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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANS1N4472C	207.0600	RFQ	8662	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 na @ 16 V				20 v	12欧姆
JANTX1N5528B-1	6.1500	RFQ	4199	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5528		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 7.5 V				8.2 v	40欧姆
JANS1N4117-1/TR	31.6700	RFQ	3323	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4117-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		40 µA @ 15 V				25 v	150欧姆
JANTXV1N5621US	-	RFQ	7900	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	大部分	在sic中停产			表面安装	SQ-MELF，a		标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		800 v		1.6 V @ 3 A	300 ns	500 NA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	20pf @ 12v，1MHz
JANTXV1N4996CUS/TR	-	RFQ	2892	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	E-Melf	下载				150-JANTXV1N4996CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 297 V				390 v	1800欧姆
JANTXV1N5617US	16.2600	RFQ	9867	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N5617	标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v		1.6 V @ 3 A	150 ns	500 NA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	-
1 PMT5942BE3/TR13	0.7350	RFQ	7442	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 38.8 V				51 v	70欧姆
CDLL4615	3.3000	RFQ	3878	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4615		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2.5 µA @ 1 V				2 v	1250欧姆
JANTX1N3031DUR-1	46.6950	RFQ	7514	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3031		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 22.8 V				30 V	40欧姆
1N4943	6.4050	RFQ	4306	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-1N4943	Ear99	8541.10.0080	1
CDLL5272D/TR	8.5950	RFQ	8122	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5272D/tr	Ear99	8541.10.0050	110					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 84 V				110 v	750欧姆
JANTX1N7048UR-1	10.8150	RFQ	7326	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
1N4527	62.1150	RFQ	1117	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N4527	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.19 V @ 90 A		10 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	40a	-
1N6640US/TR	8.3790	RFQ	1941年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，d		标准		D-5D	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6640US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		75 v		1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	300mA	-
1N827-1E3	6.2700	RFQ	3595	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N827-1E3	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
APTDF400AK20G	129.7611	RFQ	4814	微芯片技术	-	大部分	积极的			底盘安装	LP4	APTDF400	标准		SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对系列连接	200 v	500a	1.1 V @ 400 A	60 ns	750 µA @ 200 V
1N4494	10.5750	RFQ	9655	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N4494		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N4494MS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		250 na @ 128 V				160 v	1000欧姆
Jan1n4981us	9.2100	RFQ	5450	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4981		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 69.2 V				91 v	90欧姆
1N4740APE3/TR8	0.9450	RFQ	9145	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4740		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 7.6 V				10 v	7欧姆
1N2840B	-	RFQ	7701	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2840		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 83.6 V				110 v	30欧姆
1 PMT5951B/TR7	-	RFQ	6158	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 91.2 V				120 v	380欧姆
JANS1N6310	114.5850	RFQ	6916	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		60 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
JANTX1N3047B-1	-	RFQ	5634	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
1N5943PE3/TR8	0.9150	RFQ	5760	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5943		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 42.6 V				56 v	86欧姆
1月1N3821A-1	6.7650	RFQ	6819	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3821		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆
1N4099ur-1	3.8250	RFQ	7816	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N4099		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.2 V				6.8 v	200欧姆
CDLL4620	3.3600	RFQ	300	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4620		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 1.5 V				3.3 v	1650年
1N1197	75.5700	RFQ	9504	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N1197	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		500 v		1.19 V @ 90 A		10 µA @ 500 V	-65°C 〜200°C	40a	-
1N3338B	-	RFQ	9422	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3338		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 62.2 V				82 v	11欧姆
JANTX1N3039BUR-1/TR	13.0739	RFQ	6898	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3039BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 47.1 V				62 v	125欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²