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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N4626-1	2.6250	RFQ	6625	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4626	500兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.1 V @ 200 ma	1 µA @ 5.2 V	5.6 v	1400欧姆
1N4680UR-1	5.0850	RFQ	8803	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4680	500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 100 ma	4 µA @ 1 V	2.2 v
1N4681UR-1	5.0850	RFQ	3745	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4681	500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 100 ma	2 µA @ 1 V	2.4 v
1N4683UR-1	5.0850	RFQ	3622	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4683	500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 100 ma	800 na @ 1 V	3 V
1N4691UR-1	5.0850	RFQ	8583	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4691	500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.5 V @ 100 ma	10 µA @ 5 V	6.2 v
1N4728AUR	3.4650	RFQ	7228	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4728	1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	100 µA @ 1 V	3.3 v	10欧姆
1N4729AUR	3.4650	RFQ	6650	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4729	1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	100 µA @ 1 V	3.6 v	10欧姆
1N4730AR	3.4650	RFQ	5546	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4730	1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	50 µA @ 1 V	3.9 v	9欧姆
1N4737AUR	3.4650	RFQ	5400	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4737	1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 5 V	7.5 v	4欧姆
1N4738AR	3.4650	RFQ	3728	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4738	1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 6 V	8.2 v	4.5欧姆
1n4739aur	3.4650	RFQ	8509	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4739	1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 7 V	9.1 v	5欧姆
1N4742AUR	3.4650	RFQ	9484	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4742	1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 9.1 V	12 v	9欧姆
1N4750AR	3.4650	RFQ	9250	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4750	1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 20.6 V	27 V	35欧姆
1N4751AUR	3.4650	RFQ	5040	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4751	1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 22.8 V	30 V	40欧姆
1N47533	3.4650	RFQ	8579	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4753	1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 27.4 V	36 V	50欧姆
1n4761aur	3.4650	RFQ	8160	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4761	1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 56 V	75 v	175欧姆
1N4762AUR	3.4650	RFQ	3492	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4762	1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 62.2 V	82 v	200欧姆
1n4764aur	-	RFQ	3589	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4764	1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1	1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 76 V	100 v	350欧姆
1N4766	81.6750	RFQ	9727	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	0°C〜75°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4766	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			9.1 v	350欧姆
1N4769	144.1350	RFQ	1136	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	0°C〜75°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4769	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			9.1 v	350欧姆
1N4769A	152.0550	RFQ	4399	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4769	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			9.1 v	350欧姆
1N4771A	90.2250	RFQ	4911	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4771	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			9.1 v	200欧姆
1N4776	31.7100	RFQ	5075	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	0°C〜75°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4776	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			8.5 v	200欧姆
1N4783A	133.2750	RFQ	5128	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4783	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			8.5 v	100欧姆
1N4784	264.6450	RFQ	6511	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	0°C〜75°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4784	500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			8.5 v	100欧姆
1N4897	48.7050	RFQ	9393	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-25°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4897	400兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			12.8 v	400欧姆
1N4898A	101.5500	RFQ	4915	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4898	400兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			12.8 v	400欧姆
1N4899A	179.3850	RFQ	6763	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4899	400兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			12.8 v	400欧姆
1N4900A	25.8900	RFQ	7309	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4900	400兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			12.8 v	200欧姆
1N4901A	51.6450	RFQ	5057	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4901	400兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1			12.8 v	200欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²