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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N4480/tr	4.5486	RFQ	8444	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4480/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 34.4 V				43 V	40欧姆
CDLL3018A	14.7300	RFQ	8104	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3018		1 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 6.2 V				8.2 v	4.5欧姆
JANTXV1N4471US/TR	22.7696	RFQ	1856年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4471US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 14.4 V				18 V	11欧姆
JANTXV1N4116C-1	23.1600	RFQ	7151	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4116		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18.3 V				24 V	150欧姆
1N5936E3/TR13	-	RFQ	9165	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5936		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V				30 V	28欧姆
JANTX1N980CUR-1	15.5700	RFQ	1142	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N980		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 47 V				62 v	185欧姆
1 PMT4123/TR7	0.9600	RFQ	2410	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4123		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.65 V				39 v	200欧姆
JANTX1N982DUR-1	19.4700	RFQ	7388	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N982		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 56 V				75 v	270欧姆
JANTX1N5968CUS	-	RFQ	2593	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 ma @ 4.28 V				5.6 v	1欧姆
1N6545	12.1200	RFQ	1081	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6545				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
JANS1N4975CUS	343.6210	RFQ	2889	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4975CUS	Ear99	8541.10.0050	1
1N4985	9.8250	RFQ	6856	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4985		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 98.8 V				130 v	190欧姆
1N4246	3.7800	RFQ	8631	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N4246	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	-
JANS1N5809/TR	36.2550	RFQ	1219	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5809/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	875 mv @ 4 A	30 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	3a	60pf @ 10V，1MHz
JAN1N6317DUS	48.9150	RFQ	2906	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6317		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 2 V				5.1 v	14欧姆
1N5344E3/TR13	0.9900	RFQ	7747	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5344		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,250			1.2 V @ 1 A		10 µA @ 5.9 V				8.2 v	1.5欧姆
JANTX1N6311DUS	55.6050	RFQ	8721	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6311		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		30 µA @ 1 V				3 V	29欧姆
1月1N3826A-1	6.7650	RFQ	7039	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3826		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V				5.1 v	7欧姆
Jan1n4113d-1/tr	11.7838	RFQ	8400	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4113D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 14.5 V				19 v	150欧姆
CDLL5930	3.9300	RFQ	8933	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.25 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-			到达不受影响	150-CDLL5930	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 12.2 V				16 V	10欧姆
1N706	1.9200	RFQ	2041	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N706		250兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					5 µA @ 5.8 V				5.8 v	20欧姆
JANS1N6662US	-	RFQ	4094	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/587	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N6662	标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1 V @ 400 MA		50 NA @ 400 V	-65°C〜175°C	500mA	-
1N4710UR-1	5.0850	RFQ	8189	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N4710		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 100 ma		10 na @ 19 V				25 v
JAN1N3049CUR-1	-	RFQ	1641年	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANTX1N4963	6.1650	RFQ	6615	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4963		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 µA @ 12.2 V				16 V	3.5欧姆
1 PMT4112/TR13	0.9600	RFQ	6151	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 13.37 V				18 V	100欧姆
JANTXV1N4977CUS	40.8900	RFQ	2869	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4977CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 47.1 V				62 v	42欧姆
1N4109CUR-1/TR	6.9300	RFQ	3862	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载			到达不受影响	150-1N4109CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	137			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 11.4 V				15 v	100欧姆
1N4125/tr	2.3408	RFQ	4947	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4125/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 35.75 V				47 V	250欧姆
R5340T	158.8200	RFQ	5198	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R5340TS			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²