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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTX1N6347CUS	39.7950	RFQ	8575	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JANTX1N6347CUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 69 V				91 v	270欧姆
SBR6090	148.2150	RFQ	8992	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		肖特基		DO-203AB（DO-5）	-	到达不受影响	150-SBR6090	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		90 v		890 mv @ 60 a		1 ma @ 90 V	-65°C〜175°C	60a	-
CDLL5276D	8.4150	RFQ	9268	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa				do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5276D	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 108 V				150 v	1500欧姆
Janhca1n5535c	-	RFQ	2243	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-Janhca1n5535c	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 13.5 V				15 v	100欧姆
1N5256A-1	2.1000	RFQ	5880	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5256A-1	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 22 V				30 V	49欧姆
1N5522	1.8150	RFQ	5529	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5522	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1.5 V				4.7 v	22欧姆
JANS1N4623D-1	155.7750	RFQ	6058	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANS1N4623D-1	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V				4.3 v	1600欧姆
JAN1N6351CUS	63.7050	RFQ	6011	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JAN1N6351CUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 99 V				130 v	850欧姆
CDLL5519E3	6.6600	RFQ	8156	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5519E3	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 900 mV				3.6 v	24欧姆
UZ5806	32.2650	RFQ	3563	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-	到达不受影响	150-UZ5806	Ear99	8541.10.0050	1							500 µA @ 5.2 V				6.8 v	1欧姆
1N959B-1	3.8100	RFQ	2794	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N959B-1	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 µA @ 6.2 V				8.2 v	6.5欧姆
R43140T	102.2400	RFQ	2360	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-	到达不受影响	150-R43140T	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1400 v		1.1 V @ 200 A		50 µA @ 1400 V	-65°C 〜200°C	150a	-
JANS1N4988CUS	462.0150	RFQ	1529年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-	到达不受影响	150-JANS1N4988CUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 136.8 V				180 v	450欧姆
S306120F	49.0050	RFQ	7945	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-S306120F			1
1N6921UTK4AS	259.3500	RFQ	6543	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-1N6921UTK4AS			1
1N5526	1.8150	RFQ	2803	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5526	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.5 V				6.8 v
1N4619C-1	5.2500	RFQ	1849年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N4619C-1	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		400 na @ 1 V				3 V	1600欧姆
1N5539C	11.3550	RFQ	6842	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5539C	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 17.1 V				19 v	100欧姆
1N4625D-1	6.5700	RFQ	8204	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N4625D-1	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V				5.1 v	1500欧姆
CDLL5273A	3.5850	RFQ	6553	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa				do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5273A	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 86 V				120 v	900欧姆
1N5524C	11.3550	RFQ	8084	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5524C	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 3.5 V				5.6 v	30欧姆
CDS5819-1	-	RFQ	4193	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-CDS5819-1			50
R20150	33.4500	RFQ	7130	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-R20150			1
R20110	33.4500	RFQ	1969年	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-R20110			1
S3225	49.0050	RFQ	8548	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-S3225			1
1N3765R	68.2500	RFQ	7815	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载	到达不受影响	150-1N3765R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		700 v		1.2 V @ 90 A		10 µA @ 700 V	-65°C 〜200°C	35a	-
S4210	102.2400	RFQ	8721	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-	到达不受影响	150-S4210	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		100 v		1.2 V @ 200 A		50 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	125a	-
S3280	49.0050	RFQ	1971年	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-S3280			1
1N6770	199.5300	RFQ	4223	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-257-3	1N6770	标准		TO-257	-	到达不受影响	150-1N6770	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	150 v	8A（DC）	1.06 V @ 8 A	35 ns	10 µA @ 120 V	-
1N3744	158.8200	RFQ	1656年	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	下载	到达不受影响	150-1N3744	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1400 v		1.3 V @ 300 A		75 µA @ 1400 V	-65°C 〜190°C	275a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²