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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N3533A	2.4900	RFQ	6927	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N3533		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma						43 V	130欧姆
1N6701	23.6550	RFQ	9666	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6701				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
1 PMT5933CE3/TR13	0.7350	RFQ	9402	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 16.7 V				22 v	17.5欧姆
UES1003/tr	26.3700	RFQ	3489	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-ues1003/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	975 MV @ 1 A	25 ns		-55°C 〜175°C	1a	-
JANS1N6491CUS	-	RFQ	1561年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	SQ-MELF，a	1N6491		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		500 na @ 2 V				5.6 v	5欧姆
1N5938PE3/TR8	0.9150	RFQ	9705	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5938		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 27.4 V				36 V	38欧姆
JANTX1N4992	14.1150	RFQ	8350	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4992		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 206 V				270 v	800欧姆
Jan1n6631/tr	13.4100	RFQ	9182	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	E，轴向		标准			-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N6631/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1100 v	1.6 V @ 1 A	60 ns	2 µA @ 1100 V	-65°C〜175°C	1.4a	-
CDS5711-1	-	RFQ	3252	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	50
JANTXV1N4131UR-1	11.2500	RFQ	6771	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4131		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 57 V				75 v	700欧姆
1N3163	195.7200	RFQ	8001	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	1N3163	标准		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N3163MS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	150 v	1.25 V @ 240 A		75 µA @ 150 V	-65°C 〜200°C	240a	-
1 PMT4128/TR13	0.9600	RFQ	5951	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4128		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 45.6 V				60 V	250欧姆
JANS1N4621DUR-1	207.1350	RFQ	4415	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 2 V				3.6 v	1700欧姆
JANS1N4486C	207.1050	RFQ	6417	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 na @ 60 V				75 v	130欧姆
1N4372A	3.0900	RFQ	5530	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4372		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1n4372am	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 µA @ 1 V				3 V	29欧姆
JANTX1N4553RB	-	RFQ	7932	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		20 µA @ 1 V				5.6 v	0.12欧姆
CDLL4754	3.4650	RFQ	8147	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4754			do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 na @ 29.7 V				39 v	60欧姆
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JANS1N6487CUS	-	RFQ	2356	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		35 µA @ 1 V				3.9 v	9欧姆
1N4249	-	RFQ	6969	微芯片技术	-	大部分	过时的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	1a	-
1N4248	-	RFQ	1741年	微芯片技术	-	大部分	过时的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	-
JANS1N7055UR-1/TR	163.0650	RFQ	6071	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N7055UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1
BZV55C8V2	2.9400	RFQ	7170	微芯片技术	-	大部分	积极的	±6％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	BZV55C8V2			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		700 na @ 5 V				8.2 v
Jan1n3330b	-	RFQ	2378	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/158	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3330		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 35.8 V				47 V	5欧姆
UZ5822	32.2650	RFQ	1236	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-			到达不受影响	150-UZ5822	Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 15.8 V				22 v	5欧姆
1 PMT5933/TR13	2.2200	RFQ	4542	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 16.7 V				22 v	17.5欧姆
CDLL5278A/TR	3.7800	RFQ	9606	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa				do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5278A/TR	Ear99	8541.10.0050	250			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 123 V				170 v	1900欧姆
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JANTX1N750DUR-1	15.2100	RFQ	6804	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N750		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1.5 V				4.7 v	19欧姆
1N4123/tr	2.3408	RFQ	7776	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4123/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.65 V				39 v	200欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²