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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电流 -io(io) 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
1N5369AE3/TR12 Microchip Technology 1N5369AE3/TR12 2.6250
RFQ
ECAD 8139 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5369 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 36.7 V 51 v 27欧姆
1N5369C/TR12 Microchip Technology 1N5369C/TR12 3.3900
RFQ
ECAD 6931 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5369 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 36.7 V 51 v 27欧姆
1N5370/TR12 Microchip Technology 1N5370/TR12 2.6250
RFQ
ECAD 9081 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5370 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 40.3 V 56 v 35欧姆
1N5370A/TR12 Microchip Technology 1N5370A/TR12 -
RFQ
ECAD 7754 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5370 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 40.3 V 56 v 35欧姆
1N5370E3/TR12 Microchip Technology 1N5370E3/TR12 -
RFQ
ECAD 7564 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5370 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 40.3 V 56 v 35欧姆
1N5371A/TR12 Microchip Technology 1N5371A/TR12 2.6250
RFQ
ECAD 9982 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5371 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 43 V 60 V 40欧姆
1N5371BE3/TR12 Microchip Technology 1N5371BE3/TR12 2.6850
RFQ
ECAD 7334 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5371 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 43 V 60 V 40欧姆
1N5371E3/TR13 Microchip Technology 1N5371E3/TR13 0.9900
RFQ
ECAD 6404 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±20% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5371 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 43 V 60 V 40欧姆
1N5372BE3/TR12 Microchip Technology 1N5372BE3/TR12 2.6850
RFQ
ECAD 9024 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5372 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 44.6 V 62 v 42欧姆
1N5372C/TR12 Microchip Technology 1N5372C/TR12 3.3900
RFQ
ECAD 3108 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5372 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 44.6 V 62 v 42欧姆
1N5373A/TR12 Microchip Technology 1N5373A/TR12 2.6250
RFQ
ECAD 9258 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5373 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 49 V 68 v 44欧姆
1N5373AE3/TR12 Microchip Technology 1N5373AE3/TR12 2.6250
RFQ
ECAD 5311 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5373 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 49 V 68 v 44欧姆
1N5373CE3/TR13 Microchip Technology 1N5373CE3/TR13 1.3350
RFQ
ECAD 1716年 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5373 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,250 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 49 V 68 v 44欧姆
APT30DF100HJ Microchip Technology APT30DF100HJ 18.6502
RFQ
ECAD 4189 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 APT30DF100 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 3 V @ 30 A 100 µA @ 1000 V 45 a 单相 1 kV
APT30DF20HJ Microchip Technology APT30DF20HJ 17.0202
RFQ
ECAD 7006 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 APT30DF20 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 1.3 V @ 30 A 250 µA @ 200 V 45 a 单相 200 v
APT90DR160HJ Microchip Technology APT90DR160HJ 23.4202
RFQ
ECAD 9079 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 APT90DR160 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 1.3 V @ 90 A 50 µA @ 1600 V 单相 1.6 kV
APT60DF20HJ Microchip Technology APT60DF20HJ -
RFQ
ECAD 5052 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 标准 SOT-227 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 1.15 V @ 60 A 250 µA @ 200 V 90 a 单相 200 v
APT75DF170HJ Microchip Technology APT75DF170HJ 42.4800
RFQ
ECAD 1280 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 APT75DF170 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 2.2 V @ 75 A 250 µA @ 1700 V 75 a 单相 1.7 kV
1PMT4100CE3/TR13 Microchip Technology 1 PMT4100CE3/TR13 0.4950
RFQ
ECAD 9224 0.00000000 微芯片技术 PowerMite® 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 1 w do-216 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,000 1.1 V @ 200 ma 10 µA @ 5.7 V 7.5 v 200欧姆
1PMT4100CE3/TR7 Microchip Technology 1 PMT4100CE3/TR7 0.4950
RFQ
ECAD 1848年 0.00000000 微芯片技术 PowerMite® 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 1 w do-216 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 200 ma 10 µA @ 5.7 V 7.5 v 200欧姆
1PMT4101C/TR13 Microchip Technology 1 PMT4101C/TR13 1.2450
RFQ
ECAD 9276 0.00000000 微芯片技术 PowerMite® 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 1 w do-216 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,000 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 6.24 V 8.2 v 200欧姆
1PMT4102/TR13 Microchip Technology 1 PMT4102/TR13 0.9600
RFQ
ECAD 1595年 0.00000000 微芯片技术 PowerMite® 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 1 w do-216 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,000 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 6.61 V 8.7 v 200欧姆
1PMT4102/TR7 Microchip Technology 1 PMT4102/TR7 0.9600
RFQ
ECAD 8512 0.00000000 微芯片技术 PowerMite® 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 1 w do-216 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 6.61 V 8.7 v 200欧姆
1PMT4102C/TR13 Microchip Technology 1 PMT4102C/TR13 1.2450
RFQ
ECAD 3526 0.00000000 微芯片技术 PowerMite® 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 1 w do-216 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,000 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 6.61 V 8.7 v 200欧姆
1PMT4102C/TR7 Microchip Technology 1 PMT4102C/TR7 1.2450
RFQ
ECAD 4836 0.00000000 微芯片技术 PowerMite® 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 1 w do-216 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 6.61 V 8.7 v 200欧姆
1PMT4102CE3/TR7 Microchip Technology 1 PMT4102CE3/TR7 0.4950
RFQ
ECAD 7342 0.00000000 微芯片技术 PowerMite® 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 1 w do-216 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 6.61 V 8.7 v 200欧姆
1PMT4102E3/TR7 Microchip Technology 1 PMT4102E3/TR7 0.4950
RFQ
ECAD 6556 0.00000000 微芯片技术 PowerMite® 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 1 w do-216 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 6.61 V 8.7 v 200欧姆
1PMT4103/TR13 Microchip Technology 1 PMT4103/TR13 0.9600
RFQ
ECAD 9780 0.00000000 微芯片技术 PowerMite® 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 1 w do-216 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,000 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 6.92 V 9.1 v 200欧姆
1PMT4103E3/TR13 Microchip Technology 1 PMT4103E3/TR13 0.4950
RFQ
ECAD 3202 0.00000000 微芯片技术 PowerMite® 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 1 w do-216 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,000 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 6.92 V 9.1 v 200欧姆
1PMT4104/TR13 Microchip Technology 1 PMT4104/TR13 0.9600
RFQ
ECAD 7702 0.00000000 微芯片技术 PowerMite® 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 1 w do-216 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,000 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 7.6 V 10 v 200欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库