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![]() | 1 PMT4121E3/TR7 | 0.4950 | ![]() | 9259 | 0.00000000 | 微芯片技术 | PowerMite® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午4121 | 1 w | do-216 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 25.08 V | 33 V | 200欧姆 | ||||||||
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![]() | 1 PMT4131CE3/TR13 | 0.4950 | ![]() | 8283 | 0.00000000 | 微芯片技术 | PowerMite® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 1 w | do-216 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 57 V | 75 v | 250欧姆 | ||||||||
![]() | 1 PMT4131E3/TR13 | 0.4950 | ![]() | 1593年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | PowerMite® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 1 w | do-216 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 57 V | 75 v | 250欧姆 | ||||||||
![]() | 1 PMT4131E3/TR7 | 0.4950 | ![]() | 3974 | 0.00000000 | 微芯片技术 | PowerMite® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 1 w | do-216 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 57 V | 75 v | 250欧姆 | ||||||||
![]() | 1 PMT4132C/TR7 | 1.2450 | ![]() | 2197 | 0.00000000 | 微芯片技术 | PowerMite® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午4132 | 1 w | do-216 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 62.32 V | 82 v | 250欧姆 | ||||||||
![]() | 1 PMT4133/TR13 | - | ![]() | 7955 | 0.00000000 | 微芯片技术 | PowerMite® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午4133 | 1 w | do-216 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 66.12 V | 87 v | 250欧姆 | ||||||||
![]() | 1 PMT4133/TR7 | 0.9600 | ![]() | 5242 | 0.00000000 | 微芯片技术 | PowerMite® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午4133 | 1 w | do-216 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 200 ma | 10 NA @ 66.12 V | 87 v | 250欧姆 | ||||||||
![]() | APT100DL60BG | - | ![]() | 4648 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | APT100DL60 | 标准 | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.6 V @ 100 A | -55°C 〜175°C | 100a | - | ||||||||
![]() | 1N5188 | - | ![]() | 9914 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | 通过洞 | B,轴向 | 标准 | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.5 V @ 9 A | 250 ns | 2 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||
![]() | 1N5195 | 8.1000 | ![]() | 3774 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5195 | 标准 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 180 v | 1 V @ 100 ma | 25 na @ 180 V | -65°C〜175°C | 200mA | - | |||||||
![]() | 1N5196ur | 9.0600 | ![]() | 5450 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | DO-213AA() | 1N5196 | 标准 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 225 v | 1 V @ 100 ma | 25 NA @ 225 V | -65°C〜175°C | 200mA | - |
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