-65°C〜175°C	150a	7500pf @ 5V，1MHz
JANTX1N4471US/TR	12.0764	RFQ	8203	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	D-5A	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N4471US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 14.4 V				18 V	650欧姆
CDLL823A/TR	4.9500	RFQ	8277	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±4.83％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL823A/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	10欧姆
JANTX1N4966US/TR	8.6583	RFQ	4580	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E		5 w	D-5B	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N4966US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 16.7 V				22 v	5欧姆
1N4109D-1/TR	6.0249	RFQ	7836	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-1N4109D-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 11.4 V				15 v	100欧姆
Janhca1n4124	13.2734	RFQ	1961年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-Janhca1n4124	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 32.65 V				43 V	250欧姆
1N4620-1/tr	2.5137	RFQ	8304	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向		500兆	do-7	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-1N4620-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 1.5 V				3.3 v	1650年
JANS1N6336US/TR	154.0106	RFQ	1869年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANS1N6336US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 25 V				33 V	40欧姆
CD963B	1.5029	RFQ	9583	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CD963B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	11.5欧姆
JANTXV1N4618D-1/TR	16.5186	RFQ	9365	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTXV1N4618D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 1 V				2.7 v	1500欧姆
JANTX1N4120D-1/TR	16.3856	RFQ	1859年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N4120D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.8 V				30 V	200欧姆
CDLL4487/tr	8.3657	RFQ	5068	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf		1.5 w	do-213ab	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL4487/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		250 na @ 65.6 V				82 v	160欧姆
1N5922B/TR	5.2136	RFQ	8442	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向		1.25 w	do-41	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-1N5922B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 6 V				7.5 v	3欧姆
Jan1n975dur-1/tr	12.7680	RFQ	8426	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）		500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JAN1N975DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 30 V				39 v	80欧姆
CDLL4491/tr	14.2310	RFQ	3327	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1.5 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL4491/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		250 NA @ 96 V				120 v	400欧姆
CDLL5269/TR	3.3516	RFQ	5560	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf		10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL5269/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 68 V				87 v	370欧姆
JANTXV1N4106C-1/TR	20.6815	RFQ	2042	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTXV1N4106C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.2 V				12 v	200欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²