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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANS1N6487CUS	-	RFQ	2356	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		35 µA @ 1 V				3.9 v	9欧姆
1N4249	-	RFQ	6969	微芯片技术	-	大部分	过时的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	1a	-
1N4248	-	RFQ	1741年	微芯片技术	-	大部分	过时的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	-
JANS1N7055UR-1/TR	163.0650	RFQ	6071	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N7055UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1
BZV55C8V2	2.9400	RFQ	7170	微芯片技术	-	大部分	积极的	±6％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	BZV55C8V2			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		700 na @ 5 V				8.2 v
Jan1n3330b	-	RFQ	2378	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/158	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3330		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 35.8 V				47 V	5欧姆
UZ5822	32.2650	RFQ	1236	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-			到达不受影响	150-UZ5822	Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 15.8 V				22 v	5欧姆
1 PMT5933/TR13	2.2200	RFQ	4542	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 16.7 V				22 v	17.5欧姆
CDLL5278A/TR	3.7800	RFQ	9606	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa				do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5278A/TR	Ear99	8541.10.0050	250			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 123 V				170 v	1900欧姆
JANS1N4994C	-	RFQ	9740	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 251 V				330 v	1175欧姆
JANTX1N750DUR-1	15.2100	RFQ	6804	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N750		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1.5 V				4.7 v	19欧姆
1N4123/tr	2.3408	RFQ	7776	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4123/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.65 V				39 v	200欧姆
CDLL5913B-1	3.9300	RFQ	1459	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.25 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-			到达不受影响	150-CDLL5913B-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆
1N3664R	41.6850	RFQ	7440	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-208AA		标准，反极性		do-21	下载			到达不受影响	150-1N3664R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	500 v	1.1 V @ 35 A		10 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	35a	-
1N5358BE3/TR8	2.6850	RFQ	1995	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5358		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 15.8 V				22 v	3.5欧姆
1N5352A/TR8	-	RFQ	2988	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5352		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		1 µA @ 10.8 V				15 v	2.5欧姆
JAN1N5539C-1	11.0400	RFQ	8391	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5539		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 17.1 V				19 v	100欧姆
1月1N816	-	RFQ	5231	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-	-	-				-	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANTXV1N5527B-1	9.1200	RFQ	2574	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.8 V				7.5 v	35欧姆
JANTX1N4466CUS/TR	28.8600	RFQ	5418	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTX1N444466CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		300 NA @ 8.8 V				11 V	6欧姆
CDLL3027B	15.3000	RFQ	7124	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3027		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 15.2 V				20 v	22欧姆
SBR6045	126.8400	RFQ	2583	微芯片技术	-	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	SBR6045	肖特基			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	45 v	600 mv @ 60 a		2 ma @ 45 V		60a	-
JANTXV1N6352	-	RFQ	8372	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 114 V				150 v	1000欧姆
JANTX1N6662	-	RFQ	4212	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/587	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6662	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1 V @ 400 MA		50 NA @ 400 V	-65°C〜175°C	500mA	-
CDLL5525C/TR	12.3900	RFQ	6554	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5525C/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5 V				6.2 v	30欧姆
Janhca1n5534b	6.7564	RFQ	6739	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n5534b	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 12.6 V				14 V	100欧姆
1 PMT5955AE3/TR13	0.7350	RFQ	9399	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 136.8 V				180 v	800欧姆
JAN1N4570A-1/TR	3.6150	RFQ	9313	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4570A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	100欧姆
1N5945CPE3/TR12	1.2000	RFQ	9785	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5945		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 51.2 V				68 v	120欧姆
1月1N942BUR-1	-	RFQ	9100	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/157	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 8 V				11.7 v	30欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²