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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电容比	电容比条件	q @ vr，f
Jan1n7049ur-1/tr	9.3150	RFQ	4026	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JAN1N7049UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1
JANTXV1N3595UR-1/TR	14.5901	RFQ	5927	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/241	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa	标准		do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTXV1N3595UR-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	125 v	920 MV @ 100 mA	3 µs	2 NA @ 125 V	-65°C〜175°C	150mA	-
CDLL5235/tr	2.7132	RFQ	9781	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf		10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL5235/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 5 V						6.8 v	5欧姆
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JANTXV1N6627/TR	18.0900	RFQ	9985	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	E，轴向	标准			-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTXV1N6627/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	440 v	1.35 V @ 2 A	30 ns	2 µA @ 440 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
Jan1n4570aur-1/tr	5.3850	RFQ	5944	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）		500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JAN1N4570AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V						6.4 v	100欧姆
1N4916A/TR	42.3300	RFQ	9057	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-1N4916A/TR	Ear99	8541.10.0050	1											19.2 v	600欧姆
Janhca1n5540b	6.7564	RFQ	2039	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANHCA1N5540B	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18 V						20 v	100欧姆
JANTXV1N6624US/TR	18.2700	RFQ	9116	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/585	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	标准		D-5A	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTXV1N6624US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	900 v	1.55 V @ 1 A	60 ns	500 NA @ 150 V	-65°C〜150°C	1a	10pf @ 10V，1MHz
JANTX1N3348B	-	RFQ	4445	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		50 W	do-5	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N3348B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 121.6 V						175 v	85欧姆
Jan1n5531bur-1/tr	12.9542	RFQ	9048	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）		500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JAN1N5531BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.9 V						11 V	80欧姆
Janhca1n754a	7.3283	RFQ	1787年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-Janhca1n754a	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 4 V						6.8 v	5欧姆
1N4710/tr	3.6575	RFQ	3723	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204aa，do-7，轴向		500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-1N4710/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19 V						25 v
JANTX1N555539C-1/TR	17.4496	RFQ	5574	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTX1N5539C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 17.1 V						19 v	100欧姆
1N4923A/TR	43.6800	RFQ	9138	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-1N4923A/TR	Ear99	8541.10.0050	1											19.2 v	150欧姆
CD4466	4.3624	RFQ	5743	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-	表面安装	死			死	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CD4466	Ear99	8541.10.0050	1
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CDLL5524B/TR	4.3358	RFQ	1061	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf		500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CDLL5524B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 3.5 V						5.6 v	30欧姆
JANTXV1N6661US/TR	-	RFQ	5729	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/587	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	标准		D-5A	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTXV1N6661US/TR	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	225 v	1 V @ 400 MA		50 NA @ 225 V	-65°C〜175°C	500mA	-
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JANTXV1N4126CUR-1/TR	25.6690	RFQ	8763	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）		500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTXV1N4126CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 38.8 V						51 v	300欧姆
Jan1n4614ur-1/tr	6.0116	RFQ	6765	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）		500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JAN1N4614UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 1 V						1.8 v	1200欧姆
1N4105ur-1/tr	3.5644	RFQ	7095	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-1N4105ur-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 8.5 V						11 V	200欧姆
JANS1N4129UR-1/TR	45.8600	RFQ	3937	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）		500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANS1N4129UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 47.1 V						62 v	500欧姆
JANS1N4127-1/TR	31.6700	RFQ	4616	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANS1N4127-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 42.6 V						56 v	300欧姆
JANTXV1N5538DUR-1/TR	55.0221	RFQ	3298	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）		500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTXV1N5538DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.2 V						18 V	100欧姆
Jan1n6323us/tr	14.2576	RFQ	4044	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JAN1N6323US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 7 V						9.1 v	6欧姆
JANTXV1N4617-1/TR	5.2535	RFQ	7887	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-JANTXV1N4617-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V						2.4 v	1400欧姆
CD970B	1.5029	RFQ	7859	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-CD970B	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		500 na @ 18 V						24 V	33欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²