RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f
JAN1N4627C-1/TR	8.6317	RFQ	3364	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4627C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 5 V						6.2 v	1200欧姆
Jan1n4471dus/tr	34.7550	RFQ	3771	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JAN1N4471DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 14.4 V						18 V	11欧姆
1N6316US	16.5300	RFQ	8358	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6316		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 3.5 V						4.7 v	1500欧姆
LSM540J/TR13	1.1700	RFQ	6820	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	LSM540	肖特基		do-214ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	40 V	520 mv @ 5 a		2 ma @ 40 V	-55°C〜150°C	5a	-
1N4942US/TR	13.1550	RFQ	6834	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-1N4942US/TR			100
CDLL4570	7.3800	RFQ	1191	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	0°C〜75°C	表面安装	do-213aa	CDLL4570		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V							100欧姆
1N5355CE3/TR8	3.3900	RFQ	2420	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5355		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 13 V						18 V	2.5欧姆
JANS1N4982D	374.1920	RFQ	9612	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4982D	Ear99	8541.10.0050	1
Jan1n3336rb	-	RFQ	3717	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 51.7 V						68 v	8欧姆
CDLL3826A	10.1250	RFQ	5632	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3826		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V						5.1 v	7欧姆
JANTX1N4116CUR-1	24.3150	RFQ	4489	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4116		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18.3 V						24 V	150欧姆
1N4955US/TR	7.4613	RFQ	7661	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4955US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		100 µA @ 5.7 V						7.5 v	1.5欧姆
1N827UR-1	10.3950	RFQ	4664	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N827		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V						6.2 v	15欧姆
JANTXV1N6310D	45.0600	RFQ	8795	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6310		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		60 µA @ 1 V						2.7 v	30欧姆
BZV55C2V4/TR	2.7664	RFQ	2996	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±8％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-BZV55C2V4/tr	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 µA @ 1 V						2.4 v
JANTXV1N4099C-1	23.1600	RFQ	7090	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4099		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.2 V						6.8 v	200欧姆
JANTX1N969CUR-1/TR	14.9359	RFQ	2798	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N969CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 17 V						22 v	29欧姆
JANS1N6349C	261.5806	RFQ	6166	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N6349C	Ear99	8541.10.0050	1
JANTXV1N5619	9.4200	RFQ	9158	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5619	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.6 V @ 3 A	250 ns	500 NA @ 600 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 12V，1MHz
1月1N6774	-	RFQ	3719	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-257-3		标准		TO-257	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1.15 V @ 15 A	35 ns	10 µA @ 800 mV	-65°C〜150°C	15a	300pf @ 5V，1MHz
MPP4201-206/tr	4.3800	RFQ	3931	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜150°C		0402（（1005公制）	MPP4201			0402	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MPP4201-206/tr	Ear99	8541.10.0070	1,000								0.2pf @ 10V，1MHz	PIN-单	70V			2.5OHM @ 20mA，100MHz
JANS1N6320U	211.0400	RFQ	46	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6320		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		2 µA @ 4 V						6.8 v	3欧姆
1N4476C	17.7000	RFQ	7538	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	下载			到达不受影响	150-1N4476C	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 24 V						30 V	20欧姆
JANTX1N6337	12.4350	RFQ	2674	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6337		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 27 V						36 V	50欧姆
JANTX1N4126D-1/TR	17.9816	RFQ	6943	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4126D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 38.8 V						51 v	300欧姆
1N4150ur-1/tr	1.4000	RFQ	9975	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa	1N4150	标准		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	676	小信号= <200ma（io（io），任何速度	50 V	1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	200mA	-
JANTX1N6642U	7.2750	RFQ	6568	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	1N6642	标准		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	75 v	1.2 V @ 100 ma	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	5pf @ 0v，1MHz
CD3821	4.0650	RFQ	7689	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死			1 w	死	-			到达不受影响	150-CD3821	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V						3.3 v	10欧姆
SMBJ5385CE3/TR13	1.0800	RFQ	3011	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5385		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 122 V						170 v	380欧姆
1N5370AE3/TR8	2.6250	RFQ	7417	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5370		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 40.3 V						56 v	35欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²