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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N6776	302.0100	RFQ	6247	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-257-3		标准		TO-257	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		1.15 V @ 15 A	35 ns	10 µA @ 800 mV	-65°C〜150°C	15a	300pf @ 5V，1MHz
CDLL3155A	15.4800	RFQ	3894	微芯片技术	-	大部分	积极的	±4.7％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL3155		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 5.5 V				8.4 v	15欧姆
CDLL981	2.9400	RFQ	9534	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL981		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 52 V				68 v	230欧姆
1N6625/tr	12.0450	RFQ	4642	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6625/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1100 v		1.75 V @ 1 A	60 ns	1 µA @ 1100 V	-65°C〜150°C	1a	10pf @ 10V，1MHz
JANTX1N6341C	29.2350	RFQ	6224	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANTX1N6341C	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 39 V				51 v	85欧姆
1N6000C	4.1550	RFQ	8463	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6000		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 8 V				10 v	15欧姆
JANTXV1N5621US	-	RFQ	7900	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	大部分	在sic中停产			表面安装	SQ-MELF，a		标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		800 v		1.6 V @ 3 A	300 ns	500 NA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	20pf @ 12v，1MHz
SMAJ4757E3/TR13	0.6450	RFQ	3281	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ4757		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 38.8 V				51 v	95欧姆
JANTX1N6628U/TR	24.9600	RFQ	4052	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，E		标准		D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6628U/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		600 v		1.35 V @ 2 A	30 ns	2 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	1.75a	-
JAN1N3041CUR-1	32.5950	RFQ	8357	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3041		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 56 V				75 v	175欧姆
JANS1N4121D-1/TR	94.7000	RFQ	2422	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4121D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 25.1 V				33 V	200欧姆
JANTXV1N4996CUS/TR	-	RFQ	2892	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	E-Melf	下载				150-JANTXV1N4996CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 297 V				390 v	1800欧姆
1月1N975D-1/tr	5.0008	RFQ	5551	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N975D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 30 V				39 v	80欧姆
Jan1n6630u/tr	19.3500	RFQ	3584	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准，反极性		B，平方米	-			到达不受影响	150-JAN1N6630U/TR	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		990 v		1.4 V @ 1.4 A	60 ns	2 µA @ 990 V	-65°C〜150°C	1.4a	40pf @ 10V，1MHz
1月1N982CUR-1	11.3850	RFQ	9582	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N982		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 56 V				75 v	270欧姆
JANTX1N5528B-1	6.1500	RFQ	4199	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5528		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 7.5 V				8.2 v	40欧姆
UFS340JE3/TR13	1.3050	RFQ	6016	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	UFS340	标准		do-214ab	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v		1.1 V @ 3 A	50 ns	10 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C	3a	-
Jan1n6326us	13.4700	RFQ	5490	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6326		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 9.9 V				12 v	7欧姆
1 PMT5953CE3/TR13	0.7350	RFQ	1997	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 114 V				150 v	600欧姆
1N5348C/TR12	3.3900	RFQ	7207	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5348		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		5 µA @ 8 V				11 V	2.5欧姆
JANS1N6486CUS	-	RFQ	7604	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 µA @ 1 V				3.6 v	10欧姆
R2050	33.4500	RFQ	2162	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R2050			1
JANS1N4117-1/TR	31.6700	RFQ	3323	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4117-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		40 µA @ 15 V				25 v	150欧姆
1N5743B	1.8600	RFQ	5459	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5743		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					900 mv @ 10 ma		100 na @ 14 V				20 v	55欧姆
1N5945B/TR	3.1787	RFQ	6290	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.25 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5945b/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 51.2 V				68 v	120欧姆
Jan1n6328d	24.7800	RFQ	5735	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JAN1N6328D	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 11 V				15 v	10欧姆
1N5736D	4.6800	RFQ	1251	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5736		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					900 mv @ 10 ma		200 na @ 7 V				10 v	20欧姆
1N6672R	201.0900	RFQ	9651	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA	1N6672	标准		TO-254	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	300 v	15a	1.35 V @ 10 A	35 ns	50 µA @ 240 V	-
JANTXV1N972BUR-1	7.5600	RFQ	7185	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N972		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 23 V				30 V	49欧姆
JAN1N5519DUR-1/TR	38.2641	RFQ	7452	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5519DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²