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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTX1N2805RB	-	RFQ	9795	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2805		50 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		100 µA @ 5 V				7.5 v	0.3欧姆
JANTXV1N4577A-1/TR	10.6050	RFQ	4048	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4577A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	50欧姆
1N5913B	3.0300	RFQ	4739	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5913		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5913BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆
UZ807	22.4400	RFQ	3942	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向			3 W	a，轴向	-			到达不受影响	150-UZ807	Ear99	8541.10.0050	1
1月1N4459	45.7050	RFQ	3564	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/162	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N4459	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.5 V @ 15 A		50 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	15a	-
R20410	33.4500	RFQ	4006	微芯片技术	R204	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	R204	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	100 v	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	12a	-
JANTXV1N972BUR-1/TR	6.8495	RFQ	5008	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N972BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 23 V				30 V	49欧姆
1月1N3913	-	RFQ	7950	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/308	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.4 V @ 50 A	200 ns		-65°C〜150°C	30a	-
MSASC25W30K/tr	-	RFQ	2619	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-MSASC25W30KS/TR			100
1N3049B-1/TR	7.4214	RFQ	2311	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115N	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-13	1N3049		1 w	DO-13（do-202AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N3049B-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 121.6 V				160 v	1100欧姆
1N963BE3	2.3009	RFQ	6745	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N963BE3	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 9.1 V				12 v	11.5欧姆
JANTXV1N6315C	36.0300	RFQ	5840	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6315		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		2 µA @ 1 V				4.3 v	20欧姆
1N6031B	2.7750	RFQ	7588	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6031		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 152 V				200 v	2000年
S306040F	49.0050	RFQ	9147	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-S306040F			1
JAN1N4105DUR-1/TR	16.3058	RFQ	3082	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4105DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 8.5 V				11 V	200欧姆
1N6540	16.5300	RFQ	1723年	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6540				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
1N2997B	36.9900	RFQ	3453	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2997		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 38.8 V				51 v	15欧姆
1N6932UTK1CS	259.3500	RFQ	1749年	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-1N6932UTK1CS			1
JANTXV1N3034DUR-1/TR	50.5932	RFQ	4033	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3034DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 29.7 V				39 v	60欧姆
JANTX1N988BUR-1	-	RFQ	7451	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 99 V				130 v	1100欧姆
Jan1n759d-1/tr	5.8919	RFQ	6148	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N759D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9 V				12 v	30欧姆
1N4482C	17.7000	RFQ	2320	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	下载			到达不受影响	150-1N4482C	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 40.8 V				51 v	60欧姆
JAN1N4618C-1	9.4650	RFQ	5562	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4618		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 1 V				2.7 v	1500欧姆
1 PMT5936B/TR13	2.2200	RFQ	8291	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V				30 V	28欧姆
JANTXV1N746CUR-1	16.5600	RFQ	4894	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N746		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				3.3 v	28欧姆
1N5918P/TR8	1.8600	RFQ	1896年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5918		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V				5.1 v	4欧姆
JANTXV1N3032DUR-1/TR	50.5932	RFQ	7891	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3032DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 25.1 V				33 V	45欧姆
CDLL5223D/TR	8.5950	RFQ	7106	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5223D/tr	Ear99	8541.10.0050	110			1.1 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V				2.7 v	30欧姆
1N3533A	2.4900	RFQ	6927	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N3533		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma						43 V	130欧姆
1N6701	23.6550	RFQ	9666	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6701				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²