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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTXV1N3046B-1	-	RFQ	8861	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
1N5518A	2.7150	RFQ	6559	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5518A	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 900 mV				3.3 v
JAN1N4132D-1	13.1400	RFQ	8947	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4132			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 62.4 V				82 v	800欧姆
1N4624/tr	2.8050	RFQ	5199	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	-			到达不受影响	150-1N4624/tr	Ear99	8541.10.0050	336					1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V				4.7 v	1550年
CDLL980	2.9400	RFQ	1360	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL980		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 47 V				62 v	185欧姆
JANTXV1N3017DUR-1/TR	51.2449	RFQ	7918	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3017DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 5.7 V				7.5 v	4欧姆
S16-4150/TR13	3.6150	RFQ	5278	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	S16-4150	标准		16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	2,500	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	8独立	50 V	400mA（DC）	1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	-55°C〜150°C
UZ217	22.4400	RFQ	5796	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向			3 W	a，轴向	-			到达不受影响	150-UZ217	Ear99	8541.10.0050	1
1月1N2819B	-	RFQ	4257	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2819		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 16.7 V				22 v	2.5欧姆
CDLL5237B/TR	2.7132	RFQ	3512	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5237B/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 6.5 V				8.2 v	8欧姆
CDLL5277C	6.7200	RFQ	1719年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa				do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5277C	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 116 V				160 v	1700欧姆
JANTX1N2834RB	-	RFQ	2457	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2834		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 51.7 V				68 v	8欧姆
1N5519CUR-1	12.9600	RFQ	2755	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-1N5519CUR-1	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
1月1N972D-1	5.4900	RFQ	9139	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N972		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 23 V				30 V	49欧姆
JANTX1N5543DUR-1/TR	42.0014	RFQ	4361	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5543DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.4 V				25 v	100欧姆
1N7039CCU1	193.1700	RFQ	4939	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅	1N7039	肖特基		U1（SMD-1）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		1.6 V @ 35 A		500 µA @ 150 V	-65°C〜150°C	35a	-
JAN1N3021CUR-1	32.5950	RFQ	5519	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3021		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 8.4 V				11 V	8欧姆
JANS1N6315US	-	RFQ	5020	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		2 µA @ 1 V				4.3 v	18欧姆
JANTXV1N3595US	13.5000	RFQ	5607	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响	2266-JANTXV1N3595US	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		125 v		1 V @ 200 MA	3 µs		-65°C〜150°C	4a	-
JANTXV1N4464CUS/TR	31.0350	RFQ	7303	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTXV1N4464CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		300 NA @ 5.46 V				9.1 v	4欧姆
CD018B-1/TR	-	RFQ	7330	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-CDS3018B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
CDLL4901A	58.8600	RFQ	8299	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4901		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V				12.8 v	200欧姆
R43120T	59.8350	RFQ	5952	微芯片技术	-	托盘	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	R43120	标准		DO-205AA（DO-8）	下载			到达不受影响	R43120TSM	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1200 v		1.1 V @ 200 A		50 µA @ 1200 V	-65°C 〜200°C	150a	-
1N4746AE3	3.8400	RFQ	1539年	微芯片技术	-	包	积极的	-	-	-	-	1N4746			-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	1N4746AE3MS	Ear99	8541.10.0050	1
1N5934E3/TR13	0.9900	RFQ	5141	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5934		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 18.2 V				24 V	19欧姆
JANTX1N4558B	-	RFQ	1793年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad			50 W	TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		150 µA @ 500 mV				4.3 v	0.16欧姆
JANS1N4123DUR-1	147.2700	RFQ	7920	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.7 V				39 v	200欧姆
1N4680/tr	3.6575	RFQ	5758	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4680/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		4 µA @ 1 V				2.2 v
JANTX1N967B-1	2.1800	RFQ	556	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N967		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 14 V				18 V	21欧姆
1N4122UR	3.7950	RFQ	8280	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4122		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 27.38 V				36 V	200欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²