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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1 PMT4131E3/TR7	0.4950	RFQ	3974	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 57 V				75 v	250欧姆
1 PMT4132C/TR7	1.2450	RFQ	2197	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4132		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 62.32 V				82 v	250欧姆
1 PMT4133/TR13	-	RFQ	7955	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4133		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 66.12 V				87 v	250欧姆
1 PMT4133/TR7	0.9600	RFQ	5242	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4133		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 66.12 V				87 v	250欧姆
APT100DL60BG	-	RFQ	4648	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-2	APT100DL60	标准		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.6 V @ 100 A			-55°C 〜175°C	100a	-
1N5188	-	RFQ	9914	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.5 V @ 9 A	250 ns	2 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	3a	-
1N5195	8.1000	RFQ	3774	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5195	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	180 v	1 V @ 100 ma		25 na @ 180 V	-65°C〜175°C	200mA	-
1N5196ur	9.0600	RFQ	5450	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	DO-213AA（）	1N5196	标准		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	225 v	1 V @ 100 ma		25 NA @ 225 V	-65°C〜175°C	200mA	-
1N5415	6.5250	RFQ	6253	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	1N5415	标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.5 V @ 9 A	150 ns	1 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	3a	-
1N5415US	-	RFQ	4383	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产			表面安装	SQ-MELF，E		标准		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.5 V @ 9 A	150 ns	1 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	3a	-
1N5535B	2.8950	RFQ	4828	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5535		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 13.5 V				15 v	102欧姆
1N5537B	3.0900	RFQ	7926	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5537		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.3 V				17 V	104欧姆
1N5539B	3.0750	RFQ	8792	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5539		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 17.1 V				19 v	106欧姆
1N5542B	3.0750	RFQ	6807	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5542		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 21.6 V				24 V	109欧姆
1N5550	6.0400	RFQ	833	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	1N5550	标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.2 V @ 9 A	2 µs	1 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	3a	-
1N5551	6.0450	RFQ	5321	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	1N5551	标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.2 V @ 9 A	2 µs	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	3a	-
1N5614	4.1800	RFQ	1232	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5614	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.3 V @ 3 A	2 µs	500 na @ 200 V	-65°C 〜200°C	1a	-
1N5615US	7.4800	RFQ	300	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N5615	标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2266-1N5615US	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.6 V @ 3 A	150 ns	500 na @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	45pf @ 12V，1MHz
1N5618	4.1600	RFQ	1392	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5618	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.3 V @ 3 A	2 µs	500 NA @ 600 V	-65°C 〜200°C	1a	-
1N5620	4.5800	RFQ	167	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5620	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	1.3 V @ 3 A	2 µs	500 NA @ 800 V	-65°C 〜200°C	1a	-
1N5622	5.9200	RFQ	108	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5622	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.3 V @ 3 A	2 µs	500 NA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	1a	-
1N5623	7.2150	RFQ	3950	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5623	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1000 v	1.6 V @ 3 A	500 ns	500 NA @ 1000 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 12V，1MHz
1N5728C	3.7200	RFQ	3280	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5728		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma		3 µA @ 2 V				4.7 v	70欧姆
1N5731B	1.8600	RFQ	3688	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5731		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma		3 µA @ 4 V				6.2 v	10欧姆
1N5732B	1.8600	RFQ	2084	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5732		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma		3 µA @ 4 V				6.8 v	10欧姆
1N5732D	4.6800	RFQ	2665	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5732		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			900 mv @ 10 ma		3 µA @ 4 V				6.8 v	10欧姆
1N3070	-	RFQ	9957	微芯片技术	-	大部分	过时的			通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N3070	标准		do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N3070ms	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	175 v	1 V @ 100 ma	50 ns	100 NA @ 175 V	-65°C〜175°C	100mA	-
1N4372A	3.0900	RFQ	5530	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4372		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1n4372am	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 µA @ 1 V				3 V	29欧姆
1N4446	1.8900	RFQ	3440	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4446	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N4446MS	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	75 v	1 V @ 20 ma	4 ns	25 na @ 20 V	-65°C〜150°C	200mA	-
1N4447	1.1850	RFQ	1658年	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4447	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N4447MS	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	75 v	1 V @ 20 ma	4 ns	25 na @ 20 V	-65°C〜150°C	200mA	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²