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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电流 -最大	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f	电容比	电容比条件	q @ vr，f
Jan1n4101-1/tr	3.7772	RFQ	8127	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4101-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.3 V						8.2 v	200欧姆
Jan1n1124ra	483.2250	RFQ	8441	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/260	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）			200 v	2.2 V @ 10 A		5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C		-
JANTX1N3034BUR -1	14.5800	RFQ	2878	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3034		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 29.7 V						39 v	60欧姆
JANTX1N4493DUS	45.0900	RFQ	9696	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4493		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		250 NA @ 120 V						150 v	700欧姆
1月1N977D-1/tr	5.8919	RFQ	9000	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N977D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 36 V						47 V	105欧姆
JANTXV1N6316C	36.0300	RFQ	3441	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6316		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		5 µA @ 1.5 V						4.7 v	17欧姆
JANTX1N6309	-	RFQ	4209	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		100 µA @ 1 V						2.4 v	30欧姆
1N976B	2.0700	RFQ	1389	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N976		500兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N976BMS	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 32.7 V						43 V	93欧姆
JANTX1N444466DUS/TR	49.7400	RFQ	9196	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANTX1N444466DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		300 NA @ 8.8 V						11 V	6欧姆
JANTX1N44465DUS/TR	49.7250	RFQ	1186	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTX1N444465DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		300 na @ 8 V						10 v	5欧姆
1 PMT4099CE3/TR13	0.5400	RFQ	5428	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点4099		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 5.17 V						6.8 v	200欧姆
JANTX1N973BUR-1	7.4100	RFQ	4664	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N973		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 25 V						33 V	58欧姆
1N5357/TR8	2.6250	RFQ	1214	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5357		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 14.4 V						20 v	3欧姆
CDLL3157/tr	62.1000	RFQ	3735	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±4.76％	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL3157/tr	Ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 5.5 V						8.4 v	15欧姆
1N4618UR3	3.6000	RFQ	1454	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载			到达不受影响	150-1N4618URE3	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 1 V						2.7 v	1500欧姆
JANTX1N941BUR-1	-	RFQ	4099	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/157	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N941		500兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V						11.7 v	30欧姆
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Janhca1n4116d	-	RFQ	9312	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n4116d	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18.25 V						24 V	150欧姆
Jan1n4551b	-	RFQ	7189	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		100 µA @ 1 V						4.7 v	0.12欧姆
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JANTXV1N6487	-	RFQ	1001	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		35 µA @ 1 V						3.9 v	9欧姆
1 PMT4106CE3/TR7	0.4950	RFQ	9539	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.12 V						12 v	200欧姆
JANTXV1N990B-1/TR	-	RFQ	6570	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N990B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 122 V						160 v	1.7欧姆
Jan1n983dur-1/tr	12.7680	RFQ	4000	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N983DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 62 V						82 v	330欧姆
1N4944/tr	9.0600	RFQ	1206	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4944/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			400 v	1.3 V @ 1 A	150 ns	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	35pf @ 12V，1MHz
JANTXV1N3025CUR-1/TR	40.4985	RFQ	5998	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3025CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 12.2 V						16 V	16欧姆
LXS201-23-0/tr	6.1800	RFQ	8121	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	LXS201			SOT-23-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-LXS201-23-0/tr	Ear99	8541.10.0060	1,000		1 a	250兆							0.3pf @ 0v，1MHz	肖特基 -单身	3V			-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²