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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANTX1N3306B	-	RFQ	8722	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	125 µA @ 5 V				7.5 v	0.3欧姆
1N4923	42.3600	RFQ	3167	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-25°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4923		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1								19.2 v	150欧姆
JANS1N4976DUS/TR	460.3500	RFQ	7284	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANS1N4976DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 42.6 V				56 v	35欧姆
JANTXV1N4551B	-	RFQ	7562	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	100 µA @ 1 V				4.7 v	0.12欧姆
CDLL5224B	2.8650	RFQ	6135	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5224		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	75 µA @ 1 V				2.8 v	30欧姆
JANTX1N555537B-1/TR	6.2111	RFQ	2071	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5537B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 15.3 V				17 V	100欧姆
JAN1N4130CUR-1/TR	19.9367	RFQ	6886	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4130CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 51.7 V				68 v	700欧姆
1 PMT5927A/TR13	2.2200	RFQ	3636	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 9.1 V				12 v	6.5欧姆
CDLL4623	3.9450	RFQ	3687	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4623		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	2 µA @ 2 V				4.3 v	1600欧姆
1N5528D	5.6850	RFQ	3619	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5528D	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 7.5 V				8.2 v	40欧姆
JANTXV1N4622D-1	18.4650	RFQ	7530	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4622		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	2.5 µA @ 2 V				3.9 v	1650年
CDS5536BUR-1	-	RFQ	2339	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5536BUR-1	Ear99	8541.10.0050	50
JANTXV1N756A-1	-	RFQ	9301	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	1 µA @ 6 V				8.2 v	8欧姆
UZ7709V	468.9900	RFQ	8639	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	螺柱			10 W	轴向	-			到达不受影响	150-UZ7709V	Ear99	8541.10.0050	1				150 µA @ 6.9 V				9.1 v	1欧姆
JANS1N6328C	358.7400	RFQ	4789	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	50 na @ 11 V				15 v	10欧姆
1 PMT5936BE3/TR13	0.7350	RFQ	7438	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 22.8 V				30 V	28欧姆
jankca1n5527c	-	RFQ	3952	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANKCA1N5527C	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 6.8 V				7.5 v	35欧姆
1N3338RB	49.3800	RFQ	6940	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3338		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A	10 µA @ 62.2 V				82 v	11欧姆
CDS759A-1	-	RFQ	3210	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS759A-1	Ear99	8541.10.0050	50
JANTXV1N4495CUS/TR	45.2850	RFQ	5164	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTXV1N4495CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A	250 NA @ 144 V				180 v	1300欧姆
1N4736AGE3	3.3300	RFQ	3913	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do041，轴向			1 w	do-41	-			到达不受影响	150-1N4736AGE3	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 4 V				6.8 v	3.5欧姆
JANS1N4475D	258.8850	RFQ	4493	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	50 NA @ 21.6 V				27 V	18欧姆
LSM130GE3/TR13	0.6450	RFQ	4180	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					LSM130				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000
MSASC75W45FR	-	RFQ	8494	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™3		肖特基，反极性		Thinkey™3	-			到达不受影响	150-MSASC75W45FR	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	45 v	760 mv @ 75 A	750 µA @ 45 V	-55°C 〜175°C	75a	-
JANTXV1N3046B-1	-	RFQ	8861	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
1N5518A	2.7150	RFQ	6559	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5518A	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 900 mV				3.3 v
JAN1N4132D-1	13.1400	RFQ	8947	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4132			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 62.4 V				82 v	800欧姆
1N4624/tr	2.8050	RFQ	5199	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	-			到达不受影响	150-1N4624/tr	Ear99	8541.10.0050	336			1.1 V @ 200 ma	10 µA @ 3 V				4.7 v	1550年
CDLL980	2.9400	RFQ	1360	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL980		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 47 V				62 v	185欧姆
JANTXV1N3017DUR-1/TR	51.2449	RFQ	7918	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3017DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma	100 µA @ 5.7 V				7.5 v	4欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²