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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电容比	电容比条件	q @ vr，f
1N5194	8.1000	RFQ	4902	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5194	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	70 v	1 V @ 100 ma		25 NA @ 70 V	-65°C〜175°C	200mA	-
JANTX1N4245	4.7250	RFQ	2281	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/286	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N4245	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	-
JANTX1N4485C	19.7700	RFQ	5889	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4485		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		250 NA @ 54.4 V						68 v	100欧姆
CDLL5533B	6.4800	RFQ	2954	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5533		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 11.7 V						13 V	90欧姆
Jan1n2974b	-	RFQ	6290	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		25 µA @ 7.6 V						10 v	3欧姆
MV30018-150A/TR	-	RFQ	8084	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C 〜175°C	表面安装	死				芯片	-			到达不受影响	150-MV30018-150A/TR	Ear99	8541.10.0040	1								3pf @ 4V，1MHz	单身的	22 v			6	C2/C20	2500 @ 4V，50MHz
JANS1N5968CUS	-	RFQ	9924	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 ma @ 4.28 V						5.6 v	1欧姆
1月1N2819RB	-	RFQ	1897年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2819		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 16.7 V						22 v	2.5欧姆
SMBJ4745/TR13	0.8700	RFQ	7367	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4745		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 12.2 V						16 V	16欧姆
1N647/tr	1.6891	RFQ	4522	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N647/tr	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1 V @ 400 MA			-	-	-
JANTXV1N2808RB	-	RFQ	5002	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2808		25 w	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		25 µA @ 6.7 V						10 v	0.6欧姆
JANS1N4124C-1/TR	63.1902	RFQ	2285	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4124C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 32.7 V						43 V	250欧姆
1月1N978D-1/tr	5.8919	RFQ	4941	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N978D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 39 V						51 v	125欧姆
JANTX1N3912R	-	RFQ	1273	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/308	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	300 v	1.4 V @ 50 A	200 ns		-65°C〜150°C	30a	-
1N1199R	75.5700	RFQ	3476	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1199	标准，反极性		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	50 V	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 50 V	-65°C 〜200°C	12a	-
1N4683	3.9300	RFQ	2691	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4683		500兆	do-7	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		800 na @ 1 V						3 V
JANTX1N978B-1	3.4350	RFQ	8966	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N978		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 39 V						51 v	125欧姆
JANTX1N6354	-	RFQ	2624	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/516	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 137 V						180 v	1500欧姆
1N5944BP/TR8	1.8900	RFQ	1415	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5944		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 47.1 V						62 v	100欧姆
1N5927B	3.0300	RFQ	2808	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.25 w	do-41	-			到达不受影响	1N5927BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V						12 v	6.5欧姆
JANTXV1N4981US/TR	16.1250	RFQ	7935	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTXV1N4981US/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 69.2 V						91 v	90欧姆
1月1N964B-1	1.9050	RFQ	3536	微芯片技术	MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N964		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 9.9 V						13 V	13欧姆
JAN1N6642U	7.7800	RFQ	5654	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，d	1N6642	标准		D-5D	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	75 v	1.2 V @ 100 ma	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	-
JANTXV1N4575AR-1	8.9100	RFQ	3854	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4575		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V						6.4 v	50欧姆
1N4749AE3/TR13	0.8700	RFQ	2091	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4749		1 w	DO-204AL（DO-41）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 18.2 V						24 V	25欧姆
Jan1n753c-1/tr	4.7481	RFQ	2524	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N753C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3.5 V						6.2 v	7欧姆
1N3168R	201.6150	RFQ	3170	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3168	标准		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3168RMS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.55 V @ 940 A		10 ma @ 400 V	-65°C 〜200°C	300A	-
UES1105SMHR2	68.6250	RFQ	9510	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规	不适用	到达不受影响			0000.00.0000	1
1N5533C	11.3550	RFQ	9424	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5533C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 11.7 V						13 V	90欧姆
CDLL5518/tr	5.9052	RFQ	9666	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5518/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 900 mV						3.3 v	26欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²