RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTXV1N2992B	-	RFQ	5152	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A	10 µA @ 29.7 V				39 v	11欧姆
CDS5231D-1	-	RFQ	6550	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5231D-1	Ear99	8541.10.0050	50
1N5991CE3	3.4846	RFQ	1784年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5991CE3	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 1 V				4.3 v	88欧姆
JANTX1N3823AUR-1	15.9000	RFQ	9173	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3823		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma	25 µA @ 1 V				3.9 v	9欧姆
1月1N983CUR-1	11.3850	RFQ	4242	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N983		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 62 V				82 v	330欧姆
SMAJ5932CE3/TR13	0.6450	RFQ	7069	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5932		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500					1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 15.2 V				20 v	14欧姆
JANTX1N4618DUR-1/TR	24.2193	RFQ	4052	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4618DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1						500 na @ 1 V				2.7 v	1500欧姆
CD4693	2.3408	RFQ	7960	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4693	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma	10 µA @ 5.7 V				7.5 v
1 PMT4112C/TR7	1.2450	RFQ	7566	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 13.37 V				18 V	100欧姆
Jan1n4474d	26.2200	RFQ	8914	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4474		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA	50 na @ 19.2 V				24 V	16欧姆
JANTXV1N754CUR-1	19.3500	RFQ	8696	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N754		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma	2 µA @ 4 V				6.8 v	5欧姆
JANTXV1N976C-1	8.9100	RFQ	8595	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N976		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 33 V				43 V	93欧姆
S4260F	57.8550	RFQ	9614	微芯片技术	S42	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	S4260	标准		DO-205AA（DO-8）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.2 V @ 200 A	50 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	125a	-
CD4481	4.3624	RFQ	4973	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-	表面安装	死				死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4481	Ear99	8541.10.0050	1
1N6341	8.4150	RFQ	8152	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6341		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A	50 NA @ 39 V				51 v	85欧姆
1N4979	6.7950	RFQ	3452	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4979		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A	2 µA @ 56 V				75 v	55欧姆
1N5356AE3/TR12	-	RFQ	3429	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5356		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A	500 NA @ 13.7 V				19 v	3欧姆
1N5535B	2.8950	RFQ	4828	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5535		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma	10 na @ 13.5 V				15 v	102欧姆
UZ7806	468.9900	RFQ	5464	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	螺柱			10 W	轴向	-			到达不受影响	150-UZ7806	Ear99	8541.10.0050	1						1 mA @ 4.9 V				6.8 v	0.6欧姆
ST3060D	63.3000	RFQ	4567	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	ST3060	标准		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-ST3060D	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对系列连接	600 v	15a	1.2 V @ 15 A	10 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C
JANTXV1N3026C-1	38.0400	RFQ	6997	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3026		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 13.7 V				18 V	20欧姆
JANTXV1N4466CUS	45.1350	RFQ	1198	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4466		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA	300 NA @ 8.8 V				11 V	6欧姆
JANTX1N3032C-1/TR	22.7962	RFQ	4964	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3032C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 25.1 V				33 V	45欧姆
1N5226/tr	2.8950	RFQ	3285	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5226/tr	Ear99	8541.10.0050	325					1.5 V @ 200 ma	25 µA @ 950 mv				3.3 v	28欧姆
Jan1n555222b-1/tr	5.0407	RFQ	9678	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5522B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma	2 µA @ 2 V				4.7 v	22欧姆
JANTX1N3002RB	-	RFQ	3968	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A	10 µA @ 56 V				75 v	22欧姆
JANTX1N4485US/TR	14.1645	RFQ	7489	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4485US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A	250 NA @ 54.4 V				68 v	100欧姆
R32150	49.0050	RFQ	1782年	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R32150			1
1N6872UTK2	259.3500	RFQ	9283	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2		肖特基		Thinkey™2	-			到达不受影响	150-1N6872UTK2			1	-						-	-	-
1月1N978D-1	6.4950	RFQ	1452	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N978		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 39 V				51 v	125欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²