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![]() | 1N4919 | 29.5050 | ![]() | 7360 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -25°C〜100°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4919 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 19.2 v | 300欧姆 | |||
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![]() | 1N4921A | 90.7350 | ![]() | 8504 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C〜100°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4921 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 19.2 v | 300欧姆 | |||
![]() | 1N4923 | 42.3600 | ![]() | 3167 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -25°C〜100°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4923 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 19.2 v | 150欧姆 | |||
![]() | 1N4925A | 20.5650 | ![]() | 7920 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -55°C〜100°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N4925 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 19.2 v | 75欧姆 | |||
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![]() | 1N4929 | - | ![]() | 2794 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -25°C〜100°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 19.2 v | 36欧姆 | ||||
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1N4957 | 6.6150 | ![]() | 4305 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4957 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 25 µA @ 6.9 V | 9.1 v | 2欧姆 | |||
1N4960US | 8.2200 | ![]() | 7284 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4960 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 10 µA @ 9.1 V | 12 v | 2.5欧姆 | ||
1N4961US | 8.2950 | ![]() | 3857 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4961 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 10 µA @ 9.9 V | 13 V | 3欧姆 | ||
1N4966US | 9.1950 | ![]() | 2848 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4966 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 16.7 V | 22 v | 5欧姆 | ||
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1N4987 | 9.8250 | ![]() | 7485 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | E,轴向 | 1N4987 | 5 w | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 121.6 V | 160 v | 350欧姆 | |||
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1N4988US | 12.9600 | ![]() | 4105 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SQ-MELF,E | 1N4988 | 5 w | D-5B | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 136.8 V | 180 v | 450欧姆 | ||
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![]() | 1N3336A | 49.3800 | ![]() | 7238 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3336 | 50 W | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 51.7 V | 68 v | 8欧姆 | |
![]() | 1N3338A | 49.3800 | ![]() | 6258 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3338 | 50 W | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 62.2 V | 82 v | 11欧姆 | |
![]() | 1N3338RB | 49.3800 | ![]() | 6940 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3338 | 50 W | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 62.2 V | 82 v | 11欧姆 | |
![]() | 1N3339RB | 49.3800 | ![]() | 6643 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 底盘,螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 1N3339 | 50 W | do-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 69.2 V | 91 v | 15欧姆 |
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