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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
JANS1N4957US/TR	107.9502	RFQ	7893	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4957US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		25 µA @ 6.9 V				9.1 v	2欧姆
1月1N4133-1	3.5250	RFQ	3096	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4133			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 66.2 V				87 v	1000欧姆
1 PMT5933B/TR7	2.2200	RFQ	1819年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 16.7 V				22 v	17.5欧姆
JANTX1N6663	358.1400	RFQ	2	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/587	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6663	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1 V @ 400 MA		50 NA @ 600 V	-65°C〜175°C	500mA	-
JANTX1N7050-1	8.8950	RFQ	4361	微芯片技术	-	大部分	积极的									-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
MBR2090CTE3/TU	-	RFQ	9818	微芯片技术	*	管子	积极的					MBR2090				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000
CD5364	5.6700	RFQ	5737	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜200°C	表面安装	死			5 w	死	-			到达不受影响	150-CD5364	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		500 NA @ 25.1 V				33 V	10欧姆
S4350	112.3200	RFQ	3278	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	下载			到达不受影响	150-S4350	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	500 v	1.1 V @ 200 A		50 µA @ 500 V	-65°C 〜200°C	150a	-
1n823ur-1/tr	4.9500	RFQ	6714	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N823UR-1/tr	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
JAN1N759DUR-1	14.2500	RFQ	2074	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N759		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 9 V				12 v	30欧姆
JANTXV1N4961CUS/TR	26.5800	RFQ	3725	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTXV1N4961CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		10 µA @ 9.9 V				13 V	3欧姆
1N5352E3/TR8	2.6250	RFQ	4360	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5352		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		1 µA @ 10.8 V				15 v	2.5欧姆
JANTXV1N4467US/TR	12.8611	RFQ	1452	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4467US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		200 na @ 9.6 V				12 v	7欧姆
CDLL3041	15.3000	RFQ	4084	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3041		1 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 56 V				75 v	175欧姆
JAN1N3028CUR-1/TR	29.0339	RFQ	1544年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3028CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 16.7 V				22 v	23欧姆
JANTX1N6491US	-	RFQ	8892	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		500 na @ 2 V				5.6 v	5欧姆
Jan1n5968dus/tr	-	RFQ	6204	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	E-Melf	下载				150-JAN1N5968DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 ma @ 4.28 V				5.6 v	1欧姆
1N4750CP/TR8	2.2800	RFQ	1007	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4750		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 20.6 V				27 V	35欧姆
1N5275BUR-1	5.1900	RFQ	7813	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N5275		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 106 V				140 v	1300欧姆
CDLL5244A	2.8650	RFQ	3302	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5244		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 10 V				14 V	15欧姆
1N5341BE3/TR13	0.9900	RFQ	9482	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5341		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,250			1.2 V @ 1 A		1 µA @ 3 V				6.2 v	1欧姆
JANTX1N4618CUR-1/TR	19.4047	RFQ	1226	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4618CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					500 na @ 1 V				2.7 v	1500欧姆
JANTXV1N4975US/TR	14.2975	RFQ	4090	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4975US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 38.8 V				51 v	28欧姆
1N5530C	11.3550	RFQ	7293	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N55330C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.1 V				10 v	60欧姆
1N6655	316.1850	RFQ	8908	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA		标准		TO-254AA	-			到达不受影响	150-1N6655	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	1 V @ 20 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	20a	150pf @ 10V，1MHz
MBR2080FCTE3/TU	1.1700	RFQ	6637	微芯片技术	*	管子	积极的					MBR2080				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000
1N4762AUR	3.4650	RFQ	3492	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4762		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 62.2 V				82 v	200欧姆
JANS1N4957D	519.7200	RFQ	5094	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-			到达不受影响	150-JANS1N4957D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		25 µA @ 6.9 V				9.1 v	2欧姆
1N6309	8.4150	RFQ	7897	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6309		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		100 µA @ 1 V				2.4 v	30欧姆
JANTX1N6332CUS/TR	34.6201	RFQ	5385	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTX1N6332CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		50 na @ 17 V				22 v	20欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²