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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f	电容比条件	q @ vr，f
JANTX1N4119UR-1	-	RFQ	8454	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1.1 V @ 200 ma	10 na @ 21.3 V				28 V	200欧姆
1N4746PE3/TR12	0.9150	RFQ	9220	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4746	1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000		1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 13.7 V				18 V	20欧姆
KVX2162-23-0/TR	7.6500	RFQ	6618	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KVX2162		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000				26pf @ 0v，1MHz	单身的	22 v				-	400 @ 4V，50MHz
1N5369B/TR8	-	RFQ	3871	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5369	5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000		1.2 V @ 1 A	500 NA @ 36.7 V				51 v	27欧姆
JANS1N4571AUR-1/TR	163.8300	RFQ	4113	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4571AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
UM7104B	-	RFQ	8645	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C〜175°C		轴向			轴向	-			到达不受影响	150-UM7104BTR	Ear99	8541.10.0060	1	5.5 w			1.2pf @ 100V，1MHz	PIN-单	400V			600MOHM @ 100mA，100MHz
1N5272B	2.7265	RFQ	8552	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5272B	Ear99	8541.10.0050	1		1.5 V @ 200 ma	100 na @ 84 V				110 v	750欧姆
1N5993	3.4050	RFQ	3986	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5993	Ear99	8541.10.0050	1		1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 1 V				5.1 v	88欧姆
1N3339RB	49.3800	RFQ	6643	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3339	50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1.5 V @ 10 A	10 µA @ 69.2 V				91 v	15欧姆
CDS5535CUR-1	471.0150	RFQ	3818	微芯片技术	*	大部分	积极的								-			到达不受影响	150-CDS5535CUR-1	Ear99	8541.10.0050	1
KVX3201-23-0	5.1150	RFQ	5710	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-KVX3201-23-0	Ear99	8541.10.0070	1
1N2825BE3	95.1150	RFQ	1852年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2825	10 W	TO-204AD（TO-3）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1.5 V @ 2 A	10 µA @ 27.4 V				36 V	3.5欧姆
1N4626D/tr	6.7500	RFQ	1093	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向		500兆	do-7	-			到达不受影响	150-1N4626D/tr	Ear99	8541.10.0050	140		1.1 V @ 200 ma	10 µA @ 4 V				5.6 v	1400欧姆
1N4716	3.9300	RFQ	7616	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4716	500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1.1 V @ 200 ma	10 na @ 29.6 V				39 v
1N456	3.4050	RFQ	2064	微芯片技术	*	大部分	积极的								-			到达不受影响	150-1N456			1
JANTXV1N3024C-1	28.9500	RFQ	5022	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3024	1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 11.4 V				15 v	14欧姆
CDLL4781/tr	36.6600	RFQ	3377	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	0°C〜75°C	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4781/tr	Ear99	8541.10.0050	1			10 µA @ 6 V				8.5 v	100欧姆
JANTX1N6637	-	RFQ	3288	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1.5 V @ 1 A	5 µA @ 1 V				5.1 v	1.5欧姆
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CD5257C	-	RFQ	1256	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-			到达不受影响	150-CD5257C	Ear99	8541.10.0050	291		1.5 V @ 200 ma	100 na @ 25 V				33 V	58欧姆
1N5522	1.8150	RFQ	5529	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5522	Ear99	8541.10.0050	1		1.1 V @ 200 ma	2 µA @ 1.5 V				4.7 v	22欧姆
UZ8833	20.9209	RFQ	9540	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	轴向		1 w	a，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-UZ8833	Ear99	8541.10.0050	1			500 NA @ 25.1 V				33 V	45欧姆
UZ820	22.4400	RFQ	2991	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向		3 W	a，轴向	-			到达不受影响	150-UZ820	Ear99	8541.10.0050	1
Jan1n3038bur-1	12.7350	RFQ	2306	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3038	1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 42.6 V				56 v	110欧姆
JANTX1N4481C	29.2650	RFQ	6704	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N4481	1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1 V @ 200 MA	50 NA @ 37.6 V				47 V	50欧姆
1N5257B/TR	2.0349	RFQ	8723	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5257B/tr	Ear99	8541.10.0050	1		1.5 V @ 200 ma	100 na @ 25 V				33 V	58欧姆
1N646ur-1	5.2950	RFQ	4052	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N646			-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
1N3323RB	49.3800	RFQ	8079	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3323	50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1		1.5 V @ 10 A	10 µA @ 20.6 V				27 V	2.8欧姆
1N5255/tr	4.4100	RFQ	6221	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5255/tr	Ear99	8541.10.0050	214		1.5 V @ 200 ma	100 na @ 20 V				28 V	44欧姆
1N4740E3/TR13	0.8100	RFQ	1022	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4740	1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000		1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 7.6 V				10 v	7欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²