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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
CDLL5518/tr	5.9052	RFQ	9666	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5518/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 900 mV				3.3 v	26欧姆
1N3272	151.2750	RFQ	3937	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3272	标准		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3272MS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		900 v		1.3 V @ 300 A		75 µA @ 900 V	-65°C 〜190°C	275a	-
1 PMT5936CE3/TR13	0.7350	RFQ	5746	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V				30 V	28欧姆
1N5063SM	27.0900	RFQ	9201	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a			3 W	a，平方米	-			到达不受影响	150-1N5063SM	Ear99	8541.10.0050	1							500 µA @ 5.2 V				6.8 v	2欧姆
SMBJ4731AE3/TR13	0.4350	RFQ	5701	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4731		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V				4.3 v	9欧姆
JAN1N4955CUS	25.0800	RFQ	7787	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4955		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		100 µA @ 5.7 V				7.5 v	1.5欧姆
1N5944APE3/TR8	0.9150	RFQ	7652	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5944		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 47.1 V				62 v	100欧姆
1N4566AE3	4.3800	RFQ	8441	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	150-1N4566AE3	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
JANTXV1N74777aur-1	8.4000	RFQ	7937	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N747		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
JANTX1N5615	5.2800	RFQ	5412	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5615	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.6 V @ 3 A	150 ns	500 na @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	45pf @ 12V，1MHz
JANTX1N964BUR-1	5.9700	RFQ	3608	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N964		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 9.9 V				13 V	13欧姆
JANS1N5614/TR	31.9800	RFQ	6747	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/427	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5614/TR	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.3 V @ 3 A	2 µs	500 na @ 200 V	-65°C 〜200°C	1a	-
CDLL4759	3.4650	RFQ	9557	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4759			do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 47.1 V				62 v	125欧姆
JANS1N6321CUS	285.0750	RFQ	9028	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANS1N6321CUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		2 µA @ 5 V				7.5 v	4欧姆
SMBG5351B/TR13	2.2500	RFQ	7165	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5351		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		1 µA @ 10.1 V				14 V	2.5欧姆
JANTXV1N976C-1/TR	8.0332	RFQ	9023	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N976C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 33 V				43 V	93欧姆
JANTXV1N5533BUR-1/TR	17.2900	RFQ	4562	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5533BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 11.7 V				13 V	90欧姆
UES803R	70.5900	RFQ	8848	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	UES803	标准		do-5	下载	Rohs不合规	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v			50 ns	25 µA @ 150 V	-	70a	-
1N4748APE3/TR12	0.9450	RFQ	1324	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4748		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 16.7 V				22 v	23欧姆
1月1N4475	7.9500	RFQ	6782	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4475		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		50 NA @ 21.6 V				27 V	18欧姆
JANTXV1N750D-1	14.2500	RFQ	4453	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N750		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1.5 V				4.7 v	19欧姆
CDLL5518A/TR	5.9052	RFQ	7223	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5518A/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 900 mV				3.3 v	26欧姆
1月1N6078	23.7750	RFQ	8492	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/503	大部分	积极的			通过洞	E，轴向	1N6078	标准		e-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		1.76 V @ 18.8 A	30 ns	5 µA @ 150 V	-65°C〜155°C	1.3a	-
1N4746AGE3	3.4314	RFQ	9644	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4746AGE3	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 13.7 V				18 V	20欧姆
1N5940C	6.7950	RFQ	9903	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5940		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 32.7 V				43 V	53欧姆
JANTX1N4148UBCD/TR	30.6432	RFQ	7223	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/116	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅	1N4148	标准		UBC	-			到达不受影响	150-JANTX1N4148UBCD/tr	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对系列连接	75 v	1a	800 mv @ 100 ma	5 ns	25 na @ 20 V	-65°C 〜200°C
1N5953B	3.4050	RFQ	7429	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5953		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5953BMS	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 114 V				150 v	600欧姆
1N5348CE3/TR12	3.3900	RFQ	9142	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5348		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		5 µA @ 8 V				11 V	2.5欧姆
1n6018ur	3.5850	RFQ	3530	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6018				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
Jan1n4580aur-1/tr	5.3850	RFQ	2466	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4580AR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²