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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N3742	151.2750	RFQ	3607	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N3742	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 1000 V	-65°C 〜190°C	275a	-
JANTXV1N2824RB	-	RFQ	1442	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2824		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 25.1 V				33 V	3.2欧姆
Jan1n6352us/tr	-	RFQ	4428	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载				150-JAN1N6352US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 114 V				150 v	1000欧姆
JANTXV1N4988D	23.4600	RFQ	4461	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4988D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 136.8 V				180 v	450欧姆
JANTXV1N750CUR-1	19.7700	RFQ	2078	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N750		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1.5 V				4.7 v	19欧姆
1N735	-	RFQ	3886	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±10％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			250兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									75 v	240欧姆
1N5355B/TR12	2.5100	RFQ	2	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5355		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 13 V				18 V	2.5欧姆
CDS5712-1	-	RFQ	8143	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	50
JANTXV1N2974B	-	RFQ	8453	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		25 µA @ 7.6 V				10 v	3欧姆
JANS1N4614DUR-1/TR	-	RFQ	2671	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-JANS1N4614DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 1 V				1.8 v	1200欧姆
1N5373AE3/TR12	2.6250	RFQ	5311	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5373		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 49 V				68 v	44欧姆
CDLL4697/TR	3.1255	RFQ	1504	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4697/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 7.6 V				10 v
1N5943CE3/TR13	-	RFQ	7453	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5943		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 42.6 V				56 v	86欧姆
MSASC100W15HX/TR	-	RFQ	2048	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-MSASC100W15HX/TR			100
1N4753APE3/TR8	0.9450	RFQ	5978	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4753		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 27.4 V				36 V	50欧姆
JANTX1N4570A-1/TR	6.6900	RFQ	3974	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4570A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
JANS1N6315D	350.3400	RFQ	3409	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	托盘	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6315		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		2 µA @ 1 V				4.3 v	20欧姆
JANTX1N4371AUR-1	6.0300	RFQ	6589	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4371		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		60 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
1N4569A-1E3	67.5300	RFQ	8495	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4569A-1E3	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	200欧姆
R50410T	158.8200	RFQ	1879年	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R50410TS			1
JAN1N4618CUR-1/TR	15.0024	RFQ	4585	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4618CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 1 V				2.7 v	1500欧姆
1N5346/TR8	2.6250	RFQ	5812	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5346		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		7.5 µA @ 6.6 V				9.1 v	2欧姆
JANTX1N4966US	9.6150	RFQ	5474	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4966		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 16.7 V				22 v	5欧姆
1N3021BUR-1	14.7300	RFQ	6397	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N3021		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 8.4 V				11 V	8欧姆
JAN1N3029B-1	7.6500	RFQ	3758	微芯片技术	MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N3029		1 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 18.2 V				24 V	25欧姆
Jan1n3020d-1	25.4550	RFQ	5373	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3020		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 7.6 V				10 v	7欧姆
1N5938APE3/TR8	0.9150	RFQ	5066	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5938		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 27.4 V				36 V	38欧姆
JANTXV1N4122-1/TR	8.1662	RFQ	1189	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4122-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 27.4 V				36 V	200欧姆
JANS1N4576A-1	142.3350	RFQ	3039	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	50欧姆
JANS1N5420/tr	55.8450	RFQ	5669	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5420/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.5 V @ 9 A	400 ns		-65°C〜175°C	3a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²