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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N4125/tr	2.3408	RFQ	4947	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4125/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 35.75 V				47 V	250欧姆
R5340T	158.8200	RFQ	5198	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R5340TS			1
SMBJ5340C/TR13	2.1900	RFQ	8676	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5340		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		1 µA @ 3 V				6 V	1欧姆
1N5366AE3/TR8	-	RFQ	5391	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5366		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 28.1 V				39 v	14欧姆
JANTX1N4114DUR-1	31.0500	RFQ	2086	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4114		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.2 V				20 v	150欧姆
SMBJ4747E3/TR13	0.4350	RFQ	3023	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4747		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 15.2 V				20 v	22欧姆
1N5919D	7.5450	RFQ	9866	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5919		1.19 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V				5.6 v	2欧姆
1N6857-1/tr	8.8800	RFQ	6601	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		肖特基		DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6857-1/tr	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		20 v		750 mv @ 35 ma		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C	150mA	4.5pf @ 0v，1MHz
JANTXV1N3155UR-1	-	RFQ	9238	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/158	大部分	积极的	-	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 5.5 V				8.4 v	15欧姆
mbr4060pte3/tu	-	RFQ	1258	微芯片技术	*	管子	积极的					MBR4060				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,500
JANTXV1N5190	16.2300	RFQ	6444	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/297	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	1N5190	标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.5 V @ 9 A		2 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	3a	-
APT2X101DQ60J	24.4600	RFQ	117	微芯片技术	-	管子	积极的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT2X101	标准		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	2独立	600 v	100a	2.2 V @ 100 A	160 ns	25 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C
JANS1N4989US	115.5000	RFQ	5305	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 152 V				200 v	550欧姆
1 PMT4105E3/TR13	0.4950	RFQ	6610	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 8.44 V				11 V	200欧姆
JANTX1N3334RB	-	RFQ	2952	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 42.6 V				56 v	6欧姆
1N6022B	2.0700	RFQ	3921	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6022		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 62 V				82 v	280欧姆
JANTXV1N3022BUR-1	-	RFQ	8574	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	在sic中停产	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 9.1 V				12 v	9欧姆
JANS1N4615C-1/TR	107.7906	RFQ	9833	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4615C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2.5 µA @ 1 V				2 v	1.25欧姆
JANTXV1N3020C-1	30.4350	RFQ	1345	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3020		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 7.6 V				10 v	7欧姆
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JANTXV1N6627U/TR	24.9600	RFQ	4217	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，E		标准		D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N6627U/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v		1.35 V @ 2 A	30 ns	2 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	1.75a	-
CDLL4569A	82.8750	RFQ	7123	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa	CDLL4569		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V					200欧姆
1N4737P/TR8	1.8600	RFQ	8693	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4737		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 5 V				7.5 v	4欧姆
CDLL4755	3.4650	RFQ	4004	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4755			do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 32.7 V				43 V	70欧姆
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CDLL4576A	8.6250	RFQ	9186	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa	CDLL4576		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V					50欧姆
1N5269BUR-1	3.5850	RFQ	2978	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5269		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 68 V				87 v	370欧姆
1N5348CE3/TR8	3.3900	RFQ	4616	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5348		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 A		5 µA @ 8 V				11 V	2.5欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²