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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电流 -最大	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f	电容比	电容比条件	q @ vr，f
JANTXV1N990B-1/TR	-	RFQ	6570	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N990B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 122 V						160 v	1.7欧姆
Jan1n983dur-1/tr	12.7680	RFQ	4000	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N983DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 62 V						82 v	330欧姆
1N4944/tr	9.0600	RFQ	1206	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4944/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			400 v	1.3 V @ 1 A	150 ns	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	35pf @ 12V，1MHz
JANTXV1N3025CUR-1/TR	40.4985	RFQ	5998	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3025CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 12.2 V						16 V	16欧姆
LXS201-23-0/tr	6.1800	RFQ	8121	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜125°C		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	LXS201			SOT-23-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-LXS201-23-0/tr	Ear99	8541.10.0060	1,000		1 a	250兆							0.3pf @ 0v，1MHz	肖特基 -单身	3V			-
Jan1n4129c-1	10.5000	RFQ	1388	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4129			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 47.1 V						62 v	500欧姆
JANTX1N4372D-1	28.0200	RFQ	7652	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4372		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		30 µA @ 1 V						3 V	29欧姆
GC4215-00	-	RFQ	9298	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C〜150°C		死				芯片	-			到达不受影响	150-GC4215-00			1		10 MA								0.5pf @ 10V，1MHz	PIN-单	100V			350MOHM @ 20mA，1GHz
GC4601-172	-	RFQ	9728	微芯片技术	-	包	积极的		-55°C〜125°C		螺柱				-	-			到达不受影响	150-GC4601-172	Ear99	8541.10.0060	1										1.5pf @ 50V，1MHz	PIN-单	1500V			250MOHM @ 500mA，100MHz
JANTXV1N4099UR-1	15.9750	RFQ	2649	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.17 V						6.8 v	200欧姆
JANTX1N5529DUR-1/TR	42.0014	RFQ	3896	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5529DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 8.2 V						9.1 v	45欧姆
CDLL943A/TR	69.1800	RFQ	1326	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL943A/TR	Ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V						11.7 v	30欧姆
JANTX1N5822/TR	85.9500	RFQ	6603	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/620	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	B，轴向		肖特基		B，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5822/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			40 V	500 mv @ 3 a		100 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	3a	-
CDLL829/TR	26.4750	RFQ	3004	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±4.84％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL829/tr	Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V						6.2 v	15欧姆
GCX1209-23-0	3.3150	RFQ	4745	微芯片技术	GCX1209	大部分	积极的		-55°C〜125°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				SOT-23-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-GCX1209-23-0	Ear99	8541.10.0060	1										4.7pf @ 4V，1MHz	单身的	30 V				3.9	C0/C30	2000 @ 4V，50MHz
1N5248B/TR	2.0083	RFQ	5715	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5248B/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		100 na @ 14 V						18 V	21欧姆
CDLL3016B	16.1100	RFQ	3183	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3016		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 5.2 V						6.8 v	3.5欧姆
Jan1n5536bur-1/tr	12.9542	RFQ	3183	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5536BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 14.4 V						16 V	100欧姆
UZ5238	32.2650	RFQ	8531	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-			到达不受影响	150-UZ5238	Ear99	8541.10.0050	1							5 µA @ 274 V						380 v	1500欧姆
CDLL4740A/TR	3.4048	RFQ	1470	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf				do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4740A/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 7.6 V						10 v	7欧姆
1月1N6314	9.5100	RFQ	6354	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6314		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		2 µA @ 1 V						3.9 v	23欧姆
KVX2143-150B	-	RFQ	4300	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-		死				芯片	-			到达不受影响	150-KVX2143-150BTR	Ear99	8541.10.0080	1										-	-	-			-
1N3012RB	40.3200	RFQ	3238	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3012		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 121.6 V						160 v	200欧姆
KVX2152-23-0	3.3150	RFQ	1698年	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C〜125°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				SOT-23-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-KVX2152-23-0	Ear99	8541.10.0080	1										1.3pf @ 20V，1MHz	单身的	22 v					-	600 @ 4V，50MHz
GC4491-00	-	RFQ	1566年	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C〜150°C		死				芯片	-			到达不受影响	150-GC4491-00	Ear99	8541.10.0040	1		50 mA								0.25pf @ 50V，1MHz	PIN-单	750V			1.2OHM @ 100mA，100MHz
1N6631U/tr	18.9900	RFQ	8436	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		E-Melf	-			到达不受影响	150-1N6631U/TR	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			1000 v	1.6 V @ 1.4 A	60 ns	4 µA @ 1000 V	-65°C〜150°C	1.4a	-
Jan1n5540bur-1	14.4600	RFQ	9077	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5540		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18 V						20 v	100欧姆
1N914	0.9800	RFQ	4	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N914	标准		DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N914MS	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度			75 v	1.2 V @ 50 mA	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
KV2161-00	-	RFQ	5095	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C〜150°C	表面安装	死				芯片	-			到达不受影响	150-KV2161-00	Ear99	8541.10.0040	1										2.3pf @ 20V，1MHz	单身的	22 v				5.1	C4/C20	400 @ 4V，50MHz
1N5357C/TR8	3.3900	RFQ	9595	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5357		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 14.4 V						20 v	3欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²