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二极管（（34409）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电流 -最大	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f
1N4955US/TR	7.4613	RFQ	7661	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4955US/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		100 µA @ 5.7 V						7.5 v	1.5欧姆
JANS1N4957US/TR	107.9502	RFQ	7893	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4957US/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		25 µA @ 6.9 V						9.1 v	2欧姆
1N4150ur-1/tr	1.4000	RFQ	9975	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa	1N4150	标准		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	676	小信号= <200ma（io（io），任何速度		50 V	1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	200mA	-
SMBJ5385CE3/TR13	1.0800	RFQ	3011	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5385		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000				1.2 V @ 1 A		500 NA @ 122 V						170 v	380欧姆
MBR2090CTE3/TU	-	RFQ	9818	微芯片技术	*	管子	积极的					MBR2090				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000
1N4596R	102.2400	RFQ	7095	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准，反极性		DO-205AA（DO-8）	下载			到达不受影响	150-1N4596R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1400 v	1.1 V @ 200 A		50 µA @ 1400 V	-65°C 〜200°C	150a	-
JANTX1N3026D-1/TR	22.7164	RFQ	2085	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3026D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 13.7 V						18 V	20欧姆
Jan1n5536bur-1/tr	12.9542	RFQ	3183	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5536BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		10 na @ 14.4 V						16 V	100欧姆
UZ5238	32.2650	RFQ	8531	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-			到达不受影响	150-UZ5238	Ear99	8541.10.0050	1						5 µA @ 274 V						380 v	1500欧姆
JANS1N6315CUS	285.0750	RFQ	7173	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	托盘	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6315		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.4 V @ 1 A		2 µA @ 1 V						4.3 v	20欧姆
1N3595US/TR	9.3898	RFQ	4018	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N3595US/TR	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）			1 V @ 200 MA	3 µs	1 NA @ 125 V	-65°C〜150°C	4a	-
1N4746PE3/TR12	0.9150	RFQ	9220	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4746		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000				1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 13.7 V						18 V	20欧姆
JANS1N4980DUS	429.5200	RFQ	6783	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4980DUS	Ear99	8541.10.0050	1
GC4491-00	-	RFQ	1566年	微芯片技术	-	托盘	积极的		-55°C〜150°C		死				芯片	-			到达不受影响	150-GC4491-00	Ear99	8541.10.0040	1		50 mA							0.25pf @ 50V，1MHz	PIN-单	750V			1.2OHM @ 100mA，100MHz
1N5369B/TR8	-	RFQ	3871	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5369		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000				1.2 V @ 1 A		500 NA @ 36.7 V						51 v	27欧姆
JANTXV1N6487US	-	RFQ	9115	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		35 µA @ 1 V						3.9 v	9欧姆
Jan1n983dur-1/tr	12.7680	RFQ	4000	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N983DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 62 V						82 v	330欧姆
Jan1n3336rb	-	RFQ	3717	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 10 A		10 µA @ 51.7 V						68 v	8欧姆
Jan1n970c-1/tr	4.9476	RFQ	8234	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N970C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		500 na @ 18 V						24 V	33欧姆
JANTXV1N4099C-1	23.1600	RFQ	7090	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4099		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.2 V						6.8 v	200欧姆
1N6328DUS	36.5850	RFQ	9584	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-1N6328DUS	Ear99	8541.10.0050	1				1.4 V @ 1 A		50 na @ 11 V						15 v	10欧姆
JANS1N4982D	374.1920	RFQ	9612	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4982D	Ear99	8541.10.0050	1
1 PMT4133/TR13	-	RFQ	7955	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4133		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000				1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 66.12 V						87 v	250欧姆
MSASC150W45L	235.8300	RFQ	9183	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™3		肖特基		Thinkey™3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		45 v	760 MV @ 150 A		1 mA @ 45 V	-55°C〜150°C	150a	-
JANTX1N6328CUS/TR	36.8942	RFQ	3614	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6328CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.4 V @ 1 A		50 na @ 11 V						15 v	10欧姆
JANS1N6349C	261.5806	RFQ	6166	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N6349C	Ear99	8541.10.0050	1
JANTX1N4119UR-1	-	RFQ	8454	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		10 na @ 21.3 V						28 V	200欧姆
Janhca1n4116d	-	RFQ	9312	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n4116d	Ear99	8541.10.0050	100				1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18.25 V						24 V	150欧姆
1N6631U/tr	18.9900	RFQ	8436	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		E-Melf	-			到达不受影响	150-1N6631U/TR	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1000 v	1.6 V @ 1.4 A	60 ns	4 µA @ 1000 V	-65°C〜150°C	1.4a	-
JANTX1N4135D-1	16.9800	RFQ	2773	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4135		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma		10 na @ 76 V						100 v	1600欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

二极管（（34409）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²