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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
S4250T	57.8550	RFQ	2446	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	S4250	标准		DO-205AA（DO-8）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		500 v		1.2 V @ 200 A		50 µA @ 500 V	-65°C 〜200°C	125a	-
SBR3060	51.2250	RFQ	1415	微芯片技术	SBR306	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	SBR3060	肖特基		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		60 V		680 mv @ 30 a		1.5 ma @ 60 V	-55°C 〜175°C	30a	-
UES2601R	78.9000	RFQ	6571	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	UES2601	标准，反极性		TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		930 MV @ 15 A	35 ns	20 µA @ 50 V	-55°C 〜175°C	30a	-
UES2604R	78.9000	RFQ	5765	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	UES2604	标准，反极性		TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		1.25 V @ 15 A	50 ns	50 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	30a	-
UES2606R	78.9000	RFQ	3081	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	UES2606	标准，反极性		TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v		1.25 V @ 15 A	50 ns	50 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	30a	-
UES801R	70.5900	RFQ	5241	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	UES801	标准		do-5	下载	Rohs不合规	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		975 MV @ 70 A	50 ns	25 µA @ 50 V	175°c （最大）	70a	-
UES803	63.9150	RFQ	6991	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	UES803	标准		do-5	下载	Rohs不合规	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		975 MV @ 70 A	50 ns	25 µA @ 150 V	175°c （最大）	70a	-
UES805	69.1950	RFQ	6725	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	UES805	标准		do-5	下载	Rohs不合规	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		300 v			50 ns	70 µA @ 300 V	-55°C〜150°C	50a	-
UFR3010pf	62.6700	RFQ	5799	微芯片技术	-	大部分	积极的			按适合	DO-208AA	UFR3010	标准		do-21	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		100 v		975 MV @ 30 A	35 ns	15 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C	30a	140pf @ 10V，1MHz
UFR3015PF	62.6700	RFQ	2277	微芯片技术	-	大部分	积极的			按适合	DO-208AA	UFR3015	标准		do-21	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		975 MV @ 30 A	35 ns	15 µA @ 150 V	-55°C 〜175°C	30a	140pf @ 10V，1MHz
UFR7015	91.9200	RFQ	4200	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	UFR7015	标准		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2266-UFR7015	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		975 MV @ 70 A	50 ns	25 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	70a	300pf @ 10V，1MHz
UFR7020	92.8050	RFQ	3276	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	UFR7020	标准		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		975 MV @ 70 A	50 ns	25 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	70a	300pf @ 10V，1MHz
UFR7150R	101.8500	RFQ	4820	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	UFR7150	标准		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		500 v		1.25 V @ 70 A	75 ns	25 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	70a	150pf @ 10V，1MHz
UFT3130	63.3000	RFQ	1392	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	UFT3130	标准		TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		300 v		1.1 V @ 15 A	50 ns	15 µA @ 300 V	-65°C〜175°C	30a	115pf @ 10V，1MHz
UFT3150C	67.1100	RFQ	5168	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	UFT3150	标准		TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		500 v		1.1 V @ 15 A	50 ns	15 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	30a	115pf @ 10V，1MHz
245美元	23.4450	RFQ	5798	微芯片技术	*	大部分	积极的					245美元				-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1
JANTXV1N3600	8.1000	RFQ	9790	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/231	大部分	积极的			通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N3600	-		do-7	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		50 V		1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	200mA	-
JANTXV1N4481	12.8850	RFQ	3759	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N4481		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 NA @ 37.6 V						47 V	50欧姆
JANTXV1N6340	14.6700	RFQ	7339	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向	1N6340		500兆	B，轴向	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 36 V						47 V	75欧姆
JANTXV1N6341US	22.3050	RFQ	6511	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6341		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 39 V						51 v	85欧姆
JANTXV1N6342	14.6700	RFQ	1311	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6342		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 43 V						56 v	100欧姆
JANTXV1N6343	14.6700	RFQ	4324	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向	1N6343		500兆	B，轴向	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 47 V						62 v	125欧姆
JANTXV1N7043CAT1	218.3550	RFQ	8367	微芯片技术	MIL-PRF-19500/730	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA	1N7043	肖特基		TO-254AA	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	100 v	35a	1.3 V @ 35 A		500 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
JTXM19500/469-04	464.1150	RFQ	5798	微芯片技术	*	大部分	积极的					JTXM19500				-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1
469-03	428.4000	RFQ	4623	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	469-03	标准		8-SOIC	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1					1.35 V @ 15.7 A		2 µA @ 600 V		10 a		单相	600 v
469-04	-	RFQ	6634	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方	469-04	标准		MD	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1					1.35 V @ 15.7 A		2 µA @ 880 V		10 a		单相	800 v
483-01	478.0950	RFQ	2440	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	底盘安装	我	483-01	标准		我	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1					1.3 V @ 39 A		1 µA @ 200 V		25 a		三期	200 v
678-6	401.7300	RFQ	7222	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	NC	678-6	标准		NC	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2266-678-6	Ear99	8541.10.0080	1					1.2 V @ 10 A		10 µA @ 600 V		25 a		三期	600 v
679-3	391.7400	RFQ	4168	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	4，NB	679-3	标准		NB	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1					1.2 V @ 10 A		20 µA @ 300 V		25 a		单相	300 v
679-4	391.7400	RFQ	4698	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	4，NB	679-4	标准		NB	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1					1.2 V @ 10 A		20 µA @ 400 V		25 a		单相	400 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²