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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
S30610	49.0050	RFQ	6797	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	-	到达不受影响	150-S30610	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		100 v		1.1 V @ 200 A	5 µs	50 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C	70a	-
681-3	280.3200	RFQ	3470	微芯片技术	-	大部分	积极的			底盘安装	ND	681-3	标准		ND	下载	到达不受影响	150-681-3	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1独立	300 v	15a	1.2 V @ 10 A		10 µA @ 300 V	-65°C〜150°C
S3670	61.1550	RFQ	5107	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-S3670			1
1N4240	53.5950	RFQ	1388	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-203AA（DO-4）	-	到达不受影响	150-1N4240	Ear99	8541.10.0050	1													5 v	0.68欧姆
R4350	102.2400	RFQ	8305	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-	到达不受影响	150-R4350	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		500 v		1.1 V @ 200 A		50 µA @ 500 V	-65°C 〜200°C	150a	-
1N2133A	74.5200	RFQ	6841	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载	到达不受影响	150-1N2133A	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		300 v		1.25 V @ 200 A		25 µA @ 300 V	-65°C 〜200°C	70a	-
1N5817G	5.9550	RFQ	5677	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do041，轴向		肖特基		do-41	-	到达不受影响	150-1N5817G	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		20 v		450 MV @ 1 A		1 ma @ 20 V	-65°C〜150°C	1a	-
60HFU-200	116.5650	RFQ	4550	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-203AB（DO-5）	-	到达不受影响	150-60HFU-200			1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v					-65°C〜175°C	-	-
1N5273	3.0750	RFQ	3130	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5273	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 86 V						120 v	900欧姆
R414	102.2400	RFQ	9643	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-R414			1
R50460	158.8200	RFQ	6673	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	-	到达不受影响	150-R50460	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.25 V @ 1000 A		75 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	300A	-
S42130	102.2400	RFQ	5708	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-S42130			1
1N2129AR	74.5200	RFQ	8992	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准，反极性		DO-5（do-203ab）	下载	到达不受影响	150-1N2129AR	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		100 v		1.25 V @ 200 A		25 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	70a	-
R50440	158.8200	RFQ	9261	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	-	到达不受影响	150-R50440	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v		1.25 V @ 1000 A		75 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	300A	-
1N5098	23.4000	RFQ	5484	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	轴向			3 W	轴向	-	到达不受影响	150-1N5098	Ear99	8541.10.0050	1							1 µA @ 98.8 V						130 v	375欧姆
S4230	102.2400	RFQ	5111	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-	到达不受影响	150-S4230	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		300 v		1.2 V @ 200 A		50 µA @ 300 V	-65°C 〜200°C	125a	-
R4380	102.2400	RFQ	2225	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-	到达不受影响	150-R4380	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		800 v		1.1 V @ 200 A		50 µA @ 800 V	-65°C 〜200°C	150a	-
60HFU-300	116.5650	RFQ	1623年	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-203AB（DO-5）	-	到达不受影响	150-60HFU-300			1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		300 v					-65°C〜175°C	-	-
1N4595R	102.2400	RFQ	7254	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准，反极性		DO-205AA（DO-8）	下载	到达不受影响	150-1N4595R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1200 v		1.1 V @ 200 A		50 µA @ 1200 V	-65°C 〜200°C	150a	-
1N5085	23.4000	RFQ	3553	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	轴向			3 W	轴向	-	到达不受影响	150-1N5085	Ear99	8541.10.0050	1							1 µA @ 38 V						50 V	50欧姆
1N4685E3	4.1250	RFQ	5389	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N4685E3	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		7.5 µA @ 2 V						3.6 v
jankca1n4131d	-	RFQ	5073	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-Jankca1n4131d	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 57 V						75 v	700欧姆
JANTXV1N6336D	46.9200	RFQ	5663	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANTXV1N6336D	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 25 V						33 V	40欧姆
CDLL5249D	8.4150	RFQ	8091	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5249D	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 14 V						19 v	23欧姆
R2150	33.4500	RFQ	4272	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-R2150			1
1N2130RA	74.5200	RFQ	7649	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准，反极性		DO-5（do-203ab）	下载	到达不受影响	150-1N2130RA	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		150 v		1.25 V @ 200 A		25 µA @ 150 V	-65°C 〜200°C	70a	-
S3220	49.0050	RFQ	5731	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-S3220			1
697-4	-	RFQ	7556	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-flatpack		标准		GA	-	到达不受影响	150-697-4	Ear99	8541.10.0080	25					1 V @ 2 A		5 µA @ 400 V		2.5 a		单相	400 v
1N4596	102.2400	RFQ	7636	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	下载	到达不受影响	150-1N4596	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1400 v		1.1 V @ 200 A		50 µA @ 1400 V	-65°C 〜200°C	150a	-
R3250	49.0050	RFQ	8395	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-R3250			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²