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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTX1N6343C	29.2350	RFQ	5144	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANTX1N6343C	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 47 V				62 v	125欧姆
apt60d20bg	3.6300	RFQ	2833	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-2	APT60D20	标准		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	200 v	1.3 V @ 60 A	31 ns	250 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C	60a	-
1N5519D	5.6850	RFQ	2200	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5519D	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆
1N4739ur-1	3.4650	RFQ	4064	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-			到达不受影响	150-1N4739UR-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 7 V				9.1 v	5欧姆
1N4687UR-1	5.0850	RFQ	8330	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4687		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 100 ma		4 µA @ 2 V				4.3 v
SMBG5357C/TR13	2.8650	RFQ	3471	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5357		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 14.4 V				20 v	3欧姆
JAN1N4125DUR-1	27.9150	RFQ	3634	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4125			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 35.8 V				47 V	250欧姆
1N1185R	74.5200	RFQ	9688	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N1185	标准，反极性		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N1185RMS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	150 v	1.19 V @ 90 A		10 µA @ 150 V	-65°C 〜200°C	40a	-
CDLL4904A	27.5850	RFQ	7239	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4904		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				12.8 v	100欧姆
JANTXV1N4626-1/TR	8.4987	RFQ	8013	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4626-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V				5.6 v	1400欧姆
1N946B/tr	62.8050	RFQ	3321	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N946B/tr	Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆
Jan1n4101-1/tr	3.7772	RFQ	8127	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4101-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.3 V				8.2 v	200欧姆
Jan1n1124ra	483.2250	RFQ	8441	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/260	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	2.2 V @ 10 A		5 µA @ 200 V	-65°C〜150°C		-
JANTX1N3034BUR -1	14.5800	RFQ	2878	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3034		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 29.7 V				39 v	60欧姆
JANTX1N4493DUS	45.0900	RFQ	9696	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4493		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA		250 NA @ 120 V				150 v	700欧姆
1月1N977D-1/tr	5.8919	RFQ	9000	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N977D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 36 V				47 V	105欧姆
JANTXV1N6316C	36.0300	RFQ	3441	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6316		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 1.5 V				4.7 v	17欧姆
JANTX1N6309	-	RFQ	4209	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
1N976B	2.0700	RFQ	1389	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N976		500兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N976BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 32.7 V				43 V	93欧姆
JANTX1N444466DUS/TR	49.7400	RFQ	9196	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANTX1N444466DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		300 NA @ 8.8 V				11 V	6欧姆
JANTX1N44465DUS/TR	49.7250	RFQ	1186	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTX1N444465DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		300 na @ 8 V				10 v	5欧姆
1 PMT4099CE3/TR13	0.5400	RFQ	5428	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点4099		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 5.17 V				6.8 v	200欧姆
JANTX1N973BUR-1	7.4100	RFQ	4664	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N973		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 25 V				33 V	58欧姆
1N5357/TR8	2.6250	RFQ	1214	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5357		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 14.4 V				20 v	3欧姆
CDLL3157/tr	62.1000	RFQ	3735	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±4.76％	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL3157/tr	Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 5.5 V				8.4 v	15欧姆
1N4618UR3	3.6000	RFQ	1454	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载			到达不受影响	150-1N4618URE3	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 1 V				2.7 v	1500欧姆
JANTX1N941BUR-1	-	RFQ	4099	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/157	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N941		500兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆
CDLL4929A/TR	35.8050	RFQ	3817	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4929A/TR	Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 12 V				19.2 v	36欧姆
1N3595US/TR	9.3898	RFQ	4018	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N3595US/TR	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1 V @ 200 MA	3 µs	1 NA @ 125 V	-65°C〜150°C	4a	-
JANTX1N6642UBCC/TR	26.0813	RFQ	1012	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅		标准		UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6642UBCC/tr	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	75 v	1.2 V @ 100 ma	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²