RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N3340B	49.3800	RFQ	3474	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3340		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 76 V				100 v	20欧姆
1N3340RB	49.3800	RFQ	5195	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3340		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 76 V				100 v	20欧姆
1N3341A	49.3800	RFQ	3953	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3341		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 83 V				105 v	25欧姆
1N3341B	49.3800	RFQ	2316	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3341		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 83 V				105 v	25欧姆
1N3342A	49.3800	RFQ	9742	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3342		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 83 V				110 v	30欧姆
1N3342RB	49.3800	RFQ	8271	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3342		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 83 V				110 v	30欧姆
1N3343RB	49.3800	RFQ	5567	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3343		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 91.2 V				120 v	40欧姆
1N3344A	49.3800	RFQ	3872	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3344		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 99.8 V				130 v	50欧姆
1N3345RB	49.3800	RFQ	2973	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3345		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 114 V				140 v	60欧姆
1N3346B	49.3800	RFQ	2699	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3346		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 114 V				150 v	75欧姆
1N3347A	49.3800	RFQ	1275	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3347		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 121.6 V				160 v	80欧姆
1N3349B	49.3800	RFQ	5965	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3349		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 136.8 V				180 v	90欧姆
1N3350A	49.3800	RFQ	9700	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3350		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 152 V				200 v	100欧姆
1N3512A	2.4900	RFQ	3673	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N3512		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma						5.6 v	8欧姆
1N3526A	2.4900	RFQ	2526	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N3526		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma						22 v	35欧姆
1N3531A	2.4900	RFQ	7296	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N3531		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma						36 V	75欧姆
1N3533A	2.4900	RFQ	6927	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N3533		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma						43 V	130欧姆
1N3534A	2.4900	RFQ	7600	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N3534		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma						47 V	150欧姆
1N3600	1.3800	RFQ	2498	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N3600	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	50 V	1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	200mA	-
1N3645	15.8400	RFQ	9160	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	S，轴向	1N3645	标准		S，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1400 v	5 V @ 250 MA		100 µA @ 1400 V	-65°C〜175°C	250mA	-
1N3823A-1	-	RFQ	5648	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3823		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V				3.9 v	9欧姆
1N3825A-1	6.5400	RFQ	6513	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3825		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 2 V				4.7 v	8欧姆
1N3826A-1	-	RFQ	2495	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3826		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				5.1 v	7欧姆
1N3827A-1	6.2250	RFQ	3065	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3827		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 2 V				5.6 v	5欧姆
1N4102UR	-	RFQ	6766	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4102		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.61 V				8.7 v	200欧姆
1N4103ur	3.7950	RFQ	3956	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4103		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.92 V				9.1 v	200欧姆
1n4118ur	3.7950	RFQ	3474	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4118		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 20.45 V				27 V	150欧姆
1N4120UR	3.7950	RFQ	3402	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4120		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.8 V				30 V	200欧姆
1N4121ur	3.7950	RFQ	5484	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4121		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 25.08 V				33 V	200欧姆
1N4122UR	3.7950	RFQ	8280	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4122		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 27.38 V				36 V	200欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²