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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电容比	电容比条件	q @ vr，f
1月1N816	-	RFQ	5231	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-	-	-				-	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANTXV1N5527B-1	9.1200	RFQ	2574	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 6.8 V						7.5 v	35欧姆
JANTX1N4466CUS/TR	28.8600	RFQ	5418	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTX1N444466CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A	300 NA @ 8.8 V						11 V	6欧姆
CDLL3027B	15.3000	RFQ	7124	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3027		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	500 NA @ 15.2 V						20 v	22欧姆
SBR6045	126.8400	RFQ	2583	微芯片技术	-	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	SBR6045	肖特基			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	45 v	600 mv @ 60 a	2 ma @ 45 V		60a	-
JANTXV1N6352	-	RFQ	8372	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	50 NA @ 114 V						150 v	1000欧姆
JANTX1N6662	-	RFQ	4212	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/587	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6662	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1 V @ 400 MA	50 NA @ 400 V	-65°C〜175°C	500mA	-
CDLL5525C/TR	12.3900	RFQ	6554	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5525C/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma	1 µA @ 5 V						6.2 v	30欧姆
Janhca1n5534b	6.7564	RFQ	6739	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n5534b	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 12.6 V						14 V	100欧姆
1 PMT5955AE3/TR13	0.7350	RFQ	9399	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 136.8 V						180 v	800欧姆
JAN1N4570A-1/TR	3.6150	RFQ	9313	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4570A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				2 µA @ 3 V						6.4 v	100欧姆
1N5945CPE3/TR12	1.2000	RFQ	9785	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5945		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 51.2 V						68 v	120欧姆
1月1N942BUR-1	-	RFQ	9100	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/157	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				15 µA @ 8 V						11.7 v	30欧姆
1N2992RB	40.3200	RFQ	3199	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2992		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A	10 µA @ 29.7 V						39 v	11欧姆
CDLL6761/TR	99.4500	RFQ	5618	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	CDLL6761	肖特基		DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	100 v	690 mv @ 1 a	100 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	70pf @ 5V，1MHz
UPS160E3/TR13	0.4800	RFQ	4147	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPS160	肖特基		Powermite	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	12,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	60 V	600 mV @ 1 A	100 µA @ 60 V	-55°C〜125°C	1a	55pf @ 4V，1MHz
SMBJ5348AE3/TR13	0.8100	RFQ	1020	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5348		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A	5 µA @ 8 V						11 V	2.5欧姆
1N4581A-1	-	RFQ	3999	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				2 µA @ 3 V						6.4 v	25欧姆
1月1N823UR-1	4.8300	RFQ	7955	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	do-213aa	1N823		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				2 µA @ 3 V						6.2 v	15欧姆
JAN1N3042CUR-1	32.5950	RFQ	8749	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3042		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 62.2 V						82 v	200欧姆
R37100	59.0400	RFQ	9735	微芯片技术	SR37	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1.15 V @ 200 A		-65°C 〜200°C	85a	-
CDLL759	2.8650	RFQ	8139	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL759		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	1 µA @ 9 V						12 v	30欧姆
1N4127/tr	2.3408	RFQ	9305	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4127/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 42.6 V						56 v	300欧姆
JANTX1N4573AUR-1	23.9400	RFQ	3520	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-		（1 （无限）	到达不受影响	JANTX1N4573AUR-1MS	Ear99	8541.10.0050	1				2 µA @ 3 V						6.4 v	100欧姆
JAN1N4463CUS	26.7600	RFQ	7145	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4463		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 MA	500 NA @ 4.92 V						8.2 v	3欧姆
JANS1N4996CUS	-	RFQ	2896	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 16.7 V						22 v	1800欧姆
1月1N6320C	24.3300	RFQ	5907	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6320		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	2 µA @ 4 V						6.8 v	3欧姆
JANTX1N3612	5.8800	RFQ	6802	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/228	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N3612	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.1 V @ 1 A	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	-
GMV2134-GM1/TR	-	RFQ	6696	微芯片技术	Gigamite®	托盘	积极的		-55°C〜125°C	表面安装	0805（2012年）				0805	-			到达不受影响	150-GMV2134-GM1/TR	Ear99	8541.10.0080	1							0.7pf @ 20v，1MHz	单身的	22 v			3.7	C4/C20	750 @ 4V，50MHz
JANTX1N962D-1	6.9900	RFQ	4008	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N962		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	1 µA @ 8.4 V						11 V	9.5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²