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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
Jan1n3049bur-1/tr	-	RFQ	9691	微芯片技术	MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.5 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-				150-JAN1N3049BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 121.6 V				160 v	1100欧姆
1N5275BE3	2.9260	RFQ	6356	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5275BE3	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		100 NA @ 106 V				140 v	1300欧姆
JANTX1N5528B-1/TR	5.5328	RFQ	2397	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5528B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 7.5 V				8.2 v	40欧姆
1N5367BE3/TR8	2.6850	RFQ	4244	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5367		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 A		500 na @ 31 V				43 V	20欧姆
JAN1N5543B-1	5.5200	RFQ	1124	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5543		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.4 V				25 v	100欧姆
JANTX1N3912	-	RFQ	2326	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/308	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3912	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		300 v		1.4 V @ 50 A	200 ns	15 µA @ 300 V	-65°C〜150°C	50a	-
CD4579A	17.0100	RFQ	6975	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	死				死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4579A	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 v	50欧姆
CDLL4572A/TR	9.6450	RFQ	7184	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4572A/TR	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V					100欧姆
JANTXV1N4624D-1/TR	16.5186	RFQ	6787	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4624D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V				4.7 v	1550年
1月1N5419	8.4300	RFQ	5002	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	1N5419	标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		500 v		1.5 V @ 9 A	250 ns	1 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	3a	-
SMBJ5380AE3/TR13	0.8100	RFQ	1406	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5380		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 86.4 V				120 v	170欧姆
1N4106ur-1/tr	3.5644	RFQ	3065	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4106ur-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.2 V				12 v	200欧姆
ST6080A	78.9000	RFQ	3982	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	ST60	标准		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-ST6080A	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对公共阳极	800 v	20a	1 V @ 30 A		10 µA @ 800 V	-65°C〜175°C
JANTX1N3154UR-1	-	RFQ	7063	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/158	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 5.5 V				8.4 v	15欧姆
1N944	33.1350	RFQ	4354	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N944		500兆	do-7	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆
JANTX1N4570AUR-1/TR	6.1200	RFQ	4278	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4570AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				3 V	100欧姆
1N3340B	49.3800	RFQ	3474	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3340		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 76 V				100 v	20欧姆
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JANTXV1N4483CUS	45.1350	RFQ	2805	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4483CUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		250 na @ 44.8 V				56 v	70欧姆
JANTX1N6343C	29.2350	RFQ	5144	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANTX1N6343C	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 47 V				62 v	125欧姆
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1N5519D	5.6850	RFQ	2200	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5519D	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
1N4739ur-1	3.4650	RFQ	4064	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-			到达不受影响	150-1N4739UR-1	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 7 V				9.1 v	5欧姆
1N4687UR-1	5.0850	RFQ	8330	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4687		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 100 ma		4 µA @ 2 V				4.3 v
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1N1185R	74.5200	RFQ	9688	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N1185	标准，反极性		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N1185RMS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		150 v		1.19 V @ 90 A		10 µA @ 150 V	-65°C 〜200°C	40a	-
CDLL4904A	27.5850	RFQ	7239	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4904		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V				12.8 v	100欧姆
JANTXV1N4626-1/TR	8.4987	RFQ	8013	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4626-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V				5.6 v	1400欧姆
1N946B/tr	62.8050	RFQ	3321	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N946B/tr	Ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²